Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
1N4001G R0G
  • В избранное
  • В сравнение
1N4001G R0G

1N4001G R0G

1N4001G R0G
;
1N4001G R0G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor
  • Артикул:
    1N4001G R0G
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 50V 1A DO204ALВсе характеристики

Минимальная цена 1N4001G R0G при покупке от 1 шт 54.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N4001G R0G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N4001G R0G

1N4001G R0G Taiwan Semiconductor DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 50В
    • Ток прямого тока: 1А
    • Форма корпуса: DO204AL
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Малый размер корпуса для компактного размещения
  • Минусы:
    • Низкий коэффициент передачи при высоких частотах
    • Высокое сопротивление обратного тока
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного тока
    • Переключение на низкие напряжения
    • Регулировка напряжения
  • Применение в устройствах:
    • Мощные электронные устройства
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики 1N4001G R0G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    50 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 1 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 50 V
  • Емкость @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-204AL (DO-41)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    1N4001

Техническая документация

 1N4001G R0G.pdf
pdf. 0 kb
  • 9795 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    54 ₽
  • 100
    23 ₽
  • 1000
    12 ₽
  • 5000
    8.9 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor
  • Артикул:
    1N4001G R0G
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 50V 1A DO204ALВсе характеристики

Минимальная цена 1N4001G R0G при покупке от 1 шт 54.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N4001G R0G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N4001G R0G

1N4001G R0G Taiwan Semiconductor DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 50В
    • Ток прямого тока: 1А
    • Форма корпуса: DO204AL
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Малый размер корпуса для компактного размещения
  • Минусы:
    • Низкий коэффициент передачи при высоких частотах
    • Высокое сопротивление обратного тока
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного тока
    • Переключение на низкие напряжения
    • Регулировка напряжения
  • Применение в устройствах:
    • Мощные электронные устройства
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики 1N4001G R0G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    50 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 1 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 50 V
  • Емкость @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-204AL (DO-41)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    1N4001

Техническая документация

 1N4001G R0G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RB168LAM150TRДиод: DIODE SCHOTTKY 150V 1A PMDTM
    83Кешбэк 12 баллов
    RB168MM-60TFTRДиод: RB168MM-60TF IS THE HIGH RELIABI
    99Кешбэк 14 баллов
    RB068LAM150TFTRДиод: AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    102Кешбэк 15 баллов
    RF101LAM4STFTRДиод: RF101LAM4STF IS THE HIGH RELIABI
    98Кешбэк 14 баллов
    RB530VM-30FHTE-17Диод: DIODE (RECTIFIER FRD) 30V-VRM 30
    61Кешбэк 9 баллов
    RBR3LAM40CTFTRДиод: AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    98Кешбэк 14 баллов
    RB451UMFHTLRB451UMFH IS THE HIGH RELIABILIT
    126Кешбэк 18 баллов
    RB520VM-30FHTE-17Диод: RB520VM-30FH IS LOW V F
    50Кешбэк 7 баллов
    RF101L4STFTE25Диод: FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU
    113Кешбэк 16 баллов
    RB168MM-40TFTRДиод: RB168MM-40TF IS THE HIGH RELIABI
    97Кешбэк 14 баллов
    RF505BM6STLДиод: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252
    300Кешбэк 45 баллов
    RB068LAM-30TRDIODE SCHOTTKY 30V 2A PMDTM
    119Кешбэк 17 баллов
    RF301BGE2STLDIODE GEN PURP 200V 3A TO252GE
    187Кешбэк 28 баллов
    RBS3LAM40ATRRBS3LAM40A IS SUPER LOW VF<
    113Кешбэк 16 баллов
    RF201L4SDDTE25FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU
    156Кешбэк 23 балла
    RF302LAM2STRДиод: SUPER FAST RECOVERY DIODE : RF30
    176Кешбэк 26 баллов
    BAT54HMT116BAT54HM IS SCHOTTKY BARRIER DIOD
    46Кешбэк 6 баллов
    RB068VWM-60TFTR60V, 2A, SINGLE, PMDE, ULTRA LOW
    102Кешбэк 15 баллов
    RB060MM-30TFTRДиод: RB060MM-30TF IS THE HIGH RELIABI
    130Кешбэк 19 баллов
    RB075BM40SFHTLSCHOTTKY BARRIER DIODE
    165Кешбэк 24 балла
    RB168L100DDTE25SUPER LOW IR TYPE AUTOMOTIVE SCH
    126Кешбэк 18 баллов
    RF071LAM4STFTRRF071LAM4STF IS THE HIGH RELIABI
    70Кешбэк 10 баллов
    RB451UMTLДиод: RB451UM IS SCHOTTKY BARRIER DIOD
    91Кешбэк 13 баллов
    RSX301LAM30TFTRAUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    137Кешбэк 20 баллов
    RFN5BM6SFHTLSUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE
    200Кешбэк 30 баллов
    RBS3LAM40CTRDIODE SCHOTTKY PMDTM
    113Кешбэк 16 баллов
    RB168VWM100TR100V, 1A, SINGLE, PMDE, ULTRA LO
    128Кешбэк 19 баллов
    RFN1LAM6STRДиод: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM
    76Кешбэк 11 баллов
    RF202LAM2STFTRSUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q
    115Кешбэк 17 баллов
    RF505BM6SFHTLДиод: SUPER FAST RECOVERY DIODES
    324Кешбэк 48 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные диоды
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды выпрямительные - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Принадлежности
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Триодные тиристоры - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды силовые
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП