Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
1N4150 TR PBFREE
  • В избранное
  • В сравнение
1N4150 TR PBFREE

1N4150 TR PBFREE

1N4150 TR PBFREE
;
1N4150 TR PBFREE

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Central Semiconductor
  • Артикул:
    1N4150 TR PBFREE
  • Описание:
    Диод: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35Все характеристики

Минимальная цена 1N4150 TR PBFREE при покупке от 1 шт 26.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N4150 TR PBFREE с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N4150 TR PBFREE

1N4150 TR PBFREE Central Semiconductor Диод: DIODE GEN PURP 50В 200мА DO35

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 50В
    • Номинальный ток прямого тока: 200мА
    • Форма корпуса: DO35
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Малый размер корпуса для удобства монтажа
  • Минусы:
    • Средний срок службы при больших нагрузках
    • Не рекомендован для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
    • Уменьшение амплитуды импульсных помех
    • Приведение напряжений к уровню питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Питание и регулировка напряжения
    • Защита электронных компонентов
    • Измерительная техника
    • Автомобильные системы
    • Пульсарные выпрямители
Выбрано: Показать

Характеристики 1N4150 TR PBFREE

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    50 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    200mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 200 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    6 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 nA @ 50 V
  • Емкость @ Vr, F
    2.5pF @ 0V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-35
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 200°C

Техническая документация

 1N4150 TR PBFREE.pdf
pdf. 0 kb
  • 10052 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    26 ₽
  • 100
    22 ₽
  • 1000
    19.6 ₽
  • 20000
    17 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Central Semiconductor
  • Артикул:
    1N4150 TR PBFREE
  • Описание:
    Диод: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35Все характеристики

Минимальная цена 1N4150 TR PBFREE при покупке от 1 шт 26.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N4150 TR PBFREE с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N4150 TR PBFREE

1N4150 TR PBFREE Central Semiconductor Диод: DIODE GEN PURP 50В 200мА DO35

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 50В
    • Номинальный ток прямого тока: 200мА
    • Форма корпуса: DO35
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Малый размер корпуса для удобства монтажа
  • Минусы:
    • Средний срок службы при больших нагрузках
    • Не рекомендован для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
    • Уменьшение амплитуды импульсных помех
    • Приведение напряжений к уровню питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Питание и регулировка напряжения
    • Защита электронных компонентов
    • Измерительная техника
    • Автомобильные системы
    • Пульсарные выпрямители
Выбрано: Показать

Характеристики 1N4150 TR PBFREE

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    50 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    200mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 200 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    6 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 nA @ 50 V
  • Емкость @ Vr, F
    2.5pF @ 0V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-35
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 200°C

Техническая документация

 1N4150 TR PBFREE.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RB168LAM150TRДиод: DIODE SCHOTTKY 150V 1A PMDTM
    83Кешбэк 12 баллов
    RB168MM-60TFTRДиод: RB168MM-60TF IS THE HIGH RELIABI
    99Кешбэк 14 баллов
    RB068LAM150TFTRДиод: AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    102Кешбэк 15 баллов
    RF101LAM4STFTRДиод: RF101LAM4STF IS THE HIGH RELIABI
    98Кешбэк 14 баллов
    RB530VM-30FHTE-17Диод: DIODE (RECTIFIER FRD) 30V-VRM 30
    61Кешбэк 9 баллов
    RBR3LAM40CTFTRДиод: AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    98Кешбэк 14 баллов
    RB451UMFHTLRB451UMFH IS THE HIGH RELIABILIT
    126Кешбэк 18 баллов
    RB520VM-30FHTE-17Диод: RB520VM-30FH IS LOW V F
    50Кешбэк 7 баллов
    RF101L4STFTE25Диод: FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU
    113Кешбэк 16 баллов
    RB168MM-40TFTRДиод: RB168MM-40TF IS THE HIGH RELIABI
    97Кешбэк 14 баллов
    RF505BM6STLДиод: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252
    300Кешбэк 45 баллов
    RB068LAM-30TRDIODE SCHOTTKY 30V 2A PMDTM
    119Кешбэк 17 баллов
    RF301BGE2STLDIODE GEN PURP 200V 3A TO252GE
    187Кешбэк 28 баллов
    RBS3LAM40ATRRBS3LAM40A IS SUPER LOW VF<
    113Кешбэк 16 баллов
    RF201L4SDDTE25FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU
    156Кешбэк 23 балла
    RF302LAM2STRДиод: SUPER FAST RECOVERY DIODE : RF30
    176Кешбэк 26 баллов
    BAT54HMT116BAT54HM IS SCHOTTKY BARRIER DIOD
    46Кешбэк 6 баллов
    RB068VWM-60TFTR60V, 2A, SINGLE, PMDE, ULTRA LOW
    102Кешбэк 15 баллов
    RB060MM-30TFTRДиод: RB060MM-30TF IS THE HIGH RELIABI
    130Кешбэк 19 баллов
    RB075BM40SFHTLSCHOTTKY BARRIER DIODE
    165Кешбэк 24 балла
    RB168L100DDTE25SUPER LOW IR TYPE AUTOMOTIVE SCH
    126Кешбэк 18 баллов
    RF071LAM4STFTRRF071LAM4STF IS THE HIGH RELIABI
    70Кешбэк 10 баллов
    RB451UMTLДиод: RB451UM IS SCHOTTKY BARRIER DIOD
    91Кешбэк 13 баллов
    RSX301LAM30TFTRAUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    137Кешбэк 20 баллов
    RFN5BM6SFHTLSUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE
    200Кешбэк 30 баллов
    RBS3LAM40CTRDIODE SCHOTTKY PMDTM
    113Кешбэк 16 баллов
    RB168VWM100TR100V, 1A, SINGLE, PMDE, ULTRA LO
    128Кешбэк 19 баллов
    RFN1LAM6STRДиод: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM
    76Кешбэк 11 баллов
    RF202LAM2STFTRSUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q
    115Кешбэк 17 баллов
    RF505BM6SFHTLДиод: SUPER FAST RECOVERY DIODES
    324Кешбэк 48 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы - Модули
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды силовые
    Транзисторы - IGBT - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП