Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
1N4448W RHG
  • В избранное
  • В сравнение
1N4448W RHG

1N4448W RHG

1N4448W RHG
;
1N4448W RHG

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    1N4448W RHG
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123FВсе характеристики

Минимальная цена 1N4448W RHG при покупке от 1 шт 18.50 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N4448W RHG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N4448W RHG

1N4448W RHG Taiwan Semiconductor Corporation DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123F

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение срабатывания: 75В
    • Номинальный ток прямого тока: 150mA
    • Форма корпуса: SOD123F
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Малый размер корпуса для компактного монтажа
  • Минусы:
    • Меньше мощности по сравнению с большими диодами
    • Требует внимания при выборе при больших токах
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от перенапряжений
    • Переключение низковольтных сигналов
    • Изоляция цепей при работе с высокими частотами
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Мобильные устройства
    • Питание цифровых устройств
    • Радиоприемники
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики 1N4448W RHG

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    75 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    150mA (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 100 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    4 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 75 V
  • Емкость @ Vr, F
    4pF @ 0V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-123F
  • Исполнение корпуса
    SOD-123F
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    1N4448

Техническая документация

 1N4448W RHG.pdf
pdf. 0 kb
  • 16903 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    18.5 ₽
  • 100
    10.4 ₽
  • 1000
    6.5 ₽
  • 6000
    3.5 ₽
  • 15000
    3.25 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    1N4448W RHG
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123FВсе характеристики

Минимальная цена 1N4448W RHG при покупке от 1 шт 18.50 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N4448W RHG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N4448W RHG

1N4448W RHG Taiwan Semiconductor Corporation DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123F

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение срабатывания: 75В
    • Номинальный ток прямого тока: 150mA
    • Форма корпуса: SOD123F
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Малый размер корпуса для компактного монтажа
  • Минусы:
    • Меньше мощности по сравнению с большими диодами
    • Требует внимания при выборе при больших токах
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от перенапряжений
    • Переключение низковольтных сигналов
    • Изоляция цепей при работе с высокими частотами
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Мобильные устройства
    • Питание цифровых устройств
    • Радиоприемники
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики 1N4448W RHG

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    75 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    150mA (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 100 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    4 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 75 V
  • Емкость @ Vr, F
    4pF @ 0V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-123F
  • Исполнение корпуса
    SOD-123F
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    1N4448

Техническая документация

 1N4448W RHG.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RBR3L60BDDTE25Диод: LOW VF TYPE AUTOMOTIVE SCHOTTKY
    119Кешбэк 17 баллов
    MUR160SDIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA
    83Кешбэк 12 баллов
    BYG10YHE3_A/H1.5A,1600V,STD,AVALANCHE,SMD
    69Кешбэк 10 баллов
    VS-3EYH01HM3/HFRED PT RECTIFIER SLIMSMAW
    87Кешбэк 13 баллов
    STTH30RQ06G-TRДиод: DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK
    521Кешбэк 78 баллов
    V15P8HM3_A/HDIODE SCHOTTKY 80V 15A TO277A
    237Кешбэк 35 баллов
    SB590Диод: SCHOTTKY DO-201 90V 5A
    91Кешбэк 13 баллов
    SGL34-50Диод: SCHOTTKY DO-213AA 50V 0.5A
    18Кешбэк 2 балла
    CDBMS1150-HFDIODE SCHOTTKY 150V 1A SOD-123F
    70Кешбэк 10 баллов
    SUF4007Диод: DIODE UFR MELF 1000V 1A
    59Кешбэк 8 баллов
    CMH07(TE12L,Q,M)DIODE GEN PURP 200V 2A M-FLAT
    148Кешбэк 22 балла
    SBT1040-3GSchottky, 40V, 10A, 0.50V, 135A
    233Кешбэк 34 балла
    RURP1540RECTIFIER, AVALANCHE, 15A, 400V
    306Кешбэк 45 баллов
    RB168L-40TFTE25Диод: SUPER LOW IR TYPE AUTOMOTIVE SCH
    96Кешбэк 14 баллов
    SFAS805GDIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB
    270Кешбэк 40 баллов
    SFAS805GHDIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB
    270Кешбэк 40 баллов
    SFAS806GHDIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
    270Кешбэк 40 баллов
    SFAS808GHDIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
    272Кешбэк 40 баллов
    SDURB1040DIODE GEN PURP 400V D2PAK
    60Кешбэк 9 баллов
    1SS388_R1_00001SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER R
    29.6Кешбэк 4 балла
    SFAS804GDIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
    269Кешбэк 40 баллов
    SFS1008GDIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB
    276Кешбэк 41 балл
    SBRFP10U60D1-13Диод: SUPERBARRIERRECTIFIERTO252T&R2.5
    183Кешбэк 27 баллов
    ER2G_R1_00001SMB, SUPER
    94Кешбэк 14 баллов
    ES1G_R1_00001Диод: SMA, SUPER
    59Кешбэк 8 баллов
    FESF16JTHE3_A/PDIODE GEN PURP 600V 16A ITO220AC
    521Кешбэк 78 баллов
    VS-15ETH06STRR-M3DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
    295Кешбэк 44 балла
    SFAS806GDIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
    270Кешбэк 40 баллов
    1N5400KДиод: DIODE STD DO-15 50V 3A
    53Кешбэк 7 баллов
    S3GSMBДиод: DIODE STD SMB 400V 3A
    48Кешбэк 7 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты
    Транзисторы - программируемые однопереходные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Принадлежности
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Симисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды силовые
    Драйверы питания - Модули
    Модули драйверов питания
    Триодные тиристоры - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП