Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
1N4756A-TAP
  • В избранное
  • В сравнение
1N4756A-TAP

1N4756A-TAP

1N4756A-TAP
;
1N4756A-TAP

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    1N4756A-TAP
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 47V 1.3W DO41Все характеристики

Минимальная цена 1N4756A-TAP при покупке от 1 шт 57.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N4756A-TAP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N4756A-TAP

1N4756A-TAP Vishay General Semiconductor - Диод Зендер

  • Номинальное напряжение отсечки: 47 В
  • Максимальная мощность: 1,3 Вт
  • Форм-фактор: DO41

Основные параметры:

  • Рабочий диапазон напряжения: 42-52 В
  • Стабилизация напряжения: ±5%
  • Коэффициент температурной стабилизации: ≤±2%/°C

Плюсы:

  • Высокая точность стабилизации напряжения
  • Устойчивость к перегреву
  • Долговечность
  • Надежность при работе в различных условиях

Минусы:

  • Высокая цена по сравнению с обычными диодами
  • Требует дополнительного охлаждения при работе при больших мощностях

Общее назначение:

  • Стабилизация напряжения в электронных устройствах
  • Защита от переуровня напряжения
  • Преобразование переменного напряжения в постоянное

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы
  • Игровые консоли
  • Периферийное оборудование для ПК
  • Системы питания и управления
  • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики 1N4756A-TAP

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Tape & Box (TB)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    47 V
  • Допуск
    ±5%
  • Рассеивание мощности
    1.3 W
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    80 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 35.8 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.2 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-204AL (DO-41)
  • Base Product Number
    1N4756

Техническая документация

 1N4756A-TAP.pdf
pdf. 0 kb
  • 16902 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    57 ₽
  • 100
    25 ₽
  • 1000
    12.1 ₽
  • 10000
    7.7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    1N4756A-TAP
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 47V 1.3W DO41Все характеристики

Минимальная цена 1N4756A-TAP при покупке от 1 шт 57.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N4756A-TAP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N4756A-TAP

1N4756A-TAP Vishay General Semiconductor - Диод Зендер

  • Номинальное напряжение отсечки: 47 В
  • Максимальная мощность: 1,3 Вт
  • Форм-фактор: DO41

Основные параметры:

  • Рабочий диапазон напряжения: 42-52 В
  • Стабилизация напряжения: ±5%
  • Коэффициент температурной стабилизации: ≤±2%/°C

Плюсы:

  • Высокая точность стабилизации напряжения
  • Устойчивость к перегреву
  • Долговечность
  • Надежность при работе в различных условиях

Минусы:

  • Высокая цена по сравнению с обычными диодами
  • Требует дополнительного охлаждения при работе при больших мощностях

Общее назначение:

  • Стабилизация напряжения в электронных устройствах
  • Защита от переуровня напряжения
  • Преобразование переменного напряжения в постоянное

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы
  • Игровые консоли
  • Периферийное оборудование для ПК
  • Системы питания и управления
  • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики 1N4756A-TAP

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Tape & Box (TB)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    47 V
  • Допуск
    ±5%
  • Рассеивание мощности
    1.3 W
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    80 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 35.8 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.2 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-204AL (DO-41)
  • Base Product Number
    1N4756

Техническая документация

 1N4756A-TAP.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TZX14B-TAPДиод: DIODE ZENER 14V 500MW DO35
    24Кешбэк 3 балла
    TZX4V3A-TRДиод: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35
    42Кешбэк 6 баллов
    1N4758A-TRДиод: DIODE ZENER 56V 1.3W DO41
    42Кешбэк 6 баллов
    TZMC24-GS18Диод: DIODE ZENER 24V 500MW SOD80
    29.4Кешбэк 4 балла
    BZX84C68-G3-08DIODE ZENER 68V 300MW SOT23-3
    48Кешбэк 7 баллов
    MMSZ5238B-E3-18Диод: DIODE ZENER 8.7V 500MW SOD123
    40.5Кешбэк 6 баллов
    TZX16A-TRДиод: DIODE ZENER 16V 500MW DO35
    25.7Кешбэк 3 балла
    MMSZ5245C-E3-18DIODE ZENER 15V 500MW SOD123
    18.4Кешбэк 2 балла
    BZX85B9V1-TRДиод: DIODE ZENER 9.1V 1.3W DO41
    53Кешбэк 7 баллов
    BZD27C20P-M3-08Диод: DIODE ZENER 20V 800MW DO219AB
    57Кешбэк 8 баллов
    GDZ2V4B-E3-08Диод: DIODE ZENER 2.4V 200MW SOD323
    27.6Кешбэк 4 балла
    GDZ2V0B-G3-18DIODE ZENER 2V 200MW SOD323
    33Кешбэк 4 балла
    BZX55B3V9-TAPДиод: DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35
    24Кешбэк 3 балла
    1N4741A-TAPДиод: DIODE ZENER 11V 1.3W DO41
    40.5Кешбэк 6 баллов
    BZD27C6V8P-HE3-08DIODE ZENER 6.8V 800MW DO219AB
    75Кешбэк 11 баллов
    1N4756A-TAPДиод: DIODE ZENER 47V 1.3W DO41
    57Кешбэк 8 баллов
    BZT52B12-G3-08Диод: DIODE ZENER 12V 410MW SOD123
    53Кешбэк 7 баллов
    BZT52B10-E3-08Диод: DIODE ZENER 10V 410MW SOD123
    25.7Кешбэк 3 балла
    BZX84C33-G3-08DIODE ZENER 33V 300MW SOT23-3
    48Кешбэк 7 баллов
    MMSZ4702-E3-08DIODE ZENER 15V 500MW SOD123
    25.7Кешбэк 3 балла
    MMSZ5226B-G3-08Диод: DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123
    31Кешбэк 4 балла
    TZX16C-TAPДиод: DIODE ZENER 16V 500MW DO35
    24Кешбэк 3 балла
    TZX9V1C-TAPДиод: DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35
    18.4Кешбэк 2 балла
    BZX55B20-TRДиод: DIODE ZENER 20V 500MW DO35
    24Кешбэк 3 балла
    MMSZ4699-E3-18Диод: DIODE ZENER 12V 500MW SOD123
    27.6Кешбэк 4 балла
    BZX85B5V1-TAPДиод: DIODE ZENER 5.1V 1.3W DO41
    61Кешбэк 9 баллов
    BZX84B6V2-G3-08DIODE ZENER 6.2V 300MW SOT23-3
    29.4Кешбэк 4 балла
    TZS4679-GS08Диод: DIODE ZENER 2V 500MW SOD80
    25.7Кешбэк 3 балла
    BZX384B3V9-E3-08Диод: DIODE ZENER 3.9V 200MW SOD323
    27.6Кешбэк 4 балла
    BZM55B11-TRDIODE ZENER 11V 500MW MICROMELF
    59Кешбэк 8 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды силовые
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Принадлежности
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диодные мосты - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Модули драйверов питания
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты
    Транзисторы - Специального назначения
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - выпрямители - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП