Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
1N4758A-TAP
  • В избранное
  • В сравнение
1N4758A-TAP

1N4758A-TAP

1N4758A-TAP
;
1N4758A-TAP

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    1N4758A-TAP
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 56V 1.3W DO41Все характеристики

Минимальная цена 1N4758A-TAP при покупке от 1 шт 41.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N4758A-TAP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N4758A-TAP

1N4758A-TAP Vishay Semiconductors диод:

  • DIODE ZENER 56V 1.3W DO41

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение срабатывания (VZ): 56В
  • Мощность (PZ): 1.3Вт
  • Форм-фактор: DO41

Плюсы:

  • Высокая стабильность напряжения при различных нагрузках
  • Высокий коэффициент сопротивления при переходе в режим регулирования
  • Устойчивость к перегрузкам и коротким замыканиям

Минусы:

  • Высокое энергетическое затухание при переходе в режим регулирования
  • Требует дополнительных компонентов для защиты от обратного напряжения

Общее назначение:

  • Стабилизация напряжения в электронных цепях
  • Защита электронных устройств от скачков напряжения
  • Контроль тока в цепях

В каких устройствах применяется:

  • Мобильные телефоны и смартфоны
  • Приборы измерений
  • Автомобильная электроника
  • Системы управления мощностью
  • Электронные часы и другие цифровые устройства
Выбрано: Показать

Характеристики 1N4758A-TAP

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Tape & Box (TB)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    56 V
  • Допуск
    ±5%
  • Рассеивание мощности
    1.3 W
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    110 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 42.6 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.2 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-204AL (DO-41)
  • Base Product Number
    1N4758

Техническая документация

 1N4758A-TAP.pdf
pdf. 0 kb
  • 10863 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    41 ₽
  • 100
    11.6 ₽
  • 1000
    9.5 ₽
  • 10000
    7.7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    1N4758A-TAP
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 56V 1.3W DO41Все характеристики

Минимальная цена 1N4758A-TAP при покупке от 1 шт 41.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N4758A-TAP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N4758A-TAP

1N4758A-TAP Vishay Semiconductors диод:

  • DIODE ZENER 56V 1.3W DO41

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение срабатывания (VZ): 56В
  • Мощность (PZ): 1.3Вт
  • Форм-фактор: DO41

Плюсы:

  • Высокая стабильность напряжения при различных нагрузках
  • Высокий коэффициент сопротивления при переходе в режим регулирования
  • Устойчивость к перегрузкам и коротким замыканиям

Минусы:

  • Высокое энергетическое затухание при переходе в режим регулирования
  • Требует дополнительных компонентов для защиты от обратного напряжения

Общее назначение:

  • Стабилизация напряжения в электронных цепях
  • Защита электронных устройств от скачков напряжения
  • Контроль тока в цепях

В каких устройствах применяется:

  • Мобильные телефоны и смартфоны
  • Приборы измерений
  • Автомобильная электроника
  • Системы управления мощностью
  • Электронные часы и другие цифровые устройства
Выбрано: Показать

Характеристики 1N4758A-TAP

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Tape & Box (TB)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    56 V
  • Допуск
    ±5%
  • Рассеивание мощности
    1.3 W
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    110 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 42.6 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.2 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-204AL (DO-41)
  • Base Product Number
    1N4758

Техническая документация

 1N4758A-TAP.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    1N5257B-TRDIODE ZENER 33V 500MW DO35
    18.7Кешбэк 2 балла
    TZX13C-TRДиод: DIODE ZENER 13V 500MW DO35
    18.7Кешбэк 2 балла
    TZX9V1A-TRДиод: DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35
    26Кешбэк 3 балла
    BZX55B2V4-TRДиод: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35
    18.7Кешбэк 2 балла
    BZD27C3V6P-M3-08Диод: DIODE ZENER 3.6V 800MW DO219AB
    58Кешбэк 8 баллов
    BZD27B82P-M3-08DIODE ZENER 82V 800MW DO219AB
    24.3Кешбэк 3 балла
    TZX2V7B-TRДиод: DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35
    26Кешбэк 3 балла
    BZX55B5V6-TAPДиод: DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35
    18.7Кешбэк 2 балла
    BZX85B56-TRДиод: DIODE ZENER 56V 1.3W DO41
    43Кешбэк 6 баллов
    BZX85B33-TRДиод: DIODE ZENER 33V 1.3W DO41
    62Кешбэк 9 баллов
    TZX12D-TAPДиод: DIODE ZENER 12V 500MW DO35
    24.3Кешбэк 3 балла
    1N5257B-TAPДиод: DIODE ZENER 33V 500MW DO35
    20.5Кешбэк 3 балла
    BZX55B10-TRДиод: DIODE ZENER 10V 500MW DO35
    18.7Кешбэк 2 балла
    BZD27C4V7P-M3-08DIODE ZENER 4.7V 800MW DO219AB
    58Кешбэк 8 баллов
    BZX55B2V7-TRДиод: DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35
    24.3Кешбэк 3 балла
    1N5239B-TRДиод: DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35
    20.5Кешбэк 3 балла
    SML4741A-E3/61Диод: DIODE ZENER 11V 1W DO214AC
    56Кешбэк 8 баллов
    MMSZ5254B-E3-18DIODE ZENER 27V 500MW SOD123
    39Кешбэк 5 баллов
    MMSZ5235B-G3-08Диод: DIODE ZENER 6.8V 500MW SOD123
    32Кешбэк 4 балла
    1N5235B-TRДиод: DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35
    18.7Кешбэк 2 балла
    TZX27C-TRДиод: DIODE ZENER 27V 500MW DO35
    26Кешбэк 3 балла
    TZX15C-TRДиод: DIODE ZENER 15V 500MW DO35
    18.7Кешбэк 2 балла
    BZX55B11-TAPДиод: DIODE ZENER 11V 500MW DO35
    24.3Кешбэк 3 балла
    BZX55B11-TRДиод: DIODE ZENER 11V 500MW DO35
    24.3Кешбэк 3 балла
    BZX55B15-TRДиод: DIODE ZENER 15V 500MW DO35
    18.7Кешбэк 2 балла
    1N5245B-TAPДиод: DIODE ZENER 15V 500MW DO35
    24.3Кешбэк 3 балла
    BZX84C3V0-E3-08Диод: DIODE ZENER 3V 300MW SOT23-3
    28Кешбэк 4 балла
    TZX15B-TAPДиод: DIODE ZENER 15V 500MW DO35
    52Кешбэк 7 баллов
    MMSZ5230C-E3-08DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD123
    18.7Кешбэк 2 балла
    1N5240B-TRДиод: DIODE ZENER 10V 500MW DO35
    18.7Кешбэк 2 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторные модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные триодные тиристоры
    Высокочастотные диоды
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули триодных тиристоров
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - JFET
    Сборки биполярных транзисторов
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные IGBT транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП