Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
1N4935G
  • В избранное
  • В сравнение
1N4935G

1N4935G

1N4935G
;
1N4935G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    1N4935G
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 200V 1A DO41Все характеристики

Минимальная цена 1N4935G при покупке от 1 шт 18.70 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N4935G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N4935G

1N4935G onsemi DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 200В
    • Рейтингный ток: 1А
    • Форма пакета: DO41
  • Плюсы:
    • Высокое номинальное напряжение (200В)
    • Высокий рейтингный ток (1А)
    • Малый размер корпуса (DO41)
    • Стабильная работа при различных температурах
  • Минусы:
    • Высокая цена по сравнению с менее мощными диодами
    • Могут перегреваться при превышении допустимого тока
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
    • Контроль направления тока
    • Обеспечение разрывов тока
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы
    • Системы питания
    • Инверторы
    • Электронные устройства управления
    • Сетевые адаптеры
Выбрано: Показать

Характеристики 1N4935G

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.2 V @ 1 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    200 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 200 V
  • Емкость @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-204AL (DO-41)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C

Техническая документация

 1N4935G.pdf
pdf. 0 kb
  • 8207 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    18.7 ₽
  • 100
    10.3 ₽
  • 1000
    7.1 ₽
  • 10000
    6.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    1N4935G
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 200V 1A DO41Все характеристики

Минимальная цена 1N4935G при покупке от 1 шт 18.70 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N4935G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N4935G

1N4935G onsemi DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 200В
    • Рейтингный ток: 1А
    • Форма пакета: DO41
  • Плюсы:
    • Высокое номинальное напряжение (200В)
    • Высокий рейтингный ток (1А)
    • Малый размер корпуса (DO41)
    • Стабильная работа при различных температурах
  • Минусы:
    • Высокая цена по сравнению с менее мощными диодами
    • Могут перегреваться при превышении допустимого тока
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
    • Контроль направления тока
    • Обеспечение разрывов тока
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы
    • Системы питания
    • Инверторы
    • Электронные устройства управления
    • Сетевые адаптеры
Выбрано: Показать

Характеристики 1N4935G

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.2 V @ 1 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    200 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 200 V
  • Емкость @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-204AL (DO-41)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C

Техническая документация

 1N4935G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    VSSAF3L45-M3/6ADIODE SCHOTTKY 45V 3A DO221AC
    155Кешбэк 23 балла
    VS-10ETS08-M3Диод: DIODE GEN PURP 800V 10A TO220AC
    448Кешбэк 67 баллов
    VS-15TQ060STRR-M3DIODE SCHOTTKY 60V 15A D2PAK
    258Кешбэк 38 баллов
    1N5397GP-E3/54DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO204AC
    134Кешбэк 20 баллов
    VS-8TQ100STRR-M3DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO263AB
    289Кешбэк 43 балла
    UF4002-E3/54Диод: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
    33.6Кешбэк 5 баллов
    SS2P3-M3/84AДиод: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO220AA
    45Кешбэк 6 баллов
    VS-30WQ04FNTRL-M3Диод: DIODE SCHOTTKY DPAK
    149Кешбэк 22 балла
    VS-1EFH02-M3/IDIODE GEN PURP 200V 1A SMF
    71Кешбэк 10 баллов
    VS-10TQ035S-M3DIODE SCHOTTKY 35V 10A D2PAK
    332Кешбэк 49 баллов
    RGP15B-E3/54DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO204AC
    131Кешбэк 19 баллов
    VFT2045BP-M3/4WДиод: DIODE SCHOTTKY 45V 20A ITO220AC
    226Кешбэк 33 балла
    1N5062GP-E3/54DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC
    86Кешбэк 12 баллов
    RS1GHE3_A/HDIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
    65Кешбэк 9 баллов
    ES1BHE3_A/HDIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
    71Кешбэк 10 баллов
    GP15B-E3/54DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO204AC
    123Кешбэк 18 баллов
    BAS16WS-G3-08Транзистор: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323
    33.6Кешбэк 5 баллов
    SS15-E3/5ATDIODE SCHOTTKY 50V 1A DO214AC
    90Кешбэк 13 баллов
    ES1BHE3_A/IDIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
    78Кешбэк 11 баллов
    VS-3EGU06-M3/5BTDIODE GEN PURP 600V 3A SMB
    131Кешбэк 19 баллов
    BAV20W-E3-18DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123
    30Кешбэк 4 балла
    1N5398GP-E3/54DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AC
    134Кешбэк 20 баллов
    SD101BW-E3-18DIODE SCHOTTKY 400MW 50V SOD123
    39Кешбэк 5 баллов
    RGP10G-E3/54DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
    106Кешбэк 15 баллов
    VS-20L15TS-M3Диод: DIODE SCHOTTKY 15V 20A TO263
    360Кешбэк 54 балла
    VSSA3L6S-M3/61TDIODE SCHOTTKY 60V 2.5A DO214AC
    84Кешбэк 12 баллов
    RS07D-M-08DIODE GP 200V 500MA DO219AB
    52Кешбэк 7 баллов
    VS-MBRD340TR-M3DIODE SCHOTTKY 3A 40V DPAK
    172Кешбэк 25 баллов
    BYM07-300-E3/98DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213
    101Кешбэк 15 баллов
    SD101AWS-G3-18DIODE SCHOTTKY 150MW 60V SOD323
    45Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные триодные тиристоры
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Диоды силовые
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - JFET
    Транзисторные модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП