Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
1N5227B TR PBFREE
  • В избранное
  • В сравнение
1N5227B TR PBFREE

1N5227B TR PBFREE

1N5227B TR PBFREE
;
1N5227B TR PBFREE

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Central Semiconductor Corp
  • Артикул:
    1N5227B TR PBFREE
  • Описание:
    DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35Все характеристики

Минимальная цена 1N5227B TR PBFREE при покупке от 1 шт 87.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5227B TR PBFREE с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5227B TR PBFREE

1N5227B TR PBFREE Central Semiconductor Corp DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35

  • Основные параметры:
    • Тип: Зенероводофон
    • Напряжение зенера: 3.6В
    • Максимальная мощность: 500мВт
    • Форм-фактор: DO35
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность напряжения
    • Устойчивость к колебаниям входного напряжения
    • Малый размер и компактность
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Могут быть чувствительны к перегреву
    • Не предназначены для работы при очень высоких температурах
    • Требуют дополнительной защиты от скачков напряжения
  • Общее назначение:
    • Стабилизация напряжения в электронных схемах
    • Обрезка напряжения до безопасного уровня
    • Защита электронных компонентов от повреждений из-за чрезмерных напряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Аудио и видео equipment
    • Компьютеры и периферия
    • Автомобильные системы
    • Иllumination systems
    • Системы контроля качества
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5227B TR PBFREE

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    3.6 V
  • Допуск
    ±5%
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    24 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    15 µA @ 1 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 200°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-35

Техническая документация

 1N5227B TR PBFREE.pdf
pdf. 0 kb
  • 9246 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    87 ₽
  • 100
    33.6 ₽
  • 1000
    22.4 ₽
  • 5000
    17.6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Central Semiconductor Corp
  • Артикул:
    1N5227B TR PBFREE
  • Описание:
    DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35Все характеристики

Минимальная цена 1N5227B TR PBFREE при покупке от 1 шт 87.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5227B TR PBFREE с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5227B TR PBFREE

1N5227B TR PBFREE Central Semiconductor Corp DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35

  • Основные параметры:
    • Тип: Зенероводофон
    • Напряжение зенера: 3.6В
    • Максимальная мощность: 500мВт
    • Форм-фактор: DO35
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность напряжения
    • Устойчивость к колебаниям входного напряжения
    • Малый размер и компактность
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Могут быть чувствительны к перегреву
    • Не предназначены для работы при очень высоких температурах
    • Требуют дополнительной защиты от скачков напряжения
  • Общее назначение:
    • Стабилизация напряжения в электронных схемах
    • Обрезка напряжения до безопасного уровня
    • Защита электронных компонентов от повреждений из-за чрезмерных напряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Аудио и видео equipment
    • Компьютеры и периферия
    • Автомобильные системы
    • Иllumination systems
    • Системы контроля качества
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5227B TR PBFREE

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    3.6 V
  • Допуск
    ±5%
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    24 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    15 µA @ 1 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 200°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-35

Техническая документация

 1N5227B TR PBFREE.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MM3Z4V7Диод: ZENERDIODE,SOD-323,4.7V,0.3W,5%
    20.4Кешбэк 3 балла
    MM3Z5V6Диод: ZENERDIODE,SOD-323,5.6V,0.3W,5%
    18.5Кешбэк 2 балла
    BZX84B33Диод: Zener, 33V, 0.3W, 2%
    10.4Кешбэк 1 балл
    CZRB5365B-HFДиод: DIODE ZENER 36V 5W DO214AA
    195Кешбэк 29 баллов
    MMSZ5233B_R1_00001Диод: SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIOD
    23Кешбэк 3 балла
    BZX38450-C33-QXBZX38450-C33-Q/SOD323/SOD2
    64Кешбэк 9 баллов
    BZX884-C3V3,315DIODE ZENER 3.3V 250MW DFN1006-2
    39Кешбэк 5 баллов
    SMBJ5356B-TPДиод: DIODE ZENER 19V 5W DO214AA
    113Кешбэк 16 баллов
    BZX55C62-TAPДиод: DIODE ZENER 62V 500MW DO35
    41Кешбэк 6 баллов
    NZX4V7D,133Диод: DIODE ZENER 4.8V 500MW ALF2
    43Кешбэк 6 баллов
    BZX84C5V6LT116Диод: DIODE ZENER 5.6V 250MW SSD3
    37Кешбэк 5 баллов
    MM1Z4735AДиод: ZENERDIODE,SOD-123FL,6.2V,1W,5%
    39Кешбэк 5 баллов
    DDZ9687-7Диод: DIODE ZENER 4.31V 500MW SOD123
    50Кешбэк 7 баллов
    TDZVTR15Диод: DIODE ZENER 15V 500MW TUMD2M
    96Кешбэк 14 баллов
    MM1Z4753AДиод: ZENERDIODE,SOD-123FL,36V,1W,5%
    31.5Кешбэк 4 балла
    BZX84C24-E3-18Диод: DIODE ZENER 24V 300MW SOT23-3
    43Кешбэк 6 баллов
    BZX84C7V5LT116Диод: DIODE ZENER 7.5V 250MW SSD3
    37Кешбэк 5 баллов
    KDZTR10BDIODE ZENER 10.3V 1W PMDU
    109Кешбэк 16 баллов
    BZX84C7V5-7-FДиод: DIODE ZENER 7.5V 300MW SOT23-3
    18.5Кешбэк 2 балла
    BZT585B33T-7Диод: DIODE ZENER 33V 350MW SOD523
    23Кешбэк 3 балла
    DDZ43-7DIODE ZENER 43V 500MW SOD123
    26Кешбэк 3 балла
    PZU4.3B2A,115DIODE ZENER 4.3V 320MW SOD323
    43Кешбэк 6 баллов
    MMSZ5238B-TPДиод: DIODE ZENER 8.7V 500MW SOD123
    29.6Кешбэк 4 балла
    BZX84B33VLFHT116DIODE ZENER 33V 250MW SSD3
    50Кешбэк 7 баллов
    MMSZ5249B-E3-08Диод: DIODE ZENER 19V 500MW SOD123
    50Кешбэк 7 баллов
    BZT52-C6V2-AU_R1_000A1SOD-123, ZENER
    20.4Кешбэк 3 балла
    SZMM3Z13VT1GДиод: DIODE ZENER 13.2V 300MW SOD323
    52Кешбэк 7 баллов
    MMSZ5233BT1DIODE ZENER 6V 500MW SOD123
    14Кешбэк 2 балла
    BZT52-C4V3XДиод: DIODE ZENER 4.3V 350MW SOD123
    33.3Кешбэк 4 балла
    BZX84B5V1-TPДиод: DIODE ZENER 5.1V 350MW SOT23
    44.5Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - JFET
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Принадлежности
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - выпрямители - массивы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды силовые
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП