Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
1N5229B A0G
  • В избранное
  • В сравнение
1N5229B A0G

1N5229B A0G

1N5229B A0G
;
1N5229B A0G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    1N5229B A0G
  • Описание:
    DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35Все характеристики

Минимальная цена 1N5229B A0G при покупке от 1 шт 33.60 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5229B A0G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5229B A0G

1N5229B A0G Taiwan Semiconductor Corporation DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35

  • Основные параметры:
    • Тип: Зенер diод
    • Номинальное напряжение: 4.3В
    • Максимальная мощность: 500мВт
    • Форм-фактор: DO35
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность напряжения при разнообразных условиях работы
    • Устойчивость к перегреву
    • Компактность
  • Минусы:
    • Относительно низкая максимальная мощность (500мВт)
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Стабилизация напряжения
    • Защита от переустановки напряжения
    • Генерирование регулируемых напряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоэлектронные приборы
    • Автомобильные системы
    • Системы питания электроники
    • Датчики и сенсоры
    • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5229B A0G

  • Package
    Tape & Box (TB)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    4.3 V
  • Допуск
    ±5%
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    22 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 1 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    100°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-35
  • Base Product Number
    1N5229

Техническая документация

 1N5229B A0G.pdf
pdf. 0 kb
  • 4868 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    33.6 ₽
  • 100
    13 ₽
  • 1000
    8.2 ₽
  • 5000
    6.2 ₽
  • 15000
    5.2 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    1N5229B A0G
  • Описание:
    DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35Все характеристики

Минимальная цена 1N5229B A0G при покупке от 1 шт 33.60 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5229B A0G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5229B A0G

1N5229B A0G Taiwan Semiconductor Corporation DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35

  • Основные параметры:
    • Тип: Зенер diод
    • Номинальное напряжение: 4.3В
    • Максимальная мощность: 500мВт
    • Форм-фактор: DO35
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность напряжения при разнообразных условиях работы
    • Устойчивость к перегреву
    • Компактность
  • Минусы:
    • Относительно низкая максимальная мощность (500мВт)
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Стабилизация напряжения
    • Защита от переустановки напряжения
    • Генерирование регулируемых напряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоэлектронные приборы
    • Автомобильные системы
    • Системы питания электроники
    • Датчики и сенсоры
    • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5229B A0G

  • Package
    Tape & Box (TB)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    4.3 V
  • Допуск
    ±5%
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    22 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 1 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    100°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-35
  • Base Product Number
    1N5229

Техническая документация

 1N5229B A0G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TZS4683-GS08Диод: DIODE ZENER 3V 500MW SOD80
    32Кешбэк 4 балла
    BZX84C30-HE3-08Диод: DIODE ZENER 30V 300MW SOT23-3
    45Кешбэк 6 баллов
    ZMY51-GS08Диод: DIODE ZENER 51V 1W DO213AB
    174Кешбэк 26 баллов
    1N4750A-TAPДиод: DIODE ZENER 27V 1.3W DO41
    41Кешбэк 6 баллов
    BZX384C8V2-G3-08DIODE ZENER 8.2V 200MW SOD323
    65Кешбэк 9 баллов
    ZMY27-GS18Диод: DIODE ZENER 27V 1W DO213AB
    77Кешбэк 11 баллов
    BZX84C33-E3-08Диод: DIODE ZENER 33V 300MW SOT23-3
    24.3Кешбэк 3 балла
    PLZ10C-G3/HDIODE ZENER 10V 500MW DO219AC
    32Кешбэк 4 балла
    MMSZ5226C-G3-08DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123
    67Кешбэк 10 баллов
    BZG03C36-M3-08Диод: DIODE ZENER 36V 1.25W DO214AC
    39Кешбэк 5 баллов
    MMSZ5252B-G3-08DIODE ZENER 24V 500MW SOD123
    69Кешбэк 10 баллов
    BZT52B5V1-G3-18Диод: DIODE ZENER 5.1V 410MW SOD123
    35.5Кешбэк 5 баллов
    1N5252B-TAPДиод: DIODE ZENER 24V 500MW DO35
    24.3Кешбэк 3 балла
    TZQ5253B-GS08Диод: DIODE ZENER 25V 500MW SOD80
    52Кешбэк 7 баллов
    BZX384C43-E3-08Диод: DIODE ZENER 43V 200MW SOD323
    26Кешбэк 3 балла
    BZT55C24-GS08Диод: DIODE ZENER 24V 500MW SOD80
    24.3Кешбэк 3 балла
    BZX85B5V6-TRДиод: DIODE ZENER 5.6V 1.3W DO41
    37Кешбэк 5 баллов
    MMSZ5250C-HE3-08DIODE ZENER 20V 500MW SOD123
    63Кешбэк 9 баллов
    1N4758A-TAPДиод: DIODE ZENER 56V 1.3W DO41
    41Кешбэк 6 баллов
    ZM4747A-GS08Диод: DIODE ZENER 20V 1W DO213AB
    60Кешбэк 9 баллов
    BZT52B18-HE3-08Диод: DIODE ZENER 18V 410MW SOD123
    60Кешбэк 9 баллов
    BZT52C9V1-E3-08DIODE ZENER 9.1V 410MW SOD123
    30Кешбэк 4 балла
    MMSZ5234B-G3-08Диод: DIODE ZENER 6.2V 500MW SOD123
    32Кешбэк 4 балла
    BZX84C4V7-G3-08DIODE ZENER 4.7V 300MW SOT23-3
    49Кешбэк 7 баллов
    TLZ3V0A-GS08Диод: DIODE ZENER 3V 500MW SOD80
    26Кешбэк 3 балла
    PLZ4V3B-G3/HДиод: DIODE ZENER 4.3V 960MW DO219AC
    30Кешбэк 4 балла
    MMSZ5240C-HE3-08Диод: DIODE ZENER 10V 500MW SOD123
    63Кешбэк 9 баллов
    BZX384B9V1-E3-08DIODE ZENER 9.1V 200MW SOD323
    28Кешбэк 4 балла
    BZT55C47-GS08Диод: DIODE ZENER 47V 500MW SOD80
    24.3Кешбэк 3 балла
    BZM55C51-TRДиод: DIODE ZENER 51V 500MW MICROMELF
    62Кешбэк 9 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы специального назначения
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - ВЧ
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные триодные тиристоры
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Симисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторные модули
    Тиристоры - TRIACs
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды силовые
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Модули драйверов питания
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП