Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
1N5257B-TR
  • В избранное
  • В сравнение
1N5257B-TR

1N5257B-TR

1N5257B-TR
;
1N5257B-TR

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    1N5257B-TR
  • Описание:
    DIODE ZENER 33V 500MW DO35Все характеристики

Минимальная цена 1N5257B-TR при покупке от 1 шт 18.70 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5257B-TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5257B-TR

1N5257B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division DIODE ZENER 33V 500MW DO35

  • Основные параметры:
    • Тип: Зенкеровка (Zener diode)
    • Номинальное напряжение: 33 В
    • Максимальная мощность: 500 мВт
    • Форм-фактор: DO35
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность напряжения при малых токах
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Малый размер и легкость установки
  • Минусы:
    • Высокие потери при работе с напряжениями ниже номинального
    • Не рекомендуется для длительной работы при больших токах
  • Общее назначение:
    • Стабилизация напряжения в электронных схемах
    • Защита от переуровня напряжения
    • Контроль напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и другие портативные устройства
    • Автомобили
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления энергопотреблением
    • Видеонаблюдение и другие системы безопасности
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5257B-TR

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    33 V
  • Допуск
    ±5%
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    58 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 nA @ 25 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 175°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-35 (DO-204AH)
  • Base Product Number
    1N5257

Техническая документация

 1N5257B-TR.pdf
pdf. 0 kb
  • 37686 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    18.7 ₽
  • 10
    6.3 ₽
  • 10000
    4.3 ₽
  • 30000
    4.1 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    1N5257B-TR
  • Описание:
    DIODE ZENER 33V 500MW DO35Все характеристики

Минимальная цена 1N5257B-TR при покупке от 1 шт 18.70 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5257B-TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5257B-TR

1N5257B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division DIODE ZENER 33V 500MW DO35

  • Основные параметры:
    • Тип: Зенкеровка (Zener diode)
    • Номинальное напряжение: 33 В
    • Максимальная мощность: 500 мВт
    • Форм-фактор: DO35
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность напряжения при малых токах
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Малый размер и легкость установки
  • Минусы:
    • Высокие потери при работе с напряжениями ниже номинального
    • Не рекомендуется для длительной работы при больших токах
  • Общее назначение:
    • Стабилизация напряжения в электронных схемах
    • Защита от переуровня напряжения
    • Контроль напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и другие портативные устройства
    • Автомобили
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления энергопотреблением
    • Видеонаблюдение и другие системы безопасности
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5257B-TR

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    33 V
  • Допуск
    ±5%
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    58 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 nA @ 25 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 175°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-35 (DO-204AH)
  • Base Product Number
    1N5257

Техническая документация

 1N5257B-TR.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    1N5257B-TRDIODE ZENER 33V 500MW DO35
    18.7Кешбэк 2 балла
    TZX13C-TRДиод: DIODE ZENER 13V 500MW DO35
    18.7Кешбэк 2 балла
    TZX9V1A-TRДиод: DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35
    26Кешбэк 3 балла
    BZX55B2V4-TRДиод: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35
    18.7Кешбэк 2 балла
    BZD27C3V6P-M3-08Диод: DIODE ZENER 3.6V 800MW DO219AB
    58Кешбэк 8 баллов
    BZD27B82P-M3-08DIODE ZENER 82V 800MW DO219AB
    24.3Кешбэк 3 балла
    TZX2V7B-TRДиод: DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35
    26Кешбэк 3 балла
    BZX55B5V6-TAPДиод: DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35
    18.7Кешбэк 2 балла
    BZX85B56-TRДиод: DIODE ZENER 56V 1.3W DO41
    43Кешбэк 6 баллов
    BZX85B33-TRДиод: DIODE ZENER 33V 1.3W DO41
    62Кешбэк 9 баллов
    TZX12D-TAPДиод: DIODE ZENER 12V 500MW DO35
    24.3Кешбэк 3 балла
    1N5257B-TAPДиод: DIODE ZENER 33V 500MW DO35
    20.5Кешбэк 3 балла
    BZX55B10-TRДиод: DIODE ZENER 10V 500MW DO35
    18.7Кешбэк 2 балла
    BZD27C4V7P-M3-08DIODE ZENER 4.7V 800MW DO219AB
    58Кешбэк 8 баллов
    BZX55B2V7-TRДиод: DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35
    24.3Кешбэк 3 балла
    1N5239B-TRДиод: DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35
    20.5Кешбэк 3 балла
    SML4741A-E3/61Диод: DIODE ZENER 11V 1W DO214AC
    56Кешбэк 8 баллов
    MMSZ5254B-E3-18DIODE ZENER 27V 500MW SOD123
    39Кешбэк 5 баллов
    MMSZ5235B-G3-08Диод: DIODE ZENER 6.8V 500MW SOD123
    32Кешбэк 4 балла
    1N5235B-TRДиод: DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35
    18.7Кешбэк 2 балла
    TZX27C-TRДиод: DIODE ZENER 27V 500MW DO35
    26Кешбэк 3 балла
    TZX15C-TRДиод: DIODE ZENER 15V 500MW DO35
    18.7Кешбэк 2 балла
    BZX55B11-TAPДиод: DIODE ZENER 11V 500MW DO35
    24.3Кешбэк 3 балла
    BZX55B11-TRДиод: DIODE ZENER 11V 500MW DO35
    24.3Кешбэк 3 балла
    BZX55B15-TRДиод: DIODE ZENER 15V 500MW DO35
    18.7Кешбэк 2 балла
    1N5245B-TAPДиод: DIODE ZENER 15V 500MW DO35
    24.3Кешбэк 3 балла
    BZX84C3V0-E3-08Диод: DIODE ZENER 3V 300MW SOT23-3
    28Кешбэк 4 балла
    TZX15B-TAPДиод: DIODE ZENER 15V 500MW DO35
    52Кешбэк 7 баллов
    MMSZ5230C-E3-08DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD123
    18.7Кешбэк 2 балла
    1N5240B-TRДиод: DIODE ZENER 10V 500MW DO35
    18.7Кешбэк 2 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы специального назначения
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторные модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы - Модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Симисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды силовые
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные триодные тиристоры
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - TRIACs
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диодные мосты - Модули
    Диодные мосты
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП