Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
1N5397G
  • В избранное
  • В сравнение
1N5397G

1N5397G

1N5397G
;
1N5397G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    1N5397G
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO204ACВсе характеристики

Минимальная цена 1N5397G при покупке от 1 шт 57.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5397G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5397G

1N5397G Taiwan Semiconductor Corporation DIODE GEN PURP 600В 1.5А DO204AC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 600В
    • Номинальный ток прямого тока: 1.5А
    • Тип: Общего назначения (GEN PURP)
    • Форм-фактор: DO204AC
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Стабильная работа при различных температурных условиях
    • Малый размер и легкий вес
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Ограниченная мощность
    • Не подходит для высокоточных приложений
  • Общее назначение: Используется для защиты электронных схем от обратного напряжения и для ограничения тока.
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Электропитание устройств
    • Инверторы
    • Переключатели
    • Приводы двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5397G

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1.5A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 1.5 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 600 V
  • Емкость @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AC, DO-15, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-204AC (DO-15)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    1N5397

Техническая документация

 1N5397G.pdf
pdf. 0 kb
  • 6870 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    57 ₽
  • 100
    21.7 ₽
  • 1000
    14.2 ₽
  • 7000
    10.4 ₽
  • 17500
    9.2 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    1N5397G
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO204ACВсе характеристики

Минимальная цена 1N5397G при покупке от 1 шт 57.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5397G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5397G

1N5397G Taiwan Semiconductor Corporation DIODE GEN PURP 600В 1.5А DO204AC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 600В
    • Номинальный ток прямого тока: 1.5А
    • Тип: Общего назначения (GEN PURP)
    • Форм-фактор: DO204AC
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Стабильная работа при различных температурных условиях
    • Малый размер и легкий вес
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Ограниченная мощность
    • Не подходит для высокоточных приложений
  • Общее назначение: Используется для защиты электронных схем от обратного напряжения и для ограничения тока.
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Электропитание устройств
    • Инверторы
    • Переключатели
    • Приводы двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5397G

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1.5A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 1.5 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 600 V
  • Емкость @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AC, DO-15, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-204AC (DO-15)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    1N5397

Техническая документация

 1N5397G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RB055LAM-60TRDIODE SCHOTTKY 60V 3A PMDTM
    74Кешбэк 11 баллов
    RBR1VWM40ATFTRLOW VF, 40V, 1A, SCHOTTKY BARRIE
    121Кешбэк 18 баллов
    RR1LAM6STFTRRECTIFYING DIODE (AEC-Q101 QUALI
    125Кешбэк 18 баллов
    RB068LAM-30TFTRДиод: AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    86Кешбэк 12 баллов
    RBR1VWM60ATRLOW VF, 60V, 1A, SCHOTTKY BARRIE
    116Кешбэк 17 баллов
    BAS116HYT116LOW-LEAKAGE, 80V, 215MA, SOT-23,
    59Кешбэк 8 баллов
    RB520VM-40FHTE-17Диод: RB520VM-40FH IS LOW V F
    40.5Кешбэк 6 баллов
    RFC02MM2STFTRДиод: RFC02MM2STF IS THE HIGH RELIABIL
    335Кешбэк 50 баллов
    RB501SM-30FHT2RДиод: SCHOTTKY BARRIER DIODES
    31Кешбэк 4 балла
    RF305BM6SFHTLДиод: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q
    210Кешбэк 31 балл
    RB058LAM150TFTRAUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    118Кешбэк 17 баллов
    RB168VWM-30TFTRДиод: 30V, 1A, SINGLE, PMDE, ULTRA LOW
    114Кешбэк 17 баллов
    RSX071VAM30TRSUPER FAST RECOVERY DIODE
    53Кешбэк 7 баллов
    RB050LAM-40TFTRДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 3A PMDTM
    147Кешбэк 22 балла
    RB068VWM100TFTR100V, 2A, SINGLE, PMDE, ULTRA LO
    116Кешбэк 17 баллов
    RSX201LAM30TRDIODE SCHOTTKY 30V 2A SOD128
    79Кешбэк 11 баллов
    RR2LAM4STFTRDIODE GEN PURP 400V 2A PMDTM
    118Кешбэк 17 баллов
    RFN10BM3SFHTLДиод: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE
    267Кешбэк 40 баллов
    RB168LAM150TFTRAUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    114Кешбэк 17 баллов
    BAS21VMFHTE-17Диод: BAS21VMFH IS THE HIGH RELIABILIT
    37Кешбэк 5 баллов
    RFN5BM3SFHTLSUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q
    285Кешбэк 42 балла
    RF301BM2SFHTLSUPER FAST RECOVERY DIODES
    167Кешбэк 25 баллов
    RR2LAM4STRDIODE GEN PURP 400V 2A PMDTM
    61Кешбэк 9 баллов
    RB162MM-40TFTRДиод: RB162MM-40TF IS THE HIGH RELIABI
    70Кешбэк 10 баллов
    RB400VYM-50FHTRДиод: SCHOTTKY BARRIER DIODE (AEC-Q101
    81Кешбэк 12 баллов
    RB400VAM-50TRДиод: DIODE SCHOTTKY 50V 500MA TUMD2M
    94Кешбэк 14 баллов
    RBR1VWM60ATFTRLOW VF, 60V, 1A, SCHOTTKY BARRIE
    123Кешбэк 18 баллов
    RFN1LAM7STFTRДиод: AUTOMOTIVE FAST RECOVERY DIODE (
    112Кешбэк 16 баллов
    RR1VWM6STRRR1VWM6S IS RECTIFYING DIODE FOR
    70Кешбэк 10 баллов
    RB168VWM-60TR60V, 1A, SINGLE, PMDE, ULTRA LOW
    99Кешбэк 14 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    IGBT транзисторы
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды силовые
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диодные мосты
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - SCR
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП