Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
1N5407-T
  • В избранное
  • В сравнение
1N5407-T

1N5407-T

1N5407-T
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    1N5407-T
  • Описание:
    Диод: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201ADВсе характеристики

Минимальная цена 1N5407-T при покупке от 1 шт 79.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5407-T с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5407-T

1N5407-T Diodes Incorporated Диод: DIODE GEN PURP 800В 3А DO201AD

  • Основные параметры:
    • Рабочее напряжение: 800В
    • Ток прямого тока: 3А
    • Форма корпуса: DO201AD
  • Плюсы:
    • Высокое рабочее напряжение
    • Высокая способность к переносу тепла
    • Надежность и стабильность работы
    • Малый размер корпуса
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее мощными диодами
    • Не рекомендуется для частых высокочастотных переключений
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного напряжения
    • Переключение высоковольтных сигналов
    • Применение в блоках питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобили и транспортные средства
    • Электронные блоки питания
    • Инверторы и преобразователи
    • Системы управления электропитанием
    • Радиоэлектронное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5407-T

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    3A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 3 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 800 V
  • Емкость @ Vr, F
    25pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-201AD, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-201AD
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    1N5407

Техническая документация

 1N5407-T.pdf
pdf. 0 kb
  • 1 шт
    в наличии
  • Количество
    Цена
  • 1
    79 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    1N5407-T
  • Описание:
    Диод: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201ADВсе характеристики

Минимальная цена 1N5407-T при покупке от 1 шт 79.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5407-T с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5407-T

1N5407-T Diodes Incorporated Диод: DIODE GEN PURP 800В 3А DO201AD

  • Основные параметры:
    • Рабочее напряжение: 800В
    • Ток прямого тока: 3А
    • Форма корпуса: DO201AD
  • Плюсы:
    • Высокое рабочее напряжение
    • Высокая способность к переносу тепла
    • Надежность и стабильность работы
    • Малый размер корпуса
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее мощными диодами
    • Не рекомендуется для частых высокочастотных переключений
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного напряжения
    • Переключение высоковольтных сигналов
    • Применение в блоках питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобили и транспортные средства
    • Электронные блоки питания
    • Инверторы и преобразователи
    • Системы управления электропитанием
    • Радиоэлектронное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5407-T

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    3A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 3 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 800 V
  • Емкость @ Vr, F
    25pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-201AD, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-201AD
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    1N5407

Техническая документация

 1N5407-T.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MBR1035GDIODE SCHOTTKY 35V 10A TO220-2
    88Кешбэк 13 баллов
    SBAS40LT3GDIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3
    33.6Кешбэк 5 баллов
    MBR140ESFT1GDIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123FL
    90Кешбэк 13 баллов
    NRVA4004T3GDIODE GEN PURP 400V 1A SMA
    26Кешбэк 3 балла
    NSVRB751V40T1GДиод: DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SOD323
    32Кешбэк 4 балла
    NSVBAS21M3T5GDIODE GEN PURP 250V 200MA SOT723
    32Кешбэк 4 балла
    NSR05F40QNXT5GDIODE SCHOTTKY 40V 500MA 2DSN
    28Кешбэк 4 балла
    SMMBD301LT3GDIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3
    41Кешбэк 6 баллов
    1N4933RLGDIODE GEN PURP 50V 1A DO41
    41Кешбэк 6 баллов
    SS39Диод: DIODE SCHOTTKY 90V 3A SMC
    162Кешбэк 24 балла
    SMMDL6050T1GДиод: DIODE GEN PURP 70V 200MA SOD323
    30Кешбэк 4 балла
    SB05-05C-TB-EDIODE SCHOTTKY 50V 500MA 3CP
    84Кешбэк 12 баллов
    NRVHPM120T3GDIODE GEN PURP 200V 1A POWERMITE
    33.6Кешбэк 5 баллов
    MBR1045GДиод: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO220-2
    151Кешбэк 22 балла
    1N4934GДиод: DIODE GEN PURP 100V 1A DO41
    20.5Кешбэк 3 балла
    MUR415GDIODE GEN PURP 150V 4A DO201AD
    90Кешбэк 13 баллов
    1N4935GDIODE GEN PURP 200V 1A DO41
    18.7Кешбэк 2 балла
    MUR120GDIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
    39Кешбэк 5 баллов
    NRVHP120SFT3GDIODE GEN PURP 200V 1A SOD123FL
    39Кешбэк 5 баллов
    FDLL914BDIODE GEN PURP 100V 200MA SOD80
    18.7Кешбэк 2 балла
    NRVTSM245ET3GДиод: DIODE SCHOT 45V 2.2A POWERMITE
    131Кешбэк 19 баллов
    DSA17GDIODE GEN PURP 600V 1.7A AXIAL
    71Кешбэк 10 баллов
    SSA36DIODE SCHOTTKY 3A 60V SMA
    93Кешбэк 13 баллов
    NSR01L30P2T5GDIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOD923
    56Кешбэк 8 баллов
    SBRS8340T3GDIODE SCHOTTKY 40V 3A SMC
    179Кешбэк 26 баллов
    SB007-03C-TB-EDIODE SCHOTTKY 30V 70MA 3CP
    50Кешбэк 7 баллов
    1N5817GДиод: DIODE SCHOTTKY 20V 1A AXIAL
    78Кешбэк 11 баллов
    BAS16M3T5GDIODE GEN PURP 100V 200MA SOT723
    50Кешбэк 7 баллов
    NSVBAS21HT3GДиод: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
    18.7Кешбэк 2 балла
    BAS116TT1GDIODE GEN PURP 75V 200MA SC75
    18.7Кешбэк 2 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторные модули
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы специального назначения
    Тиристоры - SCR - модули
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные триодные тиристоры
    Модули драйверов питания
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - SCR
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП