Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
1N5408G-T
  • В избранное
  • В сравнение
1N5408G-T

1N5408G-T

1N5408G-T
;
1N5408G-T

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    1N5408G-T
  • Описание:
    Диод: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201ADВсе характеристики

Минимальная цена 1N5408G-T при покупке от 1 шт 49.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5408G-T с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5408G-T

1N5408G-T DIODES INCORPORATED Диод: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

  • Основные параметры:
    • Рабочее напряжение: 1 кВ
    • Предел тока прямого тока: 3 А
    • Тип: Общего назначения
    • Номинальный диод DO201AD
  • Плюсы:
    • Высокое рабочее напряжение (1 кВ)
    • Высокий предел тока (3 А)
    • Способен выдерживать значительные импульсные нагрузки
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Невысокая скорость восстановления (для полупроводниковых диодов)
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
    • Контроль направления тока в цепях
    • Фильтрация импульсных помех
    • Обнаружение полярности источника питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления двигателей
    • Инверторы и преобразователи напряжения
    • Цифровые приборы и устройства
    • Электроприборы
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5408G-T

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1000 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    3A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 3 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    2 µs
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 1000 V
  • Емкость @ Vr, F
    40pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-201AD, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-201AD
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    1N5408

Техническая документация

 1N5408G-T.pdf
pdf. 0 kb
  • 1155 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    49 ₽
  • 250
    30.7 ₽
  • 1000
    19.7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    1N5408G-T
  • Описание:
    Диод: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201ADВсе характеристики

Минимальная цена 1N5408G-T при покупке от 1 шт 49.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5408G-T с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5408G-T

1N5408G-T DIODES INCORPORATED Диод: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

  • Основные параметры:
    • Рабочее напряжение: 1 кВ
    • Предел тока прямого тока: 3 А
    • Тип: Общего назначения
    • Номинальный диод DO201AD
  • Плюсы:
    • Высокое рабочее напряжение (1 кВ)
    • Высокий предел тока (3 А)
    • Способен выдерживать значительные импульсные нагрузки
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Невысокая скорость восстановления (для полупроводниковых диодов)
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
    • Контроль направления тока в цепях
    • Фильтрация импульсных помех
    • Обнаружение полярности источника питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления двигателей
    • Инверторы и преобразователи напряжения
    • Цифровые приборы и устройства
    • Электроприборы
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5408G-T

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1000 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    3A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 3 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    2 µs
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 1000 V
  • Емкость @ Vr, F
    40pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-201AD, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-201AD
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    1N5408

Техническая документация

 1N5408G-T.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SD101AW-E3-18DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123
    39Кешбэк 5 баллов
    B340-13-FДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMC
    55Кешбэк 8 баллов
    S1M-M3/5ATДиод: DIODE GPP 1A 1000V DO-214AC
    58Кешбэк 8 баллов
    BAS19-HE3-08DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23
    43Кешбэк 6 баллов
    LL4448-GS18Диод: DIODE GEN PURP 75V 300MA SOD80
    18.6Кешбэк 2 балла
    B1100-13-FДиод: DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMA
    47Кешбэк 7 баллов
    RB521S-30-TPDIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523
    45Кешбэк 6 баллов
    CDBC560-GDIODE SCHOTTKY 60V 5A DO214AB
    52Кешбэк 7 баллов
    PMLL4153,115Диод: DIODE GEN PURP 50V 200MA LLDS
    39Кешбэк 5 баллов
    1N5060TAPДиод: DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57
    126Кешбэк 18 баллов
    1N5394-E3/54DIODE GEN PURP 300V 1.5A DO204AL
    41Кешбэк 6 баллов
    1N4004-E3/73Диод: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
    46.5Кешбэк 6 баллов
    BYW56-TRDIODE AVALANCHE 1000V 2A SOD57
    59Кешбэк 8 баллов
    1N5400GДиод: RECTIFIER DIODE, 3A, 50V
    52Кешбэк 7 баллов
    RGP10ADIODE GEN PURP 50V 1A DO41
    18.6Кешбэк 2 балла
    ES2J-LTPДиод: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC
    46.5Кешбэк 6 баллов
    MUR480EGDIODE GEN PURP 800V 4A AXIAL
    99Кешбэк 14 баллов
    GL41Y-E3/96Диод: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
    99Кешбэк 14 баллов
    RS07G-M-08DIODE GP 400V 500MA DO219AB
    59Кешбэк 8 баллов
    FERD30SM100DJFTRDIODE RECT 100V 30A POWERFLAT
    312Кешбэк 46 баллов
    BAS16,215Диод: DIODE GP 100V 215MA TO236AB
    22.3Кешбэк 3 балла
    SF5408-TRДиод: DIODE AVALANCHE 1000V 3A SOD64
    171Кешбэк 25 баллов
    RGP10G-E3/73DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
    128Кешбэк 19 баллов
    MURA210T3GDIODE GEN PURP 100V 2A SMA
    63Кешбэк 9 баллов
    BYT51G-TRDIODE AVALANCHE 400V 1.5A SOD57
    126Кешбэк 18 баллов
    SL44-E3/57TДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 4A DO214AB
    100Кешбэк 15 баллов
    STPS120MДиод: DIODE SCHOTTKY 20V 1A STMITE
    84Кешбэк 12 баллов
    MSE07PB-M3/89ADIODE GP 100V 700MA MICROSMP
    33.5Кешбэк 5 баллов
    B140BQ-13-FДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMB
    41Кешбэк 6 баллов
    NSR0230P2T5GDIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD923
    46.5Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы
    Транзисторы - Специального назначения
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды силовые
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Триодные тиристоры - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП