Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
1N5554
  • В избранное
  • В сравнение
1N5554

1N5554

1N5554
;
1N5554

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    1N5554
  • Описание:
    RECT 3AMP 1K V G4Все характеристики

Минимальная цена 1N5554 при покупке от 1 шт 1577.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5554 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5554

1N5554 Microchip Technology RECT 3AMP 1K V G4

  • Основные параметры:
    • Тип: ШИП (шариковый индуктивный диод)
    • Максимальный обратный напряжение: 1 кВ
    • Максимальный ток прямого тока: 3 Ампера
    • Генерация: G4 (технология производства)
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Долгий срок службы
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Низкий дроссельный сопротивление
  • Минусы:
    • Высокая цена по сравнению с обычными диодами
    • Размеры диода могут быть больше, чем у других типов
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
    • Преобразование переменного тока в постоянный
    • Фильтрация электрических сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Периферийное оборудование
    • Игровые консоли
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5554

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1000 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    5A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 3 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    2 µs
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    1 µA @ 1000 V
  • Емкость @ Vr, F
    92pF @ 5V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    Axial
  • Исполнение корпуса
    Axial
  • Base Product Number
    1N5554

Техническая документация

 1N5554.pdf
pdf. 0 kb
  • 1097 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 577 ₽
  • 100
    1 464 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    1N5554
  • Описание:
    RECT 3AMP 1K V G4Все характеристики

Минимальная цена 1N5554 при покупке от 1 шт 1577.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5554 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5554

1N5554 Microchip Technology RECT 3AMP 1K V G4

  • Основные параметры:
    • Тип: ШИП (шариковый индуктивный диод)
    • Максимальный обратный напряжение: 1 кВ
    • Максимальный ток прямого тока: 3 Ампера
    • Генерация: G4 (технология производства)
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Долгий срок службы
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Низкий дроссельный сопротивление
  • Минусы:
    • Высокая цена по сравнению с обычными диодами
    • Размеры диода могут быть больше, чем у других типов
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
    • Преобразование переменного тока в постоянный
    • Фильтрация электрических сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Периферийное оборудование
    • Игровые консоли
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5554

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1000 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    5A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 3 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    2 µs
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    1 µA @ 1000 V
  • Емкость @ Vr, F
    92pF @ 5V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    Axial
  • Исполнение корпуса
    Axial
  • Base Product Number
    1N5554

Техническая документация

 1N5554.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SS24HE3_A/IДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AA
    111Кешбэк 16 баллов
    BYX10GP-E3/54DIODE GEN PURP 1.6KV 360MA DO204
    113Кешбэк 16 баллов
    1N4005GP-E3/73Диод: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
    113Кешбэк 16 баллов
    SB540A-E3/73DIODE SCHOTTKY 40V 5A DO201AD
    113Кешбэк 16 баллов
    SB3H90-E3/54DIODE SCHOTTKY 90V 3A DO201AD
    113Кешбэк 16 баллов
    SBYV27-200-E3/54Диод: DIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC
    113Кешбэк 16 баллов
    BYG22D-M3/TRDIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
    113Кешбэк 16 баллов
    SB530-E3/54DIODE SCHOTTKY 30V 5A DO201AD
    113Кешбэк 16 баллов
    BYM13-50-E3/96DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO213AB
    113Кешбэк 16 баллов
    ES3DHE3_A/HDIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
    113Кешбэк 16 баллов
    SB360-E3/73DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO201AD
    113Кешбэк 16 баллов
    S5BHE3_A/HДиод: DIODE GEN PURP 100V 5A DO214AB
    113Кешбэк 16 баллов
    SS8P3L-M3/86ADIODE SCHOTTKY 30V 8A TO277A
    113Кешбэк 16 баллов
    SS26HE3_A/HДиод: DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO214AA
    113Кешбэк 16 баллов
    VBT3080S-E3/8WДиод: DIODE SCHOTTKY 30A 80V TO-263AB
    113Кешбэк 16 баллов
    GL41GHE3/96DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
    113Кешбэк 16 баллов
    1N4003GP-E3/54DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
    115Кешбэк 17 баллов
    V3PAL45HM3_A/IDIODE SCHOTTKY 45V 3A SMPA
    115Кешбэк 17 баллов
    AU1PD-M3/85ADIODE AVALANCHE 200V 1A DO220AA
    115Кешбэк 17 баллов
    AU1PJHM3/84ADIODE AVALANCHE 600V 1A DO220AA
    115Кешбэк 17 баллов
    AU1PK-M3/84ADIODE AVALANCHE 800V 1A DO220AA
    115Кешбэк 17 баллов
    1N4003GP-E3/73DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
    115Кешбэк 17 баллов
    1N4942GP-E3/54DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
    115Кешбэк 17 баллов
    RGF1B-E3/67ADIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
    115Кешбэк 17 баллов
    ES2BHE3_A/HDIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
    115Кешбэк 17 баллов
    RS3K-E3/57TДиод: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
    115Кешбэк 17 баллов
    ES3G-E3/57TДиод: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
    115Кешбэк 17 баллов
    S5MHE3_A/IDIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB
    117Кешбэк 17 баллов
    AS3PG-M3/86ADIODE AVALANCHE 400V 2.1A TO277A
    117Кешбэк 17 баллов
    SS33-E3/9ATДиод: DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AB
    117Кешбэк 17 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Принадлежности
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды силовые
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП