Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
1N5809US

1N5809US

1N5809US
;
1N5809US

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена 1N5809US при покупке от 1 шт 1490.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5809US с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5809US

1N5809US Microchip Technology DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение срабатывания: 100В
    • Ток непрерывной тока: 3А
    • Форма пакетика: B-MELF
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение срабатывания (100В)
    • Высокий ток непрерывной тока (3А)
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Малый размер пакетика для эффективного использования пространства
  • Минусы:
    • Точная мощность может быть ограничена при длительной эксплуатации
    • Могут быть ограничены условия работы при высоких температурах
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного тока в электронных устройствах
    • Распределение напряжений в различных схемах
    • Обеспечение стабильности напряжения в цепях
  • Применение в устройствах:
    • Передатчики и приемники радиосигналов
    • Компьютеры и ноутбуки
    • Системы питания
    • Автомобильные системы
    • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5809US

Техническая документация

1N5809US.pdf
pdf. 0 kb
  • 364 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 490 ₽
  • 100
    1 382 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена 1N5809US при покупке от 1 шт 1490.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5809US с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5809US

1N5809US Microchip Technology DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение срабатывания: 100В
    • Ток непрерывной тока: 3А
    • Форма пакетика: B-MELF
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение срабатывания (100В)
    • Высокий ток непрерывной тока (3А)
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Малый размер пакетика для эффективного использования пространства
  • Минусы:
    • Точная мощность может быть ограничена при длительной эксплуатации
    • Могут быть ограничены условия работы при высоких температурах
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного тока в электронных устройствах
    • Распределение напряжений в различных схемах
    • Обеспечение стабильности напряжения в цепях
  • Применение в устройствах:
    • Передатчики и приемники радиосигналов
    • Компьютеры и ноутбуки
    • Системы питания
    • Автомобильные системы
    • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5809US

Техническая документация

1N5809US.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории