Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
1N5816R
  • В избранное
  • В сравнение
1N5816R

1N5816R

1N5816R
;
1N5816R

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    New Jersey Semiconductor (NJS)
  • Артикул:
    1N5816R
  • Описание:
    DO4 20 AMP RECTIFIERВсе характеристики

Минимальная цена 1N5816R при покупке от 1 шт 3550.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5816R с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5816R

1N5816R New Jersey Semiconductor (NJS) DO4 20 AMP RECTIFIER

  • Основные параметры:
    • Максимальный ток прямого тока: 20 Ампер
    • Тип: полупроводниковый диод
    • Материал: силикагель
    • Классification: DO4
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность до 20 Ампер
    • Долговечность и надежность
    • Малые размеры
    • Устойчивость к перенапряжениям
  • Минусы:
    • Могут быть чувствительны к скачкам напряжения
    • Не подходят для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Преобразование переменного тока в постоянный
    • Защита электронных устройств от обратного тока
    • Фильтрация электрических помех
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Инверторы и преобразователи
    • Электропитание и регуляторы напряжения
    • Системы управления двигателем
    • Электронные устройства с высокими потребностями в токе
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5816R

  • Package
    Bulk
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    150 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    20A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    950 mV @ 20 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    35 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 150 V
  • Емкость @ Vr, F
    300pF @ 10V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Stud Mount
  • Корпус
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Исполнение корпуса
    DO-203AA (DO-4)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    1N5816

Техническая документация

 1N5816R.pdf
pdf. 0 kb
  • 350 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    3 550 ₽
  • 4
    2 662 ₽
  • 18
    2 396 ₽
  • 40
    2 219 ₽
  • 85
    2 130 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    New Jersey Semiconductor (NJS)
  • Артикул:
    1N5816R
  • Описание:
    DO4 20 AMP RECTIFIERВсе характеристики

Минимальная цена 1N5816R при покупке от 1 шт 3550.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5816R с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5816R

1N5816R New Jersey Semiconductor (NJS) DO4 20 AMP RECTIFIER

  • Основные параметры:
    • Максимальный ток прямого тока: 20 Ампер
    • Тип: полупроводниковый диод
    • Материал: силикагель
    • Классification: DO4
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность до 20 Ампер
    • Долговечность и надежность
    • Малые размеры
    • Устойчивость к перенапряжениям
  • Минусы:
    • Могут быть чувствительны к скачкам напряжения
    • Не подходят для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Преобразование переменного тока в постоянный
    • Защита электронных устройств от обратного тока
    • Фильтрация электрических помех
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Инверторы и преобразователи
    • Электропитание и регуляторы напряжения
    • Системы управления двигателем
    • Электронные устройства с высокими потребностями в токе
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5816R

  • Package
    Bulk
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    150 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    20A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    950 mV @ 20 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    35 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 150 V
  • Емкость @ Vr, F
    300pF @ 10V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Stud Mount
  • Корпус
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Исполнение корпуса
    DO-203AA (DO-4)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    1N5816

Техническая документация

 1N5816R.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    CMMR1-06 TR PBFREEDIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F
    69Кешбэк 10 баллов
    CMDD6263 TR PBFREEDIODE SCHOTTKY 70V 15MA SOD323
    217Кешбэк 32 балла
    GS1Z-LTPDIODE GEN PURP 2KV 1A DO214AC
    46Кешбэк 6 баллов
    RB521S-30L2-TPDIODE SCHOTTKY 30V 100MA 2TDFN
    35Кешбэк 5 баллов
    S10ML-TPDIODE GEN PURP 1KV 10A DO214AB
    156Кешбэк 23 балла
    SS24HE3-LTPДиод: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 40V
    74Кешбэк 11 баллов
    SK3200AFL-TP3ASCHOTTKY BARRIERSMAF/DO-221AC
    67Кешбэк 10 баллов
    SL54AFL-TP5ASCHOTTKYRECTIFIERDO-221AC
    102Кешбэк 15 баллов
    R4000GPS-TP200MASTANDARD RECOVER RECTIFIERD
    137Кешбэк 20 баллов
    FR157GP-TPDIODE GPP FAST 1.5A DO-15
    65Кешбэк 9 баллов
    SK520B-LTPDIODE SCHOTTKY 200V 5A DO214AA
    87Кешбэк 13 баллов
    ES1G-LTPDIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
    43Кешбэк 6 баллов
    GS1Y-LTPDIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO214AC
    69Кешбэк 10 баллов
    BAS19HE3-TPDIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23
    33.3Кешбэк 4 балла
    MURSB1560-TP15A/600V FRED RECTIFIERS,DPAK PA
    319Кешбэк 47 баллов
    B5817WSHE3-TPSCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 20V
    67Кешбэк 10 баллов
    B5818LWS-TPDIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD323
    39Кешбэк 5 баллов
    US1Q-TP1AULTRAFASTRECOVERRECTIFIERSMA
    107Кешбэк 16 баллов
    BAT750-TPДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 750MA SOT23
    61Кешбэк 9 баллов
    EM513GP-TPDIODE GP 1A DO-41
    82Кешбэк 12 баллов
    RB520S-30L2-TPDIODE SCHOTTKY 30V 100MA 2TDFN
    39Кешбэк 5 баллов
    UFM17PL-TPDIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123FL
    85Кешбэк 12 баллов
    B0530WSHE3-TPDIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD323
    56Кешбэк 8 баллов
    SS12-LTPDIODE SCHOTTKY 20V 1A DO214AC
    56Кешбэк 8 баллов
    B5817W-TPDIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123
    61Кешбэк 9 баллов
    1N4937GP-TPDIODE GPP FAST 1A DO-41
    50Кешбэк 7 баллов
    SL36A-TP3ASCHOTTKYRECTIFIERSSMA
    96Кешбэк 14 баллов
    SL16PL-TPDIODE SCHOTTKY 1A 60V SOD-123FL
    48Кешбэк 7 баллов
    MURS1560FA-BP15A/600V FRED RECTIFIERS,ITO-220
    254Кешбэк 38 баллов
    FR1M-LTP1A,1000V,FAST RECOVERY RECTIFIER
    48Кешбэк 7 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Принадлежности
    Диоды - мостовые выпрямители
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    IGBT транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды силовые
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП