Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
1N645
  • В избранное
  • В сравнение
1N645

1N645

1N645
;
1N645

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    1N645
  • Описание:
    D-SI 225V .4AВсе характеристики

Минимальная цена 1N645 при покупке от 1 шт 174.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N645 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N645

1N645 Microchip Technology D-SI 225V .4A

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 225В
    • Рейтингный ток: 0.4А
    • Тип: диод
    • Марка: 1N645
    • Производитель: Microchip Technology
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность при работе в широком диапазоне температур
    • Долгий срок службы
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перенапряжениям
  • Минусы:
    • Малый ток пропускания может ограничить использование в некоторых приложениях
    • Затраты на производство могут быть выше по сравнению с более простыми диодами
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от перенапряжений
    • Конвертация постоянного тока в переменный
    • Согласование уровней напряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленные контроллеры и системы управления
    • Периферийное оборудование для ПК
    • Сетевые адаптеры и преобразователи питания
Выбрано: Показать

Характеристики 1N645

  • Package
    Bulk
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    225 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    400mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 400 mA
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    200 nA @ 225 V
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-35
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 175°C

Техническая документация

 1N645.pdf
pdf. 0 kb
  • 1954 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    174 ₽
  • 100
    161 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    1N645
  • Описание:
    D-SI 225V .4AВсе характеристики

Минимальная цена 1N645 при покупке от 1 шт 174.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N645 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N645

1N645 Microchip Technology D-SI 225V .4A

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 225В
    • Рейтингный ток: 0.4А
    • Тип: диод
    • Марка: 1N645
    • Производитель: Microchip Technology
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность при работе в широком диапазоне температур
    • Долгий срок службы
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перенапряжениям
  • Минусы:
    • Малый ток пропускания может ограничить использование в некоторых приложениях
    • Затраты на производство могут быть выше по сравнению с более простыми диодами
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от перенапряжений
    • Конвертация постоянного тока в переменный
    • Согласование уровней напряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленные контроллеры и системы управления
    • Периферийное оборудование для ПК
    • Сетевые адаптеры и преобразователи питания
Выбрано: Показать

Характеристики 1N645

  • Package
    Bulk
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    225 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    400mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 400 mA
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    200 nA @ 225 V
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-35
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 175°C

Техническая документация

 1N645.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RB088LAM-30TRSUPER LOW IR, 30V, 5A, SOD-128,
    104Кешбэк 15 баллов
    BAT54HYFHT11630V, 200MA, SOT-23, SINGLE, SCHO
    111Кешбэк 16 баллов
    RBR2MM40BTFTRДиод: DIODE (RECTIFIER FRD) 40V-VR 2A-
    82Кешбэк 12 баллов
    RBR1LAM40ATRDIODE SCHOTTKY 40V 1A PMDTM
    104Кешбэк 15 баллов
    RB168VAM-30TRSUPER LOW IR, 30V, 1A, SOD-323HE
    76Кешбэк 11 баллов
    RB088LAM100TRДиод: SUPER LOW IR, 100V, 5A, SOD-128,
    165Кешбэк 24 балла
    RB168MM150TFTRДиод: RB168MM150TF IS THE HIGH RELIABI
    102Кешбэк 15 баллов
    RB500SM-30T2R30V, 100MA, SOD-523, SCHOTTKY BA
    56Кешбэк 8 баллов
    RBR3LAM30BTFTRДиод: AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    104Кешбэк 15 баллов
    RB510SM-40FHT2RДиод: RB510SM-40FH IS LOW V F
    31.5Кешбэк 4 балла
    RBR1MM30ATFTRДиод: DIODE (RECTIFIER FRD) 30V-VR 1A-
    67Кешбэк 10 баллов
    RB168VWM100TFTR100V, 1A, SINGLE, PMDE, ULTRA LO
    132Кешбэк 19 баллов
    RBS2MM40CTRRBS2LAM40C IS SUPER LOW VF
    107Кешбэк 16 баллов
    RB078BM30SFHTLRB078BM30SFH IS LOW SUB AND HIGH
    302Кешбэк 45 баллов
    RBS2MM40BTRRBS2MM40B IS SUPER LOW VF</
    100Кешбэк 15 баллов
    BAS40HYFHT11640V, 120MA, SOT-23, SINGLE, SCHO
    106Кешбэк 15 баллов
    RB058LAM150TRДиод: DIODE SCHOTTKY 150V 3A PMDTM
    98Кешбэк 14 баллов
    RB068MM100TRДиод: DIODE SCHOTTKY 100V 2A PMDU
    93Кешбэк 13 баллов
    RBR3LAM40CTRДиод: RBR3LAM40C IS LOW VF
    120Кешбэк 18 баллов
    RB068MM-30TFTRДиод: DIODE SCHOTTKY 30V 2A PMDU
    107Кешбэк 16 баллов
    RR268MM-600TRDIODE GEN PURP 600V 1A PMDU
    70Кешбэк 10 баллов
    RB531SM-40FHT2RДиод: RB531SM-40FH IS THE HIGH RELIABI
    33.3Кешбэк 4 балла
    RB068VWM100TR100V, 2A, SINGLE, PMDE, ULTRA LO
    109Кешбэк 16 баллов
    RB168VAM-60TRДиод: SCHOTTKY BARRIER DIODE
    67Кешбэк 10 баллов
    RBR5LAM30ATFTRДиод: AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    132Кешбэк 19 баллов
    RB088LAM-40TFTRSUPER LOW IR, 40V, 5A, SOD-128,
    176Кешбэк 26 баллов
    RB160MM-30TFTRRB160MM-30TF IS THE HIGH RELIABI
    106Кешбэк 15 баллов
    RB168VYM150FHTRДиод: SCHOTTKY BARRIER DIODE (AEC-Q101
    145Кешбэк 21 балл
    SCS320AMCДиод: DIODES SILICON CARBIDE
    1 921Кешбэк 288 баллов
    DAN217FHT146DIODE SWITCHING 80V 0.3A 3-PIN.
    78Кешбэк 11 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Принадлежности
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные диоды
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП