Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
1N649-1/TR
  • В избранное
  • В сравнение
1N649-1/TR

1N649-1/TR

1N649-1/TR
;
1N649-1/TR

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    1N649-1/TR
  • Описание:
    SIGNAL/COMPUTER DIODEВсе характеристики

Минимальная цена 1N649-1/TR при покупке от 1 шт 467.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N649-1/TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N649-1/TR

1N649-1/TR Microchip Technology SIGNAL/COMPUTER DIODE

  • Основные параметры:
    • Максимальный обратный напряжение: 200 В
    • Максимальный ток прямого тока: 30 мА
    • Максимальный ток импульсов: 500 мА
    • Частота диода: до 100 кГц
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Долгий срок службы
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Низкий уровень шумов
  • Минусы:
    • Высокая цена по сравнению с другими типами диодов
    • Меньше подходит для высокоточных приложений из-за небольшой динамической характеристики
  • Общее назначение:
    • Использование в сигнальных цепях
    • Защита от обратного напряжения
    • Применение в цифровых устройствах
    • Регулировка напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Компьютеры и серверы
    • Мобильные устройства
    • Автомобили
    • Промышленное оборудование
    • Телекоммуникационное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики 1N649-1/TR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    400mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 400 mA
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    50 nA @ 600 V
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-35
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 175°C

Техническая документация

 1N649-1/TR.pdf
pdf. 0 kb
  • 570 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    467 ₽
  • 100
    434 ₽
  • 355
    434 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    1N649-1/TR
  • Описание:
    SIGNAL/COMPUTER DIODEВсе характеристики

Минимальная цена 1N649-1/TR при покупке от 1 шт 467.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N649-1/TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N649-1/TR

1N649-1/TR Microchip Technology SIGNAL/COMPUTER DIODE

  • Основные параметры:
    • Максимальный обратный напряжение: 200 В
    • Максимальный ток прямого тока: 30 мА
    • Максимальный ток импульсов: 500 мА
    • Частота диода: до 100 кГц
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Долгий срок службы
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Низкий уровень шумов
  • Минусы:
    • Высокая цена по сравнению с другими типами диодов
    • Меньше подходит для высокоточных приложений из-за небольшой динамической характеристики
  • Общее назначение:
    • Использование в сигнальных цепях
    • Защита от обратного напряжения
    • Применение в цифровых устройствах
    • Регулировка напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Компьютеры и серверы
    • Мобильные устройства
    • Автомобили
    • Промышленное оборудование
    • Телекоммуникационное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики 1N649-1/TR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    400mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 400 mA
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    50 nA @ 600 V
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-35
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 175°C

Техническая документация

 1N649-1/TR.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTE6094R-SCHOTTKY RECT CATH CASE
    4 335Кешбэк 650 баллов
    BAS316_R1_00001Диод: SOD-323, SWITCHING
    10.5Кешбэк 1 балл
    STPSC10H12DYДиод: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220AC
    1 151Кешбэк 172 балла
    1N2138DO5 70 AMP SILICON RECTIFIER
    2 708Кешбэк 406 баллов
    1N1126DO4 12 AMP SILICON RECTIFIER
    622Кешбэк 93 балла
    1N1128ADO4 12 AMP SILICON RECTIFIER
    1 195Кешбэк 179 баллов
    1N1344DO4 6 AMP SILICON RECTIFIER
    2 561Кешбэк 384 балла
    RS2MFS500NS, 2A, 1000V, FAST RECOVERY
    70Кешбэк 10 баллов
    UJ3D06560KSD650V 60A SIC SCHOTTKY DIODE G3,
    2 652Кешбэк 397 баллов
    D1800N48TVFXPSA1DIODE GEN PURP 4.8KV 1800A
    84 118Кешбэк 12 617 баллов
    DZ1070N18KHPSA3DIODE GEN PURP 1.8KV 1100A MOD
    83 066Кешбэк 12 459 баллов
    NTE551R-SI 1.5KV 1A
    556Кешбэк 83 балла
    NTE5847Диод: R-800PRV 3A ANODE CASE
    1 510Кешбэк 226 баллов
    NTE586Диод: D-SCHOTTKY 40V 3A
    400Кешбэк 60 баллов
    NTE5900Диод: R-400PRV 16A CATH CASE
    2 223Кешбэк 333 балла
    NTE5922Диод: R-500PRV 20A CATH CASE
    3 335Кешбэк 500 баллов
    SCS205KGHRCDIODE SCHOTTKY 1200V 5A TO-220-2
    1 056Кешбэк 158 баллов
    1N5811Диод: G 4 6 AMP SILICON RECTIFIER
    1 056Кешбэк 158 баллов
    40HF60REC 40AMP 600V DO5
    1 749Кешбэк 262 балла
    MUR160S R5GДиод: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA
    133Кешбэк 19 баллов
    BAS116GWXДиод: DIODE GEN PURP 75V 215MA SOD123
    51Кешбэк 7 баллов
    BAS521BXДиод: DIODE GEN PURP 250V 250MA SOD523
    39Кешбэк 5 баллов
    GE08MPS06AДиод: 650V 8A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
    498Кешбэк 74 балла
    DZ950N44KHPSA1DIODE GEN PURP 4.4KV 950A MODULE
    141 857Кешбэк 21 278 баллов
    NTE569D-SI 600V 3A SOFT REC
    556Кешбэк 83 балла
    NTE571Диод: D-1000V 3A 150NS SOFT REC
    556Кешбэк 83 балла
    NTE574Диод: R-400V 1A 35NS TRR
    556Кешбэк 83 балла
    NTE5883Диод: R-600PRV 12A ANODE CASE
    2 779Кешбэк 416 баллов
    NTE5912Диод: R-50PRV 20A CATH CASE
    2 779Кешбэк 416 баллов
    NTE5940Диод: R-50PRV 15A CATH CASE
    828Кешбэк 124 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диодные мосты
    Триодные тиристоры - Модули
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Специального назначения
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП