1S2075KRE-E

1S2075KRE-E Renesas Electronics Corporation DIODE FOR HIGH SPEED SWITCHING

• Основные параметры:
  • Максимальное напряжение (V_RRM) - 75 В
  • Максимальный ток прямого тока (I_OL) - 10 А
  • Максимальная частота срабатывания (f_T) - 800 В/мкс
  • Тип диода - Schottky
• Плюсы:
  • Высокая скорость срабатывания, что важно для быстрых электронных систем
  • Низкое напряжение затыка (V_F) при низких токах
  • Малый ток утечки при открытом состоянии
  • Высокая надежность и долгий срок службы
• Минусы:
  • Высокие потери при высоких токах и температурах
  • Высокая стоимость по сравнению с другими типами диодов
• Общее назначение:
  • Использование в быстрых цифровых и аналоговых цепях
  • Защита микросхем от обратного напряжения
  • Уменьшение паразитных транзитных эффектов в схемах высокой скорости
• В каких устройствах применяется:
  • Компьютеры и серверы
  • Системы связи и радиоэлектроника
  • Автомобильные системы управления двигателем
  • Инверторы и преобразователи