1SS375-TL-E

1SS375-TL-E на семействе SBD ON Semiconductor

• Номинальная мощность: 35 мА
• Номинальное напряжение: 10 В
• Тип: Шунтный диод
• Материал: Гальваническая керамика
• Температурный диапазон: -40°C до +125°C

Плюсы:

• Высокая стабильность при температурных перепадах
• Устойчивость к вибрациям и механическим нагрузкам
• Короткий срок службы
• Низкое сопротивление при номинальном напряжении

Минусы:

• Средняя токопassaющая способность по сравнению с другими типами диодов
• Высокое сопротивление при высоких температурах

Общее назначение:

• Защита электронных компонентов от обратного напряжения
• Шунтирование источников питания
• Изоляция неиспользуемых цепей

Применение:

• В телекоммуникационной технике
• В бытовой электронике
• В автомобильной электронике
• В промышленных системах