1SS387CT,L3F

1SS387CT, L3F Toshiba Semiconductor and Storage DIODE

• Номинальное напряжение: 80В
• Номинальный ток: 100мА
• Питание при срабатывании (CST): 2 мкА

Основные параметры:

• Номинальное напряжение (V_BR): 80В - максимальное напряжение, при котором диод будет работать в режиме обратного срабатывания.
• Номинальный ток (I_Р): 100мА - максимальный ток, который может протекать через диод без повреждения.
• Питание при срабатывании (CST): 2 мкА - минимальный ток, необходимый для срабатывания диода.

Плюсы:

• Высокая надежность благодаря качественной сборке и проверенным технологиям Toshiba.
• Малый питание при срабатывании, что снижает энергопотребление.
• Высокая стабильность характеристик при различных температурных условиях.

Минусы:

• Максимальный ток (100мА) может быть недостаточным для некоторых приложений.
• Требует соблюдения правил монтажа и использования для предотвращения перегрева.

Общее назначение:

• Защита электронных компонентов от обратного напряжения.
• Сброс избыточного заряда на емкостях.
• Регулировка напряжения.

В каких устройствах применяется:

• Питательные блоки.
• Автомобильные системы.
• Инверторы.
• Электронные устройства бытовой техники.
• Промышленное оборудование.