Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные
2N5550TA
  • В избранное
  • В сравнение
2N5550TA

2N5550TA

2N5550TA
;
2N5550TA

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    2N5550TA
  • Описание:
    TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3Все характеристики

Минимальная цена 2N5550TA при покупке от 1 шт 52.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2N5550TA с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2N5550TA

2N5550TA onsemi TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3

  • Основные параметры:
    • Напряжение операционного диода: 140В
    • Максимальный ток: 0.6А
    • Пакет: TO92-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Высокое напряжение операционного диода
    • Компактный размер пакета
  • Минусы:
    • Максимальный ток ограничен 0.6А, что может быть недостаточно для некоторых приложений
    • Требует дополнительных компонентов для создания полноценной цепи управления
  • Общее назначение:
    • Используется в различных электронных устройствах для управления токами
    • Подходит для применения в системах регулирования напряжения, защиты от перегрузок и управления моторами
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах
    • Электроприборах
    • Компьютерных системах
    • Системах управления светильниками и другими осветительными приборами
Выбрано: Показать

Характеристики 2N5550TA

  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    600 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    140 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 5mA, 50mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    60 @ 10mA, 5V
  • Рассеивание мощности
    625 mW
  • Трансформация частоты
    300MHz
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
  • Исполнение корпуса
    TO-92-3

Техническая документация

 2N5550TA.pdf
pdf. 0 kb
  • 3748 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    52 ₽
  • 100
    19.7 ₽
  • 1000
    12.8 ₽
  • 4000
    10.2 ₽
  • 10000
    8.9 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    2N5550TA
  • Описание:
    TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3Все характеристики

Минимальная цена 2N5550TA при покупке от 1 шт 52.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2N5550TA с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2N5550TA

2N5550TA onsemi TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3

  • Основные параметры:
    • Напряжение операционного диода: 140В
    • Максимальный ток: 0.6А
    • Пакет: TO92-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Высокое напряжение операционного диода
    • Компактный размер пакета
  • Минусы:
    • Максимальный ток ограничен 0.6А, что может быть недостаточно для некоторых приложений
    • Требует дополнительных компонентов для создания полноценной цепи управления
  • Общее назначение:
    • Используется в различных электронных устройствах для управления токами
    • Подходит для применения в системах регулирования напряжения, защиты от перегрузок и управления моторами
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах
    • Электроприборах
    • Компьютерных системах
    • Системах управления светильниками и другими осветительными приборами
Выбрано: Показать

Характеристики 2N5550TA

  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    600 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    140 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 5mA, 50mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    60 @ 10mA, 5V
  • Рассеивание мощности
    625 mW
  • Трансформация частоты
    300MHz
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
  • Исполнение корпуса
    TO-92-3

Техническая документация

 2N5550TA.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    KSC5026MOSTRANS NPN 800V 1.5A TO126-3
    276Кешбэк 41 балл
    MMBT200TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
    44.5Кешбэк 6 баллов
    2N4125BUTRANS PNP 30V 0.2A TO92-3
    185Кешбэк 27 баллов
    NJVMJD128T4GTRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
    221Кешбэк 33 балла
    2DC4617R-7-FTRANS NPN 50V 0.15A SOT523
    33.3Кешбэк 4 балла
    2SB1590KT146QTRANS PNP 15V 1A SMT3
    145Кешбэк 21 балл
    2N3442TRANS NPN 140V 10A TO204
    715Кешбэк 107 баллов
    BST50,115TRANS NPN DARL 45V 1A SOT89
    172Кешбэк 25 баллов
    NSVT489AMT1GTRANS NPN 30V 2A 6TSOP
    87Кешбэк 13 баллов
    2SB1274STRANS PNP 60V 3A TO220ML
    48Кешбэк 7 баллов
    BC848CW-7-FTRANS NPN 30V 0.1A SOT323
    37Кешбэк 5 баллов
    ZXTN2007GTATRANS NPN 30V 7A SOT223-3
    254Кешбэк 38 баллов
    2SCR522EBTLTRANS NPN 20V 0.2A EMT3F
    31.5Кешбэк 4 балла
    BC857BV-TPТранзистор: TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT563
    56Кешбэк 8 баллов
    BC847CT-TPТранзистор: TRANS NPN 45V 0.1A SOT523
    44.5Кешбэк 6 баллов
    BCX70K,235Транзистор: TRANS NPN 45V 0.1A TO236AB
    33.3Кешбэк 4 балла
    MPSA29TRANS NPN DARL 100V 0.8A TO92-3
    94Кешбэк 14 баллов
    BC548BTRANS NPN 30V 0.1A TO92-3
    22Кешбэк 3 балла
    PBSS4320X,135TRANS NPN 20V 3A SOT89
    102Кешбэк 15 баллов
    2SC6145ATRANS NPN 260V 15A TO3P
    1 067Кешбэк 160 баллов
    2SC4097T106RTRANS NPN 32V 0.5A UMT3
    83Кешбэк 12 баллов
    2DC4617S-7-FTRANS NPN 50V 0.15A SOT523
    63Кешбэк 9 баллов
    MMJT350T1GTRANS PNP 300V 0.5A SOT223
    211Кешбэк 31 балл
    30C02MH-TL-ETRANS NPN 30V 0.7A 3MCPH
    61Кешбэк 9 баллов
    2SC3906KT146STRANS NPN 120V 0.05A SMT3
    104Кешбэк 15 баллов
    BCP56-16T1GТранзистор: TRANS NPN 80V 1A SOT223
    105Кешбэк 15 баллов
    KSA928AYTATRANS PNP 30V 2A TO92-3
    104Кешбэк 15 баллов
    PHE13003A,412NOW WEEN - PHE13003A - POWER BIP
    74Кешбэк 11 баллов
    TN6729ATRANS PNP 80V 1A TO226-3
    35Кешбэк 5 баллов
    PZT2907AT3GTRANS PNP 60V 0.6A SOT223
    126Кешбэк 18 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Принадлежности
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП