2N5878

2N5878 Интегральный устройство технологии (IDT) PNP мощный транзистор Si.

• Основные параметры:
• Номинальная мощность: 10 ВА
• Номинальное напряжение: 45 В
• Максимальный ток: 3 А
• Тип: PNP
• Технология производства: Si (силикон)
• Плюсы:
• Высокая мощность и надежность
• Устойчивость к перегреву
• Простота применения в различных схемах
• Минусы:
• Высокие требования к проектированию системы охлаждения
• Необходимость использования дополнительных компонентов для уменьшения напряжения
• Общее назначение:
• Регулирование напряжения
• Переключение высоких токов
• Изоляция источников питания
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы управления двигателем
• Электронные блоки питания
• Устройства для управления электродвигателями
• Системы защиты от перегрузок и короткого замыкания