Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные
2N6387G
  • В избранное
  • В сравнение
2N6387G

2N6387G

2N6387G
;
2N6387G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    2N6387G
  • Описание:
    TRANS NPN DARL 60V 10A TO220Все характеристики

Минимальная цена 2N6387G при покупке от 1 шт 246.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2N6387G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2N6387G

2N6387G — это NPN дарlington транзистор с общей электропроводностью. Основные параметры:

  • Управляемое напряжение (VCEO): 60В
  • Управляющий ток (IC): 10А
  • Пакет: TO220

Плюсы:

  • Высокая мощность
  • Высокий коэффициент усиления благодаря дарlington структуре
  • Стабильное управление при высоких токах

Минусы:

  • Высокое энергетическое затратное время при переключении
  • Требует дополнительных компонентов для защиты от обратного напряжения
  • Высокие тепловые потери при работе под нагрузкой

Общее назначение: Используется в различных приложениях, требующих управления высокими токами и напряжениями, таких как:

  • Автомобильные системы
  • Инверторы питания
  • Приводы двигателей
  • Системы управления мощностью

Для эффективной работы рекомендуется использовать дополнительные компоненты, такие как теплоотвод и диод для предотвращения обратного напряжения.

Выбрано: Показать

Характеристики 2N6387G

  • Тип транзистора
    NPN - Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    10 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    60 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    3V @ 100mA, 10A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1mA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    1000 @ 5A, 3V
  • Рассеивание мощности
    2 W
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-3
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Base Product Number
    2N6387

Техническая документация

 2N6387G.pdf
pdf. 0 kb
  • 16 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    246 ₽
  • 10
    199 ₽
  • 50
    165 ₽
  • 500
    126 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    2N6387G
  • Описание:
    TRANS NPN DARL 60V 10A TO220Все характеристики

Минимальная цена 2N6387G при покупке от 1 шт 246.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2N6387G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2N6387G

2N6387G — это NPN дарlington транзистор с общей электропроводностью. Основные параметры:

  • Управляемое напряжение (VCEO): 60В
  • Управляющий ток (IC): 10А
  • Пакет: TO220

Плюсы:

  • Высокая мощность
  • Высокий коэффициент усиления благодаря дарlington структуре
  • Стабильное управление при высоких токах

Минусы:

  • Высокое энергетическое затратное время при переключении
  • Требует дополнительных компонентов для защиты от обратного напряжения
  • Высокие тепловые потери при работе под нагрузкой

Общее назначение: Используется в различных приложениях, требующих управления высокими токами и напряжениями, таких как:

  • Автомобильные системы
  • Инверторы питания
  • Приводы двигателей
  • Системы управления мощностью

Для эффективной работы рекомендуется использовать дополнительные компоненты, такие как теплоотвод и диод для предотвращения обратного напряжения.

Выбрано: Показать

Характеристики 2N6387G

  • Тип транзистора
    NPN - Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    10 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    60 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    3V @ 100mA, 10A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1mA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    1000 @ 5A, 3V
  • Рассеивание мощности
    2 W
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-3
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Base Product Number
    2N6387

Техническая документация

 2N6387G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BD682TRANS PNP DARL 100V 4A TO126
    216Кешбэк 32 балла
    TIP107TRANS PNP DARL 100V 8A TO220
    216Кешбэк 32 балла
    TIP112TRANS NPN DARL 100V 2A TO220-3
    219Кешбэк 32 балла
    TIP42CТранзистор: TRANS PNP 100V 6A TO220-3
    222Кешбэк 33 балла
    2STD1665T4TRANS NPN 65V 6A DPAK
    224Кешбэк 33 балла
    STD13003T4TRANS NPN 400V 1.5A DPAK
    226Кешбэк 33 балла
    ST901TТранзистор: TRANS NPN DARL 350V 4A TO220
    227Кешбэк 34 балла
    BDX53BTRANS NPN DARL 80V 8A TO220
    233Кешбэк 34 балла
    2SD882Транзистор: TRANS NPN 30V 3A SOT32
    233Кешбэк 34 балла
    TIP47TRANS NPN 250V 1A TO220-3
    234Кешбэк 35 баллов
    STN9260TRANS PNP 600V 0.5A SOT223
    235Кешбэк 35 баллов
    BDW93CTRANS NPN DARL 100V 12A TO220-3
    240Кешбэк 36 баллов
    MJD31CT4TRANS NPN 100V 3A DPAK
    243Кешбэк 36 баллов
    TIP42ATRANS PNP 60V 6A TO220AB
    243Кешбэк 36 баллов
    TIP41CTRANS NPN 100V 6A TO220-3
    245Кешбэк 36 баллов
    STN851TRANS NPN 60V 5A SOT223
    248Кешбэк 37 баллов
    BDW94CTRANS PNP DARL 100V 12A TO220-3
    250Кешбэк 37 баллов
    STN851-ATRANS NPN 60V 5A SOT223
    252Кешбэк 37 баллов
    STLD128DNT4TRANS NPN 400V 4A DPAK
    252Кешбэк 37 баллов
    TIP3055TRANS NPN 100V 15A TO218
    253Кешбэк 37 баллов
    D44H11TRANS NPN 80V 10A TO220-3
    257Кешбэк 38 баллов
    BUL741TRANS NPN 400V 2.5A TO220
    258Кешбэк 38 баллов
    BD911TRANS NPN 100V 15A TO220
    259Кешбэк 38 баллов
    MJD3055T4TRANS NPN 60V 10A DPAK
    259Кешбэк 38 баллов
    BUX87TRANS NPN 450V 0.5A SOT32-3
    260Кешбэк 39 баллов
    2ST31ATRANS NPN 60V 3A TO220
    261Кешбэк 39 баллов
    STD2805T4Транзистор: TRANS PNP 60V 5A DPAK
    269Кешбэк 40 баллов
    MJD122-1TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
    269Кешбэк 40 баллов
    MJD47T4TRANS NPN 250V 1A DPAK
    270Кешбэк 40 баллов
    TIP102TRANS NPN DARL 100V 8A TO220AB
    271Кешбэк 40 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды силовые
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП