Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
2N7000TA

2N7000TA

Loading...
;
Loading...

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена 2N7000TA при покупке от 1 шт 80 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2N7000TA с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики 2N7000TA

  • Package
    Tape & Box (TB)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    200mA (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    50 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    400mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-92-3
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
  • Base Product Number
    2N7000
Техническая документация
8086588.pdf
pdf. 0 kb
  • 18 шт
    в наличии
  • 811 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    80 ₽
  • 25
    50 ₽
  • 100
    34.6 ₽
  • 2000
    20.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

Минимальная цена 2N7000TA при покупке от 1 шт 80 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2N7000TA с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики 2N7000TA

  • Package
    Tape & Box (TB)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    200mA (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    50 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    400mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-92-3
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
  • Base Product Number
    2N7000
Техническая документация
8086588.pdf
pdf. 0 kb