Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
2SA1586-GR,LXHF
  • В избранное
  • В сравнение
2SA1586-GR,LXHF

2SA1586-GR,LXHF

2SA1586-GR,LXHF
;
2SA1586-GR,LXHF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    2SA1586-GR,LXHF
  • Описание:
    TRANS PNP 50V 0.15A USMВсе характеристики

Минимальная цена 2SA1586-GR,LXHF при покупке от 1 шт 56.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SA1586-GR,LXHF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2SA1586-GR,LXHF

Основные параметры:

  • Тип транзистора: PNP
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce): 50 В
  • Максимальный ток коллектора (Ic): 0.15 А (150 мА)
  • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Корпус: USM (предположительно, это SMD-корпус, вероятно, SOT-23 или схожий по размеру)
  • Коэффициент усиления по току (hFE): "GR" в названии часто указывает на группу по hFE, что означает, что он имеет определённый диапазон коэффициента усиления. Точное значение hFE для группы GR было бы указано в даташите.

Плюсы:

  • Малый размер корпуса USM, что удобно для миниатюрных устройств и поверхностного монтажа.
  • Низкое напряжение насыщения (обычно для маломощных транзисторов).
  • Достаточный ток для многих маломощных применений.
  • Надёжность от известного производителя Toshiba.

Минусы:

  • Относительно низкий максимальный ток и напряжение, что ограничивает применение в мощных схемах.
  • Возможно, не самый высокий коэффициент усиления по току по сравнению с некоторыми другими транзисторами, в зависимости от конкретной группы "GR".
  • Чувствительность к электростатическому разряду (ESD), как и большинство полупроводниковых компонентов.

Общее назначение:

Транзистор 2SA1586-GR предназначен для использования в качестве маломощного усилителя общего назначения, переключателя или драйвера в различных электронных схемах.

Применение в устройствах:

  • Портативная электроника (мобильные телефоны, планшеты, плееры).
  • Аудиоусилители малой мощности.
  • Схемы управления светодиодами (LED-драйверы).
  • Переключатели в маломощных схемах.
  • Устройства автоматики и управления.
  • Драйверы реле или других маломощных нагрузок.
  • Источники питания с низким током.
Выбрано: Показать

Характеристики 2SA1586-GR,LXHF

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    150 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 10mA, 100mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    200 @ 2mA, 6V
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Трансформация частоты
    80MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    USM

Техническая документация

 2SA1586-GR,LXHF.pdf
pdf. 0 kb
  • 7177 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    56 ₽
  • 100
    21.5 ₽
  • 1000
    13.5 ₽
  • 6000
    10 ₽
  • 24000
    8.1 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    2SA1586-GR,LXHF
  • Описание:
    TRANS PNP 50V 0.15A USMВсе характеристики

Минимальная цена 2SA1586-GR,LXHF при покупке от 1 шт 56.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SA1586-GR,LXHF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2SA1586-GR,LXHF

Основные параметры:

  • Тип транзистора: PNP
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce): 50 В
  • Максимальный ток коллектора (Ic): 0.15 А (150 мА)
  • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Корпус: USM (предположительно, это SMD-корпус, вероятно, SOT-23 или схожий по размеру)
  • Коэффициент усиления по току (hFE): "GR" в названии часто указывает на группу по hFE, что означает, что он имеет определённый диапазон коэффициента усиления. Точное значение hFE для группы GR было бы указано в даташите.

Плюсы:

  • Малый размер корпуса USM, что удобно для миниатюрных устройств и поверхностного монтажа.
  • Низкое напряжение насыщения (обычно для маломощных транзисторов).
  • Достаточный ток для многих маломощных применений.
  • Надёжность от известного производителя Toshiba.

Минусы:

  • Относительно низкий максимальный ток и напряжение, что ограничивает применение в мощных схемах.
  • Возможно, не самый высокий коэффициент усиления по току по сравнению с некоторыми другими транзисторами, в зависимости от конкретной группы "GR".
  • Чувствительность к электростатическому разряду (ESD), как и большинство полупроводниковых компонентов.

Общее назначение:

Транзистор 2SA1586-GR предназначен для использования в качестве маломощного усилителя общего назначения, переключателя или драйвера в различных электронных схемах.

Применение в устройствах:

  • Портативная электроника (мобильные телефоны, планшеты, плееры).
  • Аудиоусилители малой мощности.
  • Схемы управления светодиодами (LED-драйверы).
  • Переключатели в маломощных схемах.
  • Устройства автоматики и управления.
  • Драйверы реле или других маломощных нагрузок.
  • Источники питания с низким током.
Выбрано: Показать

Характеристики 2SA1586-GR,LXHF

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    150 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 10mA, 100mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    200 @ 2mA, 6V
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Трансформация частоты
    80MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    USM

Техническая документация

 2SA1586-GR,LXHF.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BCX54ZTRANS NPN 45V 1A SOT89
    82Кешбэк 12 баллов
    BCP51-16TFBCP51-16T/SOT223/SC-73
    82Кешбэк 12 баллов
    PBSS4360XFPBSS4360X/SOT89/MPT3
    83Кешбэк 12 баллов
    PBSS5480XZTRANS PNP 80V 4A SOT89
    87Кешбэк 13 баллов
    BCP52TFBCP52T/SOT223/SC-73
    91Кешбэк 13 баллов
    BCX54TFTRANS NPN 45V 1A SOT89
    91Кешбэк 13 баллов
    BCP53-16TXTRANS PNP 80V 1A SOT223
    92Кешбэк 13 баллов
    BC56-10PA,115TRANS NPN 80V 1A 3HUSON
    93Кешбэк 13 баллов
    BC55-10PA,115TRANS NPN 60V 1A 3HUSON
    96Кешбэк 14 баллов
    BC56-10PA-QXTRANS NPN 80V 1A 3HUSON
    100Кешбэк 15 баллов
    PBSS4160TVLТранзистор: TRANS NPN 60V 1A TO236AB
    111Кешбэк 16 баллов
    BC68-25PA-QXTRANS NPN 20V 2A 3HUSON
    120Кешбэк 18 баллов
    BCX56-10TXТранзистор: TRANS NPN 80V 1A SOT89
    122Кешбэк 18 баллов
    PBHV8550XFTRANS NPN 500V 0.15A SOT89
    126Кешбэк 18 баллов
    PBHV9115TVLPBHV9115T/SOT23/TO-236AB
    130Кешбэк 19 баллов
    BC56PA,115TRANS NPN 80V 1A 3HUSON
    148Кешбэк 22 балла
    PBSS5540ZFPBSS5540Z/SC-73/REEL 13" Q1/T1
    154Кешбэк 23 балла
    PBSS4480XZTRANS NPN 80V 4A SOT89
    154Кешбэк 23 балла
    PBSS4360PAS-QXTRANS NPN 60V 3A DFN2020D-3
    170Кешбэк 25 баллов
    MJD45H11JТранзистор: TRANS PNP 80V 8A DPAK
    204Кешбэк 30 баллов
    S8550-HTRANS PNP 25V 0.5A TO92
    11.8Кешбэк 1 балл
    S8050-HTRANS NPN 25V 0.5A TO92
    12.7Кешбэк 1 балл
    DXTP3C60PS-13TRANS PNP 60V 3A POWERDI5060-8
    153Кешбэк 22 балла
    FZT603QTATRANS NPN DARL 80V 2A SOT223-3
    279Кешбэк 41 балл
    BC337-16 A1GTRANS NPN 45V 0.8A TO92
    1.18Кешбэк 1 балл
    BC847B RFGTRANS NPN 45V 0.1A SOT23
    5.2Кешбэк 1 балл
    BC548C B1GTRANS NPN 30V 0.1A TO92
    11.6Кешбэк 1 балл
    BC817-16 RFGTRANS NPN 45V 0.5A SOT23
    13.3Кешбэк 1 балл
    BC846B RFGТранзистор: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23
    28Кешбэк 4 балла
    MMBT3906 RFGТранзистор: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23
    29.6Кешбэк 4 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные диоды
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Принадлежности
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Сборки
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП