Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
2SAR502U3HZGT106
  • В избранное
  • В сравнение
2SAR502U3HZGT106

2SAR502U3HZGT106

2SAR502U3HZGT106
;
2SAR502U3HZGT106

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    2SAR502U3HZGT106
  • Описание:
    TRANS PNP 30V 0.5A UMT3Все характеристики

Минимальная цена 2SAR502U3HZGT106 при покупке от 1 шт 57.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SAR502U3HZGT106 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2SAR502U3HZGT106

2SAR502U3HZGT106 Rohm Semiconductor TRANS PNP 30V 0.5A UMT

  • Основные параметры:
    • Тип: Транзистор NPN
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Номинальный ток: 0.5А
    • Модель: UMT
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Простота использования в схемах
  • Минусы:
    • Меньше мощности по сравнению с транзисторами других типов
    • Не подходит для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Контроль работы других элементов
    • Изменение состояния цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электронные часы и другие цифровые часы
    • Мелкая бытовая техника
    • Микроконтроллерные системы
Выбрано: Показать

Характеристики 2SAR502U3HZGT106

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    500 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    30 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    400mV @ 10mA, 200mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    200nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    200 @ 100mA, 2V
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Трансформация частоты
    520MHz
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    UMT3
  • Base Product Number
    2SAR502

Техническая документация

 2SAR502U3HZGT106.pdf
pdf. 0 kb
  • 1443 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    57 ₽
  • 100
    24.5 ₽
  • 1000
    16 ₽
  • 6000
    11.5 ₽
  • 15000
    10 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    2SAR502U3HZGT106
  • Описание:
    TRANS PNP 30V 0.5A UMT3Все характеристики

Минимальная цена 2SAR502U3HZGT106 при покупке от 1 шт 57.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SAR502U3HZGT106 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2SAR502U3HZGT106

2SAR502U3HZGT106 Rohm Semiconductor TRANS PNP 30V 0.5A UMT

  • Основные параметры:
    • Тип: Транзистор NPN
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Номинальный ток: 0.5А
    • Модель: UMT
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Простота использования в схемах
  • Минусы:
    • Меньше мощности по сравнению с транзисторами других типов
    • Не подходит для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Контроль работы других элементов
    • Изменение состояния цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электронные часы и другие цифровые часы
    • Мелкая бытовая техника
    • Микроконтроллерные системы
Выбрано: Показать

Характеристики 2SAR502U3HZGT106

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    500 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    30 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    400mV @ 10mA, 200mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    200nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    200 @ 100mA, 2V
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Трансформация частоты
    520MHz
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    UMT3
  • Base Product Number
    2SAR502

Техническая документация

 2SAR502U3HZGT106.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTE165TRANS NPN 700V 5A TO3
    1 303Кешбэк 195 баллов
    MPS6517SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    327Кешбэк 49 баллов
    2N6673PNP TRANSISTOR
    1 212Кешбэк 181 балл
    2N5339NPN TRANSISTOR
    1 884Кешбэк 282 балла
    2N6666TRANS PNP DARL 40V 8A TO220
    408Кешбэк 61 балл
    2N3441TRANS NPN 140V 3A TO66
    5 373Кешбэк 805 баллов
    2N6672PNP TRANSISTOR
    2 501Кешбэк 375 баллов
    2N6675PNP TRANSISTOR
    2 260Кешбэк 339 баллов
    2N6306NPN TRANSISTOR
    5 836Кешбэк 875 баллов
    2N6327TRANS PNP 80V 30A TO3
    4 402Кешбэк 660 баллов
    JANTXV2N5660TRANS NPN 200V 2A TO66
    13 083Кешбэк 1 962 балла
    2N3749TRANS NPN 80V 5A TO111
    12 023Кешбэк 1 803 балла
    DTC114TETRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
    37Кешбэк 5 баллов
    BC847BHZGT116TRANS NPN 45V 0.1A SST3
    12.2Кешбэк 1 балл
    UMT4403U3HZGT106TRANS PNP 40V 0.6A UMT3
    90Кешбэк 13 баллов
    2SAR552PFRAT100Транзистор: TRANS PNP 30V 3A MPT3
    373Кешбэк 55 баллов
    2N3110Транзистор: TRANS NPN 40V 1A TO39
    526Кешбэк 78 баллов
    MJ10002TRANS NPN DARL 350V 10A TO3
    3 078Кешбэк 461 балл
    2N3809Транзистор: TRANS PNP TO78-6
    4 716Кешбэк 707 баллов
    MJ10001TRANS NPN DARL 400V 20A TO3
    3 078Кешбэк 461 балл
    2N6296PNP TRANSISTOR
    3 613Кешбэк 541 балл
    BCW61CTRANS PNP 32V 0.1A SOT23
    97Кешбэк 14 баллов
    2N6340TRANS NPN 140V 25A TO3
    1 918Кешбэк 287 баллов
    2N4402TRANS PNP 40V 0.6A TO92
    100Кешбэк 15 баллов
    2N404ATRANS PNP 35V 0.15A TO5
    1 410Кешбэк 211 баллов
    D45C2TRANS PNP 30V 4A TO220
    1 304Кешбэк 195 баллов
    D44C10TRANS NPN 80V 4A TO220
    939Кешбэк 140 баллов
    GE6062TRANS NPN DARL 450V 20A TO3
    1 162Кешбэк 174 балла
    2N2895TRANS NPN 65V 1A TO18
    556Кешбэк 83 балла
    2N2221ATRANS NPN 40V 0.8A TO18
    476Кешбэк 71 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные диоды
    Принадлежности
    Тиристоры - SCR
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП