2SB1001BJTR-E от 106 ₽ доступно 18000 шт Renesas Electronics Corporation

2SB1001BJTR-E

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Renesas Electronics Corporation
Артикул:
2SB1001BJTR-E
Описание:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNPВсе характеристики

Минимальная цена 2SB1001BJTR-E при покупке от 527 шт 106.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SB1001BJTR-E с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2SB1001BJTR-E

2SB1001BJTR-E Renesas Electronics Corporation SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR PNP

Основные параметры:

Максимальный коэффициент усиления (h_FE(max)): 350
Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером (V_CEO(max)): 40 В
Максимальное напряжение между базой и эмиттером (V_BE(max)): 6 В
Максимальная мощность коллектора (P_CMAX): 150 мВт

Плюсы:

Высокая динамическая характеристика
Устойчивость к электрическим шумам
Низкая транзитная проводимость
Небольшие размеры и масса

Минусы:

Требует дополнительных компонентов для стабилизации
Высокое внутреннее сопротивление
Низкий коэффициент усиления при низких напряжениях

Общее назначение:

Импульсные схемы
Амплитудная модуляция
Сигнальные процессы
Распределение сигнала

В каких устройствах применяется:

Мобильные устройства
Домашняя электроника
Автомобильные системы
Производственное оборудование

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики 2SB1001BJTR-E

18000 шт
3-6 недель

Минимально и кратно 527 шт

Количество
Цена
527
106 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Renesas Electronics Corporation
Артикул:
2SB1001BJTR-E
Описание:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNPВсе характеристики

Описание 2SB1001BJTR-E

2SB1001BJTR-E Renesas Electronics Corporation SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR PNP

Основные параметры:

Максимальный коэффициент усиления (h_FE(max)): 350
Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером (V_CEO(max)): 40 В
Максимальное напряжение между базой и эмиттером (V_BE(max)): 6 В
Максимальная мощность коллектора (P_CMAX): 150 мВт

Плюсы:

Высокая динамическая характеристика
Устойчивость к электрическим шумам
Низкая транзитная проводимость
Небольшие размеры и масса

Минусы:

Требует дополнительных компонентов для стабилизации
Высокое внутреннее сопротивление
Низкий коэффициент усиления при низких напряжениях

Общее назначение:

Импульсные схемы
Амплитудная модуляция
Сигнальные процессы
Распределение сигнала

В каких устройствах применяется:

Мобильные устройства
Домашняя электроника
Автомобильные системы
Производственное оборудование

Выбрать все

Выбрано: Показать

2SB1001BJTR-E

2SB1001BJTR-E

Описание 2SB1001BJTR-E

Характеристики 2SB1001BJTR-E

Описание 2SB1001BJTR-E

Характеристики 2SB1001BJTR-E

Похожие товары

Похожие категории