2SB1135R

2SB1135R — это PNP Si транзистор производства компании Sanyo.

• Основные параметры:
• Тип: PNP Si (Silicon)
• Максимальный напряжение между базой и эмиттером (V_CEO): 40 В
• Максимальный ток между коллектором и эмиттером (I_CM): 500 мА
• Максимальная мощность (P_CM): 600 мВт
• Резистивность входа (r_be): около 1 кОм
• Плюсы:
• Высокая надежность благодаря качественной сборке и проверенной технологии производства.
• Устойчивость к перенапряжению.
• Низкий входной сопротивление, что позволяет использовать его в сложных цепях.
• Минусы:
• Низкая токовая способность по сравнению с NPN транзисторами.
• Необходимость использования дополнительного питания для обеспечения работы.
• Общее назначение:
• Усиление слабых сигналов.
• Контроль нагрузок.
• Переключение электрических цепей.
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильная электроника.
• Электронные приборы и приложения.
• Промышленное оборудование.
• Системы управления.