2SB1234-TB-E

2SB1234-TB-E наONSEMI PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON

• Основные параметры:
• Тип транзистора: PNP
• Материал: Эпитаксиальный плазменный силик
• Количество коллекторов: 1
• Рабочее напряжение: до 60 В
• Потребляемая мощность: до 5 Вт
• Плюсы:
• Высокая надежность
• Устойчивость к перенапряжениям
• Хорошая термическая стабильность
• Долгий срок службы
• Минусы:
• Высокие требования к проектированию платы
• Высокие потери при работе в режиме регулятора
• Не подходит для высокочастотных применений
• Общее назначение:
• Использование в источниках питания
• Регулировка напряжения
• Переключение нагрузки
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильная электроника
• Промышленное оборудование
• Аудио и видео устройства
• Системы управления