2SB858C-E

2SB858C-E Renesas Electronics Corporation POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP

• Основные параметры:
• Номинальная мощность: 150 В*А
• Номинальный напряжение базы-эмиттера: 40 В
• Максимальное напряжение коллектора-эмиттера: 600 В
• Максимальное напряжение базы-коллектора: 30 В
• Номинальная частота: 10 кГц
• Плюсы:
• Высокая мощность
• Высокое напряжение
• Высокая частота
• Долговечность
• Устойчивость к перегреву
• Минусы:
• Высокие требования к проектированию системы охлаждения
• Высокие потери энергии при работе
• Требуются дополнительные компоненты для защиты от ошибок работы
• Общее назначение:
• Регулировка мощности в электронных устройствах
• Передача мощного сигнала
• Разгон и заторможение тока
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы управления двигателем
• Инверторы и преобразователи напряжения
• Промышленное оборудование
• Электроприборы с высоким потреблением энергии