2SC3689-TB-E

2SC3689-TB-E onsemi NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON

• Основные параметры:
• Тип: NPN
• Материал: Эпитаксиальное плоскостное кремниевое полупроводниковое тело
• Рейтинг напряжения коллектора-эмиттера: 40 В
• Рейтинг тока коллектора: 15 А
• Коэффициент усиления: 100
• Частота работы: до 200 кГц
• Плюсы:
• Высокая надежность и долговечность
• Устойчивость к перегреву
• Высокий коэффициент усиления
• Устойчивость к шумам и помехам
• Минусы:
• Высокие требования к проектированию системы охлаждения из-за высокой мощности
• Не самый компактный размер по сравнению с другими типами транзисторов
• Общее назначение:
• Использование в стабилизаторах напряжения
• Для управления мощными электрическими нагрузками
• В трансформаторных выпрямителях
• Для защиты электронных устройств от перегрузок и скачков напряжения
• Применяется в:
• Автомобильной электронике
• Энергетических системах
• Мощных источниках питания
• Промышленных автоматизированных системах