2SD1627-TD-E

2SD1627-TD-E — NPN кремниевые транзисторы производства ON Semiconductor. Эти транзисторы широко используются в различных электронных устройствах благодаря своим характеристикам.

• Основные параметры:
• V_CEO: 30 В — максимальное напряжение между базой и коллектором.
• I_C: 500 мА — максимальный ток коллектора.
• h_FE: 100-400 (min-max) — коэффициент усиления.
• Питание: 5-30 В.

• Плюсы:
• Высокая надежность и долговечность.
• Устойчивость к перегреву.
• Низкий уровень шума.
• Компактность.

• Минусы:
• Меньше, чем современные транзисторы, по эффективности и скорости работы.
• Требуют дополнительного охлаждения при высоких нагрузках.

Общее назначение: Используются для регулирования тока, усиления сигналов, схем управления и защиты.

• В каких устройствах применяются:
• Радиоприемники.
• Микросхемы.
• Системы управления.
• Иllumination systems (системы освещения).
• Автомобильные системы.