2SD1851-TB-E

2SD1851-TB-E от ON Semiconductor PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON:

• Основные параметры:
  • Тип: PNP
  • Материал: Эпитаксиальное плоское силиконовое покрытие
  • Напряжение коллектора-;base: до 40 В
  • Потребляемая мощность: 0.5 Вт
  • Скорость перехода: 6 В/мс
• Плюсы:
  • Высокая надежность и долговечность
  • Стабильная работа при различных температурных условиях
  • Компактный размер
  • Низкий уровень шума
• Минусы:
  • Высокие требования к теплоотводу из-за тепловых потерь
  • Не подходит для высокочастотных применений
• Общее назначение:
  • Регулирование напряжения
  • Защита электронных устройств от перенапряжений
  • Управление нагрузками в различных приборах
• Применение в устройствах:
  • Автомобильные системы управления
  • Индустриальные контроллеры
  • Системы энергоснабжения
  • Пульты дистанционного управления