2SJ646-TL-E

2SJ646-TL-E от ON Semiconductor P-CHANNEL SILICON MOSFET

• Основные параметры:
• Тип: P-канальный MOSFET
• Материал: Силикон
• V_GS(th): ≤ 3.0 В (максимальное значение)
• I_D(on): 1.8 А (максимальное значение при V_DS = 10 В)
• R_DS(on): ≤ 95 мО (при V_GS = 10 В)
• Температурный диапазон: -55°C до +175°C
• Плюсы:
• Высокая скорость переключения
• Низкое значение R_DS(on)
• Устойчивость к обратному напряжению
• Малый размер и легкость
• Минусы:
• Высокие цены по сравнению с другими типами MOSFET
• Возможное ограничение тока при высоких значениях V_DS
• Общее назначение:
• Использование в цифровых и аналоговых схемах
• Применение в системах управления электропитанием
• Регулировка тока в электронных устройствах
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы
• Компьютеры и серверы
• Мобильные устройства
• Промышленное оборудование