2SK3113(0)-Z-E1-AZ

2SK3113(0)-Z-E1-AZ Renesas Electronics Corporation N-CHANNEL POWER MOSFET

• Основные параметры:
• V_DS(on): 45 В
• I_D(max): 9 А
• R_DS(on): 7.6 мО при V_GS = 10 В
• V_GS(th): 3.0 В
• Плюсы:
• Высокая проводимость при низком напряжении включенного состояния (низкое R_DS(on))
• Низкий напряжения включения (V_GS(th)) обеспечивает эффективное управление
• Высокий коэффициент усиления для надежного управления нагрузкой
• Устойчивость к перегреву и перегрузкам
• Минусы:
• Требуется дополнительная проектировка для защиты от импульсных перенапряжений
• Необходимо внимание к термическим условиям работы
• Общее назначение:
• Использование в мощных электроприводах и преобразователях
• Регулирование напряжения в системах питания
• Применение в автомобильной электронике
• Контроль мощных нагрузок в бытовой технике и промышленности
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы управления двигателем и электроприводами
• Преобразователи напряжения и частоты
• Мощные источники питания
• Бытовая техника с высокими потреблениями энергии