2SK3116(0)-Z-E1-AZ

2SK3116(0)-Z-E1-AZ Renesas Electronics Corporation N-CHANNEL POWER MOSFET

• Основные параметры:
• V_GS(th): 4 V (максимальное значение ведущего напряжения)
• I_D(on): 35 A (направленный ток при ведущем напряжении 10 V)
• R_DS(on): 1.7 mΩ (сопротивление на проводимость при ведущем напряжении 10 V)
• P_D: 45 W (мощность, разрешенная для отвода)
• T_CASE(max): 150°C (максимальная температура корпуса)
• Плюсы:
• Высокая мощность и низкое сопротивление на проводимость
• Надежность и стабильность работы
• Компактный размер и легкий вес
• Устойчивость к шумам и помехам
• Минусы:
• Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
• Требует правильной термической обработки для предотвращения перегрева
• Общее назначение:
• Регулировка напряжения и управление током в электронных устройствах
• Применяется в системах управления двигателей, преобразователях питания, источниках питания и т.д.
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильных системах управления двигателем
• Преобразователях питания
• Источниках питания для различных устройств
• Системах управления двигателем промышленного оборудования
• Электронных системах, требующих высокую надежность и эффективность