2SK3230B-T1-A

2SK3230B-T1-A Renesas Electronics Corporation N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET

• Основные параметры:
• Тип: N-канальный малосигнальный MOSFET
• Рабочее напряжение (V_DS(on)): до 30 В
• Размеры корпуса: SOT-23-5
• Ток нагрузки (I_D): до 1.8 А
• Угол срабатывания (t_rrmss): 7.5 nsec
• Коэффициент усиления (R_DS(on)): 4.2 mΩ
• Плюсы:
• Малый размер корпуса для компактного дизайна
• Низкое значение R_DS(on), обеспечивающее низкую потери энергии
• Высокая скорость переключения
• Надежность и долговечность
• Минусы:
• Средняя теплопроводность корпуса
• Не подходит для высокоточных приложений из-за нелинейности характеристики V_GS-I_D
• Общее назначение:
• Аmplification and switching of low-power signals
• Регулирование напряжения
• Изоляция сигналов
• Встроенные в микросхемы и модули
• Применение в устройствах:
• Мобильные устройства (смартфоны, планшеты)
• Автомобильные системы ( infotainment, климат-контроль)
• Электроника бытовой техники (телевизоры, проекторы)
• Микроконтроллерные платы
• Инверторы и преобразователи напряжения