Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
31DF4
  • В избранное
  • В сравнение
31DF4

31DF4

31DF4
;
31DF4

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor
  • Артикул:
    31DF4
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 400V 3A DO201ADВсе характеристики

Минимальная цена 31DF4 при покупке от 1 шт 153.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 31DF4 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 31DF4

31DF4 Taiwan Semiconductor DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение: 400В
    • Максимальный ток: 3А
    • Тип диода: Общего назначения (GEN)
    • Модель: DO201AD
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Компактные размеры
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Низкая токосъемность по сравнению с более мощными моделями
    • Не рекомендован для высокотоковых приложений
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного тока в электрических цепях
    • Распределение нагрузки между источниками питания
    • Защита от перенапряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Передатчики и приемники радиосигналов
    • Системы управления двигателями
    • Электронные блоки питания
    • Автомобильные системы
    • Измерительные приборы
Выбрано: Показать

Характеристики 31DF4

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    400 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    3A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 3 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    35 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    20 µA @ 400 V
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-201AD, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-201AD
  • Рабочая температура pn-прехода
    -40°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    31DF4

Техническая документация

 31DF4.pdf
pdf. 0 kb
  • 357 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    153 ₽
  • 100
    87 ₽
  • 1250
    56 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor
  • Артикул:
    31DF4
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 400V 3A DO201ADВсе характеристики

Минимальная цена 31DF4 при покупке от 1 шт 153.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 31DF4 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 31DF4

31DF4 Taiwan Semiconductor DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение: 400В
    • Максимальный ток: 3А
    • Тип диода: Общего назначения (GEN)
    • Модель: DO201AD
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Компактные размеры
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Низкая токосъемность по сравнению с более мощными моделями
    • Не рекомендован для высокотоковых приложений
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного тока в электрических цепях
    • Распределение нагрузки между источниками питания
    • Защита от перенапряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Передатчики и приемники радиосигналов
    • Системы управления двигателями
    • Электронные блоки питания
    • Автомобильные системы
    • Измерительные приборы
Выбрано: Показать

Характеристики 31DF4

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    400 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    3A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 3 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    35 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    20 µA @ 400 V
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-201AD, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-201AD
  • Рабочая температура pn-прехода
    -40°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    31DF4

Техническая документация

 31DF4.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    38DN06B02ELEMXPSA1POWER DIODE BG-D_ELEM-1
    33 188Кешбэк 4 978 баллов
    ND89N12KHPSA1DIODE GP 1.2KV 89A BG-PB20-1
    19 742Кешбэк 2 961 балл
    IDW16G65C5XKSA1Диод: DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO247-3
    1 039Кешбэк 155 баллов
    D970N06TXPSA1DIODE GEN PURP 600V 970A
    14 215Кешбэк 2 132 балла
    ND89N16KHPSA1DIODE GP 1.6KV 89A BG-PB20-1
    20 509Кешбэк 3 076 баллов
    DZ600N12KHPSA1DIODE GEN PURP 1.2KV 735A MODULE
    36 081Кешбэк 5 412 баллов
    56DN06B02ELEMXPSA1STD THYR/DIODEN DISC
    53 999Кешбэк 8 099 баллов
    D1800N48TVFXPSA1DIODE GEN PURP 4.8KV 1800A
    83 493Кешбэк 12 523 балла
    DZ1070N18KHPSA3DIODE GEN PURP 1.8KV 1100A MOD
    82 448Кешбэк 12 367 баллов
    DZ950N44KHPSA1DIODE GEN PURP 4.4KV 950A MODULE
    140 801Кешбэк 21 120 баллов
    DZ435N40KHPSA1DIODE GEN PURP 4KV 700A MODULE
    51 685Кешбэк 7 752 балла
    D1131SH65TXPSA1DIODE GEN PURP 6.5KV 1100A
    262 370Кешбэк 39 355 баллов
    D1230N18TXPSA1DIODE GEN PURP 1.8KV 1230A
    22 234Кешбэк 3 335 баллов
    D2700U45X122XOSA1HIGH POWER THYR / DIO
    343 880Кешбэк 51 582 балла
    D1331SH45TXPSA1DIODE GEN PURP 4.5KV 1710A
    292 927Кешбэк 43 939 баллов
    IDFW80C65D1XKSA1IDFW80C65D1XKSA1
    910Кешбэк 136 баллов
    DZ1070N22KHPSA3DIODE GEN PURP 2.2KV 1100A MOD
    86 626Кешбэк 12 993 балла
    IDK05G120C5XTMA1Диод: SIC DISCRETE
    644Кешбэк 96 баллов
    MUR1610CTRDIODE SWITCHING 100V 16A
    143Кешбэк 21 балл
    1N349335 AMP RECTIFIER D0-21
    1 595Кешбэк 239 баллов
    MR504STANDARD RECOVERY 3 AMP RECTIFIE
    239Кешбэк 35 баллов
    MUR3010PTRECTIFIER DIODE
    1 416Кешбэк 212 баллов
    MR1120DO4 12 AMP SILICON RECTIFIER
    3 862Кешбэк 579 баллов
    1N1206BDO4 12 AMP SILICON RECTIFIER
    1 153Кешбэк 172 балла
    1N47193 AMP RECTIFIER METAL
    9 864Кешбэк 1 479 баллов
    1N1196R20 AMP SILICON RECTIFIER DO-5
    2 207Кешбэк 331 балл
    SK220DIODE SCHOTTKY 200V 2A SMB
    179 475Кешбэк 26 921 балл
    RB751S40-ONRECTIFIER, SCHOTTKY, 0.03A, 40V
    7.4Кешбэк 1 балл
    NSR0140P2T5HSCHOTTKY DIODE SOD923
    7.4Кешбэк 1 балл
    NSR0130P2T5HSCHOTTKY DIODE SOD923
    27.6Кешбэк 4 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы
    Биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - Специального назначения
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП