Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
38DN06B02ELEMXPSA1
  • В избранное
  • В сравнение
38DN06B02ELEMXPSA1

38DN06B02ELEMXPSA1

38DN06B02ELEMXPSA1
;
38DN06B02ELEMXPSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    38DN06B02ELEMXPSA1
  • Описание:
    POWER DIODE BG-D_ELEM-1Все характеристики

Минимальная цена 38DN06B02ELEMXPSA1 при покупке от 1 шт 33188.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 38DN06B02ELEMXPSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 38DN06B02ELEMXPSA1

38DN06B02ELEMXPSA1 Infineon Technologies POWER DIODE BG-D_ELEM-1

  • Основные параметры:
    • Рейтинг напряжения (VDRM): 600 В
    • Рейтинг тока (ISM): 6 А
    • Тип: Шоттки-диод
    • Материал: Si (silicon)
    • Температурный диапазон: -55°C до +175°C
  • Плюсы:
    • Высокая скорость перехода (от 4 мкС до 10 мкС)
    • Низкий вольт-тепловой продукт (VF * ISM)
    • Малый размер и легкость
    • Устойчивость к перенапряжению
  • Минусы:
    • Меньше эффективность при высоких температурах
    • Не подходит для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного напряжения
    • Распределение напряжения
    • Контроль тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Батарейные системы
    • Системы управления двигателем
    • Электронные устройства с высоким напряжением
Выбрано: Показать

Характеристики 38DN06B02ELEMXPSA1

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    5140A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    960 mV @ 4500 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    50 mA @ 600 V
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    DO-200AC, K-PUK
  • Исполнение корпуса
    BG-D-ELEM-1
  • Рабочая температура pn-прехода
    180°C (Max)
  • Base Product Number
    38DN06

Техническая документация

 38DN06B02ELEMXPSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 15 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    33 188 ₽
  • 10
    30 559 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    38DN06B02ELEMXPSA1
  • Описание:
    POWER DIODE BG-D_ELEM-1Все характеристики

Минимальная цена 38DN06B02ELEMXPSA1 при покупке от 1 шт 33188.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 38DN06B02ELEMXPSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 38DN06B02ELEMXPSA1

38DN06B02ELEMXPSA1 Infineon Technologies POWER DIODE BG-D_ELEM-1

  • Основные параметры:
    • Рейтинг напряжения (VDRM): 600 В
    • Рейтинг тока (ISM): 6 А
    • Тип: Шоттки-диод
    • Материал: Si (silicon)
    • Температурный диапазон: -55°C до +175°C
  • Плюсы:
    • Высокая скорость перехода (от 4 мкС до 10 мкС)
    • Низкий вольт-тепловой продукт (VF * ISM)
    • Малый размер и легкость
    • Устойчивость к перенапряжению
  • Минусы:
    • Меньше эффективность при высоких температурах
    • Не подходит для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного напряжения
    • Распределение напряжения
    • Контроль тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Батарейные системы
    • Системы управления двигателем
    • Электронные устройства с высоким напряжением
Выбрано: Показать

Характеристики 38DN06B02ELEMXPSA1

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    5140A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    960 mV @ 4500 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    50 mA @ 600 V
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    DO-200AC, K-PUK
  • Исполнение корпуса
    BG-D-ELEM-1
  • Рабочая температура pn-прехода
    180°C (Max)
  • Base Product Number
    38DN06

Техническая документация

 38DN06B02ELEMXPSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    38DN06B02ELEMXPSA1POWER DIODE BG-D_ELEM-1
    33 188Кешбэк 4 978 баллов
    ND89N12KHPSA1DIODE GP 1.2KV 89A BG-PB20-1
    19 742Кешбэк 2 961 балл
    IDW16G65C5XKSA1Диод: DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO247-3
    1 039Кешбэк 155 баллов
    D970N06TXPSA1DIODE GEN PURP 600V 970A
    14 215Кешбэк 2 132 балла
    ND89N16KHPSA1DIODE GP 1.6KV 89A BG-PB20-1
    20 509Кешбэк 3 076 баллов
    DZ600N12KHPSA1DIODE GEN PURP 1.2KV 735A MODULE
    36 081Кешбэк 5 412 баллов
    56DN06B02ELEMXPSA1STD THYR/DIODEN DISC
    53 999Кешбэк 8 099 баллов
    D1800N48TVFXPSA1DIODE GEN PURP 4.8KV 1800A
    83 493Кешбэк 12 523 балла
    DZ1070N18KHPSA3DIODE GEN PURP 1.8KV 1100A MOD
    82 448Кешбэк 12 367 баллов
    DZ950N44KHPSA1DIODE GEN PURP 4.4KV 950A MODULE
    140 801Кешбэк 21 120 баллов
    DZ435N40KHPSA1DIODE GEN PURP 4KV 700A MODULE
    51 685Кешбэк 7 752 балла
    D1131SH65TXPSA1DIODE GEN PURP 6.5KV 1100A
    262 370Кешбэк 39 355 баллов
    D1230N18TXPSA1DIODE GEN PURP 1.8KV 1230A
    22 234Кешбэк 3 335 баллов
    D2700U45X122XOSA1HIGH POWER THYR / DIO
    343 880Кешбэк 51 582 балла
    D1331SH45TXPSA1DIODE GEN PURP 4.5KV 1710A
    292 927Кешбэк 43 939 баллов
    IDFW80C65D1XKSA1IDFW80C65D1XKSA1
    910Кешбэк 136 баллов
    DZ1070N22KHPSA3DIODE GEN PURP 2.2KV 1100A MOD
    86 626Кешбэк 12 993 балла
    IDK05G120C5XTMA1Диод: SIC DISCRETE
    644Кешбэк 96 баллов
    MUR1610CTRDIODE SWITCHING 100V 16A
    143Кешбэк 21 балл
    1N349335 AMP RECTIFIER D0-21
    1 595Кешбэк 239 баллов
    MR504STANDARD RECOVERY 3 AMP RECTIFIE
    239Кешбэк 35 баллов
    MUR3010PTRECTIFIER DIODE
    1 416Кешбэк 212 баллов
    MR1120DO4 12 AMP SILICON RECTIFIER
    3 862Кешбэк 579 баллов
    1N1206BDO4 12 AMP SILICON RECTIFIER
    1 153Кешбэк 172 балла
    1N47193 AMP RECTIFIER METAL
    9 864Кешбэк 1 479 баллов
    1N1196R20 AMP SILICON RECTIFIER DO-5
    2 207Кешбэк 331 балл
    SK220DIODE SCHOTTKY 200V 2A SMB
    179 475Кешбэк 26 921 балл
    RB751S40-ONRECTIFIER, SCHOTTKY, 0.03A, 40V
    7.4Кешбэк 1 балл
    NSR0140P2T5HSCHOTTKY DIODE SOD923
    7.4Кешбэк 1 балл
    NSR0130P2T5HSCHOTTKY DIODE SOD923
    27.6Кешбэк 4 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Принадлежности
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП