Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
A2I08H040GNR1

A2I08H040GNR1

A2I08H040GNR1
;
A2I08H040GNR1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена A2I08H040GNR1 при покупке от 100 шт 1408.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить A2I08H040GNR1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание A2I08H040GNR1

A2I08H040GNR1 от NXP USA Inc. — это интегральная схема (IC) RF LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor) усилительный транзистор.

  • Основные параметры:
    • Мощность: до 8 W
    • Частота: до 4 GHz
    • Ток: до 3 A
    • Технология: LDMOS
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Надежность при работе в условиях высоких температур
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению
    • Сложность в монтаже из-за больших размеров
  • Общее назначение:
    • Усиление радиосигналов
    • Использование в системах мобильной связи
    • Радиоприемники и передатчики
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны
    • Беспроводные сети
    • Радиостанции
    • Коммуникационное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики A2I08H040GNR1

Техническая документация

A2I08H040GNR1.pdf
pdf. 0 kb
  • 4302 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 100 шт
  • Количество
    Цена
  • 100
    1 408 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена A2I08H040GNR1 при покупке от 100 шт 1408.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить A2I08H040GNR1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание A2I08H040GNR1

A2I08H040GNR1 от NXP USA Inc. — это интегральная схема (IC) RF LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor) усилительный транзистор.

  • Основные параметры:
    • Мощность: до 8 W
    • Частота: до 4 GHz
    • Ток: до 3 A
    • Технология: LDMOS
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Надежность при работе в условиях высоких температур
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению
    • Сложность в монтаже из-за больших размеров
  • Общее назначение:
    • Усиление радиосигналов
    • Использование в системах мобильной связи
    • Радиоприемники и передатчики
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны
    • Беспроводные сети
    • Радиостанции
    • Коммуникационное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики A2I08H040GNR1

Техническая документация

A2I08H040GNR1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 100 шт