Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
A3G26D055N-1805
  • В избранное
  • В сравнение
A3G26D055N-1805

A3G26D055N-1805

A3G26D055N-1805
;
A3G26D055N-1805

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    A3G26D055N-1805
  • Описание:
    Транзистор: RF REFERENCE CIRCUIT 25W 1805-18Все характеристики

Минимальная цена A3G26D055N-1805 при покупке от 1 шт 82275.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить A3G26D055N-1805 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание A3G26D055N-1805

A3G26D055N-1805 NXP USA Inc. — это, вероятно, высокочастотный полевой транзистор (RF Power LDMOS Transistor), предназначенный для использования в усилителях мощности радиочастотного диапазона. Индекс "A3G26" указывает на семейство транзисторов NXP, "D055" может обозначать выходную мощность или другие характеристики, а "N" — тип корпуса или другие особенности. "1805" и "18" в описании "RF REFERENCE CIRCUIT 25W 1805-18" указывают на частотный диапазон работы, вероятно, от 1805 МГц до 1818 МГц, а "25W" — на выходную мощность. "NXP USA Inc." — производитель.

  • Основные параметры:
    • Тип транзистора: RF Power LDMOS (Lateral Diffused Metal Oxide Semiconductor)
    • Выходная мощность: 25 Вт (в указанном эталонном контуре)
    • Рабочий частотный диапазон: 1805 МГц - 1818 МГц (вероятно, для данного референсного дизайна)
    • Напряжение питания: Обычно 28 В или 32 В для подобных транзисторов
    • Эффективность: Высокая (характерная для LDMOS в RF-приложениях)
    • Усиление: Высокое
  • Плюсы:
    • Высокая линейность: Важно для передачи модулированных сигналов с минимальными искажениями.
    • Высокий КПД: Снижает энергопотребление и тепловыделение.
    • Высокая надежность: LDMOS транзисторы известны своей прочностью и устойчивостью к несогласованию нагрузки.
    • Широкий частотный диапазон: Позволяет использовать в различных стандартах связи.
    • Высокое усиление: Упрощает схемотехнику усилителя.
  • Минусы:
    • Чувствительность к электростатическому разряду (ESD): Требует осторожного обращения при монтаже.
    • Требует тщательной схемотехники: Для достижения оптимальных характеристик необходим точный расчет согласующих цепей.
    • Тепловыделение: Несмотря на высокий КПД, при высоких мощностях требуется эффективное охлаждение.
    • Стоимость: Обычно выше, чем у маломощных транзисторов.
  • Общее назначение:
    • Усилители мощности радиочастотного диапазона (RF Power Amplifiers) в системах беспроводной связи.
  • В каких устройствах применяется:
    • Базовые станции сотовой связи (2G, 3G, 4G, возможно 5G - в зависимости от частотного диапазона).
    • Ретрансляторы и бустеры сотовой связи.
    • Радиорелейные линии связи.
    • Промышленные и медицинские ВЧ-генераторы (если требуется низкая мощность на данной частоте).
    • Оборудование для широкополосного беспроводного доступа.
Выбрано: Показать

Характеристики A3G26D055N-1805

  • Тип транзистора
    GaN
  • Частота
    100MHz ~ 2.69GHz
  • Усиление
    13.9dB
  • Тестовое напряжение
    48 V
  • Тестовый ток
    40 mA
  • Мощность передачи
    8W
  • Нормальное напряжение
    125 V
  • Корпус
    6-LDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    6-PDFN (7x6.5)

Техническая документация

 A3G26D055N-1805.pdf
pdf. 0 kb
  • 2 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    82 275 ₽
  • 10
    82 086 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    A3G26D055N-1805
  • Описание:
    Транзистор: RF REFERENCE CIRCUIT 25W 1805-18Все характеристики

Минимальная цена A3G26D055N-1805 при покупке от 1 шт 82275.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить A3G26D055N-1805 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание A3G26D055N-1805

A3G26D055N-1805 NXP USA Inc. — это, вероятно, высокочастотный полевой транзистор (RF Power LDMOS Transistor), предназначенный для использования в усилителях мощности радиочастотного диапазона. Индекс "A3G26" указывает на семейство транзисторов NXP, "D055" может обозначать выходную мощность или другие характеристики, а "N" — тип корпуса или другие особенности. "1805" и "18" в описании "RF REFERENCE CIRCUIT 25W 1805-18" указывают на частотный диапазон работы, вероятно, от 1805 МГц до 1818 МГц, а "25W" — на выходную мощность. "NXP USA Inc." — производитель.

  • Основные параметры:
    • Тип транзистора: RF Power LDMOS (Lateral Diffused Metal Oxide Semiconductor)
    • Выходная мощность: 25 Вт (в указанном эталонном контуре)
    • Рабочий частотный диапазон: 1805 МГц - 1818 МГц (вероятно, для данного референсного дизайна)
    • Напряжение питания: Обычно 28 В или 32 В для подобных транзисторов
    • Эффективность: Высокая (характерная для LDMOS в RF-приложениях)
    • Усиление: Высокое
  • Плюсы:
    • Высокая линейность: Важно для передачи модулированных сигналов с минимальными искажениями.
    • Высокий КПД: Снижает энергопотребление и тепловыделение.
    • Высокая надежность: LDMOS транзисторы известны своей прочностью и устойчивостью к несогласованию нагрузки.
    • Широкий частотный диапазон: Позволяет использовать в различных стандартах связи.
    • Высокое усиление: Упрощает схемотехнику усилителя.
  • Минусы:
    • Чувствительность к электростатическому разряду (ESD): Требует осторожного обращения при монтаже.
    • Требует тщательной схемотехники: Для достижения оптимальных характеристик необходим точный расчет согласующих цепей.
    • Тепловыделение: Несмотря на высокий КПД, при высоких мощностях требуется эффективное охлаждение.
    • Стоимость: Обычно выше, чем у маломощных транзисторов.
  • Общее назначение:
    • Усилители мощности радиочастотного диапазона (RF Power Amplifiers) в системах беспроводной связи.
  • В каких устройствах применяется:
    • Базовые станции сотовой связи (2G, 3G, 4G, возможно 5G - в зависимости от частотного диапазона).
    • Ретрансляторы и бустеры сотовой связи.
    • Радиорелейные линии связи.
    • Промышленные и медицинские ВЧ-генераторы (если требуется низкая мощность на данной частоте).
    • Оборудование для широкополосного беспроводного доступа.
Выбрано: Показать

Характеристики A3G26D055N-1805

  • Тип транзистора
    GaN
  • Частота
    100MHz ~ 2.69GHz
  • Усиление
    13.9dB
  • Тестовое напряжение
    48 V
  • Тестовый ток
    40 mA
  • Мощность передачи
    8W
  • Нормальное напряжение
    125 V
  • Корпус
    6-LDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    6-PDFN (7x6.5)

Техническая документация

 A3G26D055N-1805.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLM9D1822S-60PBGYBLM9D1822S-60PBG/OMP780/REELDP
    10 836Кешбэк 1 625 баллов
    BLL9G1214L-600UТранзистор: BLL9G1214L-600/SOT502/TRAY
    54 463Кешбэк 8 169 баллов
    BLM9D2327-26BZBLM9D2327-26B/SOT1462/REELDP
    5 495Кешбэк 824 балла
    ART35FEUТранзистор: ART35FE/SOT467/TRAY
    16 835Кешбэк 2 525 баллов
    BLM8D1822S-50PBYRF MOSFET LDMOS 28V 16-HSOPF
    9 293Кешбэк 1 393 балла
    BLS9G2731LS-400UТранзистор: RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B
    66 385Кешбэк 9 957 баллов
    BLF978PUТранзистор: BLF978P/SOT539/TRAY
    49 729Кешбэк 7 459 баллов
    BLC9G20XS-160AVZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16.6DB SOT12753
    10 271Кешбэк 1 540 баллов
    BLS9G3135L-400UТранзистор: RF MOSFET LDMOS 32V SOT502A
    66 979Кешбэк 10 046 баллов
    BLS9G3135LS-400UТранзистор: RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B
    56 932Кешбэк 8 539 баллов
    BLM7G1822S-80PBYRF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122
    14 384Кешбэк 2 157 баллов
    BLP05H6700XRGYТранзистор: RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP
    12 044Кешбэк 1 806 баллов
    BLF974PUТранзистор: BLF974P/SOT539/TRAY
    40 718Кешбэк 6 107 баллов
    BLF989ESUТранзистор: BLF989ES/SOT539/TRAY
    40 572Кешбэк 6 085 баллов
    BLC2425M9LS250ZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT12701
    23 479Кешбэк 3 521 балл
    BLC10G22XS-400AVTYТранзистор: BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/REEL
    16 668Кешбэк 2 500 баллов
    BLF189XRASUТранзистор: BLF189XRA/SOT539/TRAY
    59 167Кешбэк 8 875 баллов
    BLF898SUТранзистор: RF MOSFET LDMOS 50V SOT539B
    62 592Кешбэк 9 388 баллов
    BLC9G15XS-400AVTZТранзистор: RF MOSFET LDMOS 32V SOT1258-7
    14 675Кешбэк 2 201 балл
    ART1K6FHSUТранзистор: ART1K6FHS/SOT539/TRAY
    34 747Кешбэк 5 212 баллов
    BLS9G2934L-400UТранзистор: RF MOSFET LDMOS 32V SOT502A
    38 937Кешбэк 5 840 баллов
    ART700FHUТранзистор: ART700FHU/SOT1214/TRAY
    37 635Кешбэк 5 645 баллов
    ART2K0FESUТранзистор: ART2K0FES/SOT539/TRAY
    50 457Кешбэк 7 568 баллов
    BLA9H0912LS-700GUТранзистор: BLA9H0912LS-700G/SOT502/TRAY
    58 980Кешбэк 8 847 баллов
    BLC2425M10LS500PZТранзистор: BLC2425M10LS500P/SOT1250/TRAYDP
    41 151Кешбэк 6 172 балла
    BLF0910H9LS750PUТранзистор: BLF0910H9LS750P/SOT539/TRAY
    30 699Кешбэк 4 604 балла
    BLC2425M10LS250ZТранзистор: BLC2425M10LS250/SOT1273/TRAYDP
    21 837Кешбэк 3 275 баллов
    BLC9G24XS-170AVZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12753
    11 005Кешбэк 1 650 баллов
    BLL9G1214LS-600UТранзистор: BLL9G1214LS-600/SOT502/TRAY
    54 463Кешбэк 8 169 баллов
    BLC10G20LS-240PWTZТранзистор: RF MOSFET LDMOS 28V SOT1275-3
    11 238Кешбэк 1 685 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Симисторы
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - IGBT - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Принадлежности
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП