Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
AFGHL50T65SQ
  • В избранное
  • В сравнение
AFGHL50T65SQ

AFGHL50T65SQ

AFGHL50T65SQ
;
AFGHL50T65SQ

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    AFGHL50T65SQ
  • Описание:
    Транзистор: AEC 101 QUALIFIED, 650V, 50A FIEВсе характеристики

Минимальная цена AFGHL50T65SQ при покупке от 1 шт 993.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AFGHL50T65SQ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание AFGHL50T65SQ

AFGHL50T65SQ onsemi Транзистор:

  • AEC 101 QUALIFIED: Подходит для автомобильных приложений.
  • 650В: Максимальное напряжение, которое может выдерживать транзистор.
  • 50А: Максимальный ток, который может проходить через транзистор.
  • FIE (Fast Injection Enhancement): Технология для ускоренного включения.

Основные параметры:

  • Тип: Силовой полупроводниковый транзистор.
  • Стандарт качества: AEC 101.
  • Номинальное напряжение: 650 В.
  • Максимальный ток: 50 А.
  • Скорость включения: высокая благодаря технологии FIE.

Плюсы:

  • Высокая надежность и качество, соответствующее автомобильным стандартам.
  • Высокие технические характеристики: максимальное напряжение 650 В и ток 50 А.
  • Быстрое включение благодаря технологии FIE.

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными или менее качественными аналогами.
  • Требует точного монтажа и работы с высоким напряжением.

Общее назначение:

  • Используется в силовых электрониках для управления током.
  • Подходит для применения в автомобильной электронике, промышленных системах и других областях, где требуется высокий ток и напряжение.

Применяется в:

  • Автомобильных системах управления двигателем.
  • Промышленных преобразователях питания.
  • Системах управления электропитанием.
  • Инверторах и преобразователях.
Выбрано: Показать

Характеристики AFGHL50T65SQ

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    80 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    200 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 50A
  • Рассеивание мощности
    268 W
  • Энергия переключения
    950µJ (on), 460µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    99 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    20ns/81ns
  • Условие испытаний
    400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Base Product Number
    AFGHL50

Техническая документация

 AFGHL50T65SQ.pdf
pdf. 0 kb
  • 289 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    993 ₽
  • 10
    565 ₽
  • 120
    467 ₽
  • 510
    434 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    AFGHL50T65SQ
  • Описание:
    Транзистор: AEC 101 QUALIFIED, 650V, 50A FIEВсе характеристики

Минимальная цена AFGHL50T65SQ при покупке от 1 шт 993.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AFGHL50T65SQ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание AFGHL50T65SQ

AFGHL50T65SQ onsemi Транзистор:

  • AEC 101 QUALIFIED: Подходит для автомобильных приложений.
  • 650В: Максимальное напряжение, которое может выдерживать транзистор.
  • 50А: Максимальный ток, который может проходить через транзистор.
  • FIE (Fast Injection Enhancement): Технология для ускоренного включения.

Основные параметры:

  • Тип: Силовой полупроводниковый транзистор.
  • Стандарт качества: AEC 101.
  • Номинальное напряжение: 650 В.
  • Максимальный ток: 50 А.
  • Скорость включения: высокая благодаря технологии FIE.

Плюсы:

  • Высокая надежность и качество, соответствующее автомобильным стандартам.
  • Высокие технические характеристики: максимальное напряжение 650 В и ток 50 А.
  • Быстрое включение благодаря технологии FIE.

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными или менее качественными аналогами.
  • Требует точного монтажа и работы с высоким напряжением.

Общее назначение:

  • Используется в силовых электрониках для управления током.
  • Подходит для применения в автомобильной электронике, промышленных системах и других областях, где требуется высокий ток и напряжение.

Применяется в:

  • Автомобильных системах управления двигателем.
  • Промышленных преобразователях питания.
  • Системах управления электропитанием.
  • Инверторах и преобразователях.
Выбрано: Показать

Характеристики AFGHL50T65SQ

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    80 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    200 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 50A
  • Рассеивание мощности
    268 W
  • Энергия переключения
    950µJ (on), 460µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    99 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    20ns/81ns
  • Условие испытаний
    400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Base Product Number
    AFGHL50

Техническая документация

 AFGHL50T65SQ.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FGD3050G2Транзистор: IGBT 500V 27A DPAK-3
    621Кешбэк 93 балла
    FGD3245G2-F085CТранзистор: ECOSPARK2 IGN-IGBT TO252
    543Кешбэк 81 балл
    HGTP3N60C3Транзистор: 6A, 600V, N-CHANNEL IGBT
    141Кешбэк 21 балл
    RJP4002ASA-00#Q0Транзистор: IGBT
    258Кешбэк 38 баллов
    FGA25S125P-SN00337INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
    472Кешбэк 70 баллов
    IKP20N60TXKSA1Транзистор: IGBT 600V 40A 166W TO220-3
    504Кешбэк 75 баллов
    IKN06N60RC2ATMA1Транзистор: HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3
    195Кешбэк 29 баллов
    IKD06N65ET6ARMA1Транзистор: IKD06N65ET6ARMA1
    508Кешбэк 76 баллов
    IRG4BC30SPBF-INFТранзистор: IGBT, 34A I(C), 600V V(BR)CES, N
    296Кешбэк 44 балла
    MGP7N60EDТранзистор: IGBT, 10A, 600V, N-CHANNEL
    156Кешбэк 23 балла
    MGP20N14CLТранзистор: IGBT, 20A, 135V, N-CHANNEL
    137Кешбэк 20 баллов
    FGD2736G3-F085VТранзистор: IGBT ECOSPARK1 IGN TO252
    176Кешбэк 26 баллов
    IRGSL15B60KDPBFТранзистор: IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D
    322Кешбэк 48 баллов
    STGD6M65DF2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
    300Кешбэк 45 баллов
    HGTG20N60C3RТранзистор: 40A, 600V, RUGGED N-CHANNEL IGBT
    430Кешбэк 64 балла
    IKD06N60RC2ATMA1Транзистор: IKD06N60RC2ATMA1
    226Кешбэк 33 балла
    IKD04N60RATMA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 8A TO252-3
    215Кешбэк 32 балла
    IKN04N60RC2ATMA1Транзистор: HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3
    130Кешбэк 19 баллов
    ISL9V5045S3ST-F085CТранзистор: ECOSPARK1 IGN-IGBT TO263
    628Кешбэк 94 балла
    FGPF70N30TRDTUТранзистор: 300V, 70A PDP IGBT
    315Кешбэк 47 баллов
    IKD04N60RC2ATMA1Транзистор: IKD04N60RC2ATMA1
    183Кешбэк 27 баллов
    HGT1S7N60C3DТранзистор: IGBT, 14A, 600V, N-CHANNEL
    222Кешбэк 33 балла
    RGT30TM65DGC9Транзистор: FIELD STOP TRENCH IGBT
    326Кешбэк 48 баллов
    RGPR30BM40HRTLТранзистор: 400V 30A IGNITION IGBT
    476Кешбэк 71 балл
    HGTP10N50E1DТранзистор: 17.5A, 500V, N-CHANNEL IGBT
    661Кешбэк 99 баллов
    HGT1S15N120C3Транзистор: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
    704Кешбэк 105 баллов
    FGB3245G2-F085ECOSPARK2 450V IGNITION IGBT
    723Кешбэк 108 баллов
    IKW15N120BH6XKSA1Транзистор: IGBT 1200 V 15A TO247-3-46
    624Кешбэк 93 балла
    NGTB50N65FL2WAGТранзистор: IGBT FIELD STOP 650V 160A TO247
    535Кешбэк 80 баллов
    IKD10N60RC2ATMA1Транзистор: IKD10N60RC2ATMA1
    261Кешбэк 39 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды силовые
    Варикапы и Варакторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Драйверы питания - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП