Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
AFGHL50T65SQD
  • В избранное
  • В сравнение
AFGHL50T65SQD

AFGHL50T65SQD

AFGHL50T65SQD
;
AFGHL50T65SQD

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    AFGHL50T65SQD
  • Описание:
    Транзистор: AEC 101 QUALIFIED, 650V, 50A FIEВсе характеристики

Минимальная цена AFGHL50T65SQD при покупке от 1 шт 1039.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AFGHL50T65SQD с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание AFGHL50T65SQD

AFGHL50T65SQD ONSEMI Транзистор:

  • AEC 101 QUALIFIED
  • Номинальное напряжение:
    650В
  • Номинальный ток:
    50А
  • Тип:
    Power MOSFET (ПМОСФET)

Плюсы:

  • Высокая скорость переключения
  • Низкое значение тока смещения
  • Малый размер и вес
  • Высокий коэффициент передачи

Минусы:

  • Высокие потери при переключении
  • Необходимо наличие радиатора для охлаждения
  • Уязвимость к электрическим шумам

Общее назначение:

  • Управление мощными нагрузками
  • Переключение высоковольтных цепей
  • Ограничение тока и напряжения

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильная техника
  • Электроприборы
  • Инверторы
  • Системы управления двигателем
  • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики AFGHL50T65SQD

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    80 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    200 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 50A
  • Рассеивание мощности
    268 W
  • Энергия переключения
    950µJ (on), 460µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    102 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    20ns/81ns
  • Условие испытаний
    400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Base Product Number
    AFGHL50

Техническая документация

 AFGHL50T65SQD.pdf
pdf. 0 kb
  • 1330 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 039 ₽
  • 10
    604 ₽
  • 100
    565 ₽
  • 500
    527 ₽
  • 1000
    488 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    AFGHL50T65SQD
  • Описание:
    Транзистор: AEC 101 QUALIFIED, 650V, 50A FIEВсе характеристики

Минимальная цена AFGHL50T65SQD при покупке от 1 шт 1039.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AFGHL50T65SQD с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание AFGHL50T65SQD

AFGHL50T65SQD ONSEMI Транзистор:

  • AEC 101 QUALIFIED
  • Номинальное напряжение:
    650В
  • Номинальный ток:
    50А
  • Тип:
    Power MOSFET (ПМОСФET)

Плюсы:

  • Высокая скорость переключения
  • Низкое значение тока смещения
  • Малый размер и вес
  • Высокий коэффициент передачи

Минусы:

  • Высокие потери при переключении
  • Необходимо наличие радиатора для охлаждения
  • Уязвимость к электрическим шумам

Общее назначение:

  • Управление мощными нагрузками
  • Переключение высоковольтных цепей
  • Ограничение тока и напряжения

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильная техника
  • Электроприборы
  • Инверторы
  • Системы управления двигателем
  • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики AFGHL50T65SQD

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    80 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    200 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 50A
  • Рассеивание мощности
    268 W
  • Энергия переключения
    950µJ (on), 460µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    102 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    20ns/81ns
  • Условие испытаний
    400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Base Product Number
    AFGHL50

Техническая документация

 AFGHL50T65SQD.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRGBC30UТранзистор: IGBT UFAST 600V 23A TO-220AB
    7 726Кешбэк 1 158 баллов
    HGTG40N60C3RТранзистор: 75A, 600V N-CHANNEL IGBT
    1 465Кешбэк 219 баллов
    RGCL60TK60GC11Транзистор: IGBT
    560Кешбэк 84 балла
    IKW50N60TFKSA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3
    1 002Кешбэк 150 баллов
    STGW8M120DF3Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
    835Кешбэк 125 баллов
    RGTV00TK65GVC11Транзистор: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
    617Кешбэк 92 балла
    IXA70R1200NAТранзистор: DISC IGBT XPT-GENX3 SOT-227B(MIN
    7 527Кешбэк 1 129 баллов
    STGWA40HP65FB2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 4
    820Кешбэк 122 балла
    IHW25N120E1XKSA1Транзистор: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO247
    589Кешбэк 88 баллов
    RGCL60TK60DGC11Транзистор: IGBT
    611Кешбэк 91 балл
    APT35GP120B2D2GТранзистор: IGBT PT COMBI 1200V 35A TO-247
    3 572Кешбэк 535 баллов
    IKFW40N65ES5XKSA1Транзистор: IKFW40N65ES5XKSA1
    1 338Кешбэк 200 баллов
    GT30N135SRA,S1EТранзистор: D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=30A
    791Кешбэк 118 баллов
    IGW30N60TPXKSA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 53A TO247-3
    361Кешбэк 54 балла
    AIGB40N65H5ATMA1Транзистор: DISCRETE SWITCHES
    960Кешбэк 144 балла
    RGTV80TS65GC11Транзистор: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
    530Кешбэк 79 баллов
    RGTV80TK65GVC11Транзистор: 2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
    584Кешбэк 87 баллов
    RGTV80TK65DGVC11Транзистор: 2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
    688Кешбэк 103 балла
    RGW50TK65GVC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    890Кешбэк 133 балла
    IXYH55N120C4Транзистор: IGBT 1200V 55A GEN4 XPT TO247
    1 874Кешбэк 281 балл
    STGW100H65FB2-4Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 1
    1 285Кешбэк 192 балла
    IGW30N60TFKSA1Транзистор: IGBT 600V 60A 187W TO247-3
    698Кешбэк 104 балла
    RGW60TS65CHRC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    2 276Кешбэк 341 балл
    RGW00TS65DHRC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    1 466Кешбэк 219 баллов
    FGY160T65SPD-F085Транзистор: 650V FS GEN3 TRENCH IGBT
    2 949Кешбэк 442 балла
    IKD03N60RFATMA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3
    224Кешбэк 33 балла
    IHW30N135R5XKSA1Транзистор: HOME APPLIANCES 14
    565Кешбэк 84 балла
    RGTH40TK65GC11Транзистор: IGBT
    514Кешбэк 77 баллов
    RGW40TS65GC11Транзистор: 650V 20A FIELD STOP TRENCH IGBT
    802Кешбэк 120 баллов
    STGWA20IH65DFТранзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
    706Кешбэк 105 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Принадлежности
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Сборки
    IGBT транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - Специального назначения
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП