Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
AIGB15N65H5ATMA1
AIGB15N65H5ATMA1

AIGB15N65H5ATMA1

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    AIGB15N65H5ATMA1
  • Описание:
    Транзистор: DISCRETE SWITCHESВсе характеристики

Минимальная цена AIGB15N65H5ATMA1 при покупке от 1 шт 759.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AIGB15N65H5ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики AIGB15N65H5ATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип IGBT
    NPT
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    30 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    45 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 15A
  • Рассеивание мощности
    105 W
  • Энергия переключения
    0.16mJ (on), 0.04mJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    40 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    24ns/22ns
  • Условие испытаний
    400V, 7.5A, 39Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Исполнение корпуса
    PG-TO263-3-2
  • Base Product Number
    AIGB15
Техническая документация
 AIGB15N65H5ATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 825 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    759 ₽
  • 10
    501 ₽
  • 100
    355 ₽
  • 500
    311 ₽
  • 1000
    269 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    AIGB15N65H5ATMA1
  • Описание:
    Транзистор: DISCRETE SWITCHESВсе характеристики

Минимальная цена AIGB15N65H5ATMA1 при покупке от 1 шт 759.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AIGB15N65H5ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики AIGB15N65H5ATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип IGBT
    NPT
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    30 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    45 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 15A
  • Рассеивание мощности
    105 W
  • Энергия переключения
    0.16mJ (on), 0.04mJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    40 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    24ns/22ns
  • Условие испытаний
    400V, 7.5A, 39Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Исполнение корпуса
    PG-TO263-3-2
  • Base Product Number
    AIGB15
Техническая документация
 AIGB15N65H5ATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IXYK140N120A4Транзистор: IGBT 140A 1200V TO264
    AIGB50N65F5ATMA1Транзистор: DISCRETE SWITCHES
    IXYP60N65A5Транзистор: IGBT 650V 60A X5 XPT TO-220
    IGB50N65S5ATMA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO263-3
    RGW80TS65DGC11Транзистор: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
    RJH6075DPM-N0#T0Транзистор: IGBT
    IXYX40N450HVТранзистор: IGBT
    STGW100H65FB2-4Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 1
    IKB30N65ES5ATMA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 650V 62A D2PAK
    HGTG27N60C3DRТранзистор: UFS SERIES N-CHANNEL IGBT
    HGT1S20N60B3SТранзистор: 40A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
    RGSX5TS65HRC11Транзистор: 8S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
    IXYA20N65C3D1Транзистор: IGBT
    FGAF40S65AQТранзистор: 650V 40A FS4 SA IGBT
    IHW40N65R6XKSA1Транзистор: HOME APPLIANCES 14 PG-TO247-3
    AIKW40N65DH5XKSA1Транзистор: IC DISCRETE 650V TO247-3
    IGW15N120H3FKSA1Транзистор: IGBT 1200V 30A 217W TO247-3
    RGS00TS65EHRC11Транзистор: 8US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
    AIKQ120N75CP2XKSA1Транзистор: DISCRETE SWITCHES PG-TO247-3
    AFGHL75T65SQDTТранзистор: 650V/75A FS4 IGBT TO247 L
    IGW25N120H3FKSA1Транзистор: IGBT 1200V 50A 326W TO247-3
    FGH75T65SQDNL4Транзистор: 650V/75 FAST IGBT FSIII T
    IKW30N60TFKSA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO247-3
    IKB06N60TATMA1Транзистор: IGBT 600V 12A 88W TO263-3
    RGT16BM65DTLТранзистор: IGBT
    RGS80TSX2HRC11Транзистор: 1200V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
    AFGHL40T65SPDТранзистор: FS3 T TO247 40A 650V AUTO
    HGTP6N40E1DТранзистор: 7.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT
    FGPF50N33BTTUТранзистор: IGBT, 50A, 330V, N-CHANNEL, TO-2
    HGTG27N60C3RТранзистор: 54A, 600V, RUGGED N-CHANNEL IGBT

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы - Модули
    Принадлежности
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - TRIACs
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП