Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
AIGB50N65F5ATMA1
  • В избранное
  • В сравнение
AIGB50N65F5ATMA1

AIGB50N65F5ATMA1

AIGB50N65F5ATMA1
;
AIGB50N65F5ATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    AIGB50N65F5ATMA1
  • Описание:
    Транзистор: DISCRETE SWITCHESВсе характеристики

Минимальная цена AIGB50N65F5ATMA1 при покупке от 1 шт 1104.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AIGB50N65F5ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание AIGB50N65F5ATMA1

AIGB50N65F5ATMA1 Infineon Technologies Транзистор: DISCRETE SWITCHES

  • Основные параметры:
    • Рейтинг напряженияGBT: 650 В
    • Рейтинг тока: 50 А
    • Частота срабатывания: до 50 кГц
    • Тип: GTO (Gate Turn-Off)
    • Форм-фактор: DPAK
  • Плюсы:
    • Высокая скорость отключения и включения
    • Способность работать при высоких температурах
    • Высокая надежность
    • Малый размер и легкость интеграции
  • Минусы:
    • Высокие затраты на производство по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Высокое энергопотребление при переходах
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Переключение высоковольтных и высокоточных сигналов
    • Применяются в промышленной автоматике, транспортной технике, бытовой технике и других областях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Инверторы и преобразователи напряжения
    • Системы управления электродвигателями
    • Промышленное оборудование
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики AIGB50N65F5ATMA1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип IGBT
    NPT
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    50 A
  • Тип входа
    Standard
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Исполнение корпуса
    PG-TO263-3-2
  • Base Product Number
    AIGB50

Техническая документация

 AIGB50N65F5ATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 545 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 104 ₽
  • 10
    739 ₽
  • 100
    532 ₽
  • 500
    525 ₽
  • 1000
    429 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    AIGB50N65F5ATMA1
  • Описание:
    Транзистор: DISCRETE SWITCHESВсе характеристики

Минимальная цена AIGB50N65F5ATMA1 при покупке от 1 шт 1104.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AIGB50N65F5ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание AIGB50N65F5ATMA1

AIGB50N65F5ATMA1 Infineon Technologies Транзистор: DISCRETE SWITCHES

  • Основные параметры:
    • Рейтинг напряженияGBT: 650 В
    • Рейтинг тока: 50 А
    • Частота срабатывания: до 50 кГц
    • Тип: GTO (Gate Turn-Off)
    • Форм-фактор: DPAK
  • Плюсы:
    • Высокая скорость отключения и включения
    • Способность работать при высоких температурах
    • Высокая надежность
    • Малый размер и легкость интеграции
  • Минусы:
    • Высокие затраты на производство по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Высокое энергопотребление при переходах
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Переключение высоковольтных и высокоточных сигналов
    • Применяются в промышленной автоматике, транспортной технике, бытовой технике и других областях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Инверторы и преобразователи напряжения
    • Системы управления электродвигателями
    • Промышленное оборудование
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики AIGB50N65F5ATMA1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип IGBT
    NPT
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    50 A
  • Тип входа
    Standard
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Исполнение корпуса
    PG-TO263-3-2
  • Base Product Number
    AIGB50

Техническая документация

 AIGB50N65F5ATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RGT8TM65DGC9Транзистор: FIELD STOP TRENCH IGBT
    276Кешбэк 41 балл
    RGT8NS65DGC9Транзистор: IGBT
    287Кешбэк 43 балла
    RGT30TM65DGC9Транзистор: FIELD STOP TRENCH IGBT
    326Кешбэк 48 баллов
    RGT16NS65DGC9Транзистор: IGBT
    339Кешбэк 50 баллов
    RGT20TM65DGC9Транзистор: 650V 10A FIELD STOP TRENCH IGBT
    456Кешбэк 68 баллов
    RGPR30BM40HRTLТранзистор: 400V 30A IGNITION IGBT
    476Кешбэк 71 балл
    RGT8NL65DGTLТранзистор: FIELD STOP TRENCH IGBT
    478Кешбэк 71 балл
    RGPR10BM40FHTLТранзистор: IGBT
    493Кешбэк 73 балла
    RGPR20NS43HRTLТранзистор: 430V 20A IGNITION IGBT
    493Кешбэк 73 балла
    RGPR30NS40HRTLТранзистор: 400V 30A IGNITION IGBT
    502Кешбэк 75 баллов
    RGCL80TS60GC11Транзистор: IGBT
    528Кешбэк 79 баллов
    RGT16BM65DTLТранзистор: IGBT
    541Кешбэк 81 балл
    RGPZ10BM40FHTLТранзистор: IGBT
    543Кешбэк 81 балл
    RGT16TM65DGC9Транзистор: FIELD STOP TRENCH IGBT
    554Кешбэк 83 балла
    RGT20NL65GTLТранзистор: 650V 10A FIELD STOP TRENCH IGBT
    556Кешбэк 83 балла
    RGCL60TK60GC11Транзистор: IGBT
    560Кешбэк 84 балла
    RGT16NL65DGTLТранзистор: FIELD STOP TRENCH IGBT
    578Кешбэк 86 баллов
    RGTV60TS65GC11Транзистор: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
    582Кешбэк 87 баллов
    RGW40TS65DGC11Транзистор: 650V 20A FIELD STOP TRENCH IGBT
    597Кешбэк 89 баллов
    RGT30NL65DGTLТранзистор: FIELD STOP TRENCH IGBT
    600Кешбэк 90 баллов
    RGT30NS65DGC9Транзистор: IGBT
    608Кешбэк 91 балл
    RGCL60TK60DGC11Транзистор: IGBT
    611Кешбэк 91 балл
    RGTH50TK65GC11Транзистор: IGBT
    613Кешбэк 91 балл
    RGW50TS65DGC11Транзистор: 650V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT
    615Кешбэк 92 балла
    RGCL80TK60DGC11Транзистор: IGBT
    641Кешбэк 96 баллов
    RGT40NS65DGC9Транзистор: IGBT
    661Кешбэк 99 баллов
    RGTH80TK65GC11Транзистор: IGBT
    667Кешбэк 100 баллов
    RGW80TK65GVC11Транзистор: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
    673Кешбэк 100 баллов
    RGW50TK65DGVC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    674Кешбэк 101 балл
    RGTH60TK65DGC11Транзистор: IGBT
    689Кешбэк 103 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные диоды
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды - мостовые выпрямители
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы
    Принадлежности
    Транзисторы - Специального назначения
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП