Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
AIGB50N65H5ATMA1

AIGB50N65H5ATMA1

AIGB50N65H5ATMA1
;
AIGB50N65H5ATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена AIGB50N65H5ATMA1 при покупке от 1 шт 1104.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AIGB50N65H5ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание AIGB50N65H5ATMA1

AIGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies Транзистор: DISCRETE SWITCHES

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 65 В
    • Номинальный ток (ID(ON)): 50 А
    • Тип: MOSFET
    • Технология производства: Si
    • Объемный ток: 3.2 мА/В
    • Параметр RDS(on): 7.5 мОм
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении на входе
    • Малый объемный ток, что обеспечивает низкую тепловую нагрузку
    • Низкий коэффициент сопротивления при низком напряжении
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Компактность и надежность
  • Минусы:
    • Высокие потери при работе в режиме импульсов
    • Необходимость дополнительных компонентов для защиты от перенапряжения
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Изменение состояния цепей (включение/выключение)
    • Передача сигнала или данных
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленное оборудование
    • Системы питания
    • Электронные устройства бытовой техники
    • Питание микроэлектроники
Выбрано: Показать

Характеристики AIGB50N65H5ATMA1

Техническая документация

AIGB50N65H5ATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 2244 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 104 ₽
  • 10
    739 ₽
  • 100
    532 ₽
  • 500
    525 ₽
  • 1000
    429 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена AIGB50N65H5ATMA1 при покупке от 1 шт 1104.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AIGB50N65H5ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание AIGB50N65H5ATMA1

AIGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies Транзистор: DISCRETE SWITCHES

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 65 В
    • Номинальный ток (ID(ON)): 50 А
    • Тип: MOSFET
    • Технология производства: Si
    • Объемный ток: 3.2 мА/В
    • Параметр RDS(on): 7.5 мОм
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении на входе
    • Малый объемный ток, что обеспечивает низкую тепловую нагрузку
    • Низкий коэффициент сопротивления при низком напряжении
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Компактность и надежность
  • Минусы:
    • Высокие потери при работе в режиме импульсов
    • Необходимость дополнительных компонентов для защиты от перенапряжения
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Изменение состояния цепей (включение/выключение)
    • Передача сигнала или данных
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленное оборудование
    • Системы питания
    • Электронные устройства бытовой техники
    • Питание микроэлектроники
Выбрано: Показать

Характеристики AIGB50N65H5ATMA1

Техническая документация

AIGB50N65H5ATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории