Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
AIKW50N65DF5XKSA1
  • В избранное
  • В сравнение
AIKW50N65DF5XKSA1

AIKW50N65DF5XKSA1

AIKW50N65DF5XKSA1
;
AIKW50N65DF5XKSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    AIKW50N65DF5XKSA1
  • Описание:
    Транзистор: IC DISCRETE 650V TO247-3Все характеристики

Минимальная цена AIKW50N65DF5XKSA1 при покупке от 1 шт 1054.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AIKW50N65DF5XKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание AIKW50N65DF5XKSA1

AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon Technologies Транзистор: IC DISCRETE 650V TO247-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VCEO): 650В
    • Тип транзистора: MOSFET
    • Стрелка разряда (tRDS(on)): до 29 мс при ID=20А
    • Максимальный ток нагрузки (ID): 80А
    • Количество пакетов: TO247-3
  • Плюсы:
    • Высокое номинальное напряжение блокировки (650В), что делает его подходящим для широкого диапазона приложений.
    • Низкий ток разряда (tRDS(on)) обеспечивает минимальные потери энергии при работе.
    • Существенная термическая стабильность и высокая тепловая conductance.
    • Прочная конструкция пакета TO247-3 для надежной работы в различных условиях.
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов.
    • Требует более сложного проектирования печатной платы из-за размеров пакета TO247-3.
  • Общее назначение:
    • Используется в различных электронных устройствах, где требуется высокое напряжение и ток.
    • Подходит для применения в системах управления двигателем, инверторах, преобразователях питания, электротранспорте и промышленном оборудовании.
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем.
    • Инверторы для преобразования переменного напряжения в постоянное.
    • Преобразователи питания для различных приборов.
    • Электротранспорт.
    • Промышленное оборудование.
Выбрано: Показать

Характеристики AIKW50N65DF5XKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Коллекторный ток (Icm)
    150 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 50A
  • Рассеивание мощности
    270 W
  • Энергия переключения
    490µJ (on), 140µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    1018 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    21ns/156ns
  • Условие испытаний
    400V, 25A, 12Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-3-41
  • Base Product Number
    AIKW50

Техническая документация

 AIKW50N65DF5XKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 2 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 054 ₽
  • 10
    736 ₽
  • 100
    644 ₽
  • 480
    609 ₽
  • 1200
    592 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    AIKW50N65DF5XKSA1
  • Описание:
    Транзистор: IC DISCRETE 650V TO247-3Все характеристики

Минимальная цена AIKW50N65DF5XKSA1 при покупке от 1 шт 1054.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AIKW50N65DF5XKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание AIKW50N65DF5XKSA1

AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon Technologies Транзистор: IC DISCRETE 650V TO247-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VCEO): 650В
    • Тип транзистора: MOSFET
    • Стрелка разряда (tRDS(on)): до 29 мс при ID=20А
    • Максимальный ток нагрузки (ID): 80А
    • Количество пакетов: TO247-3
  • Плюсы:
    • Высокое номинальное напряжение блокировки (650В), что делает его подходящим для широкого диапазона приложений.
    • Низкий ток разряда (tRDS(on)) обеспечивает минимальные потери энергии при работе.
    • Существенная термическая стабильность и высокая тепловая conductance.
    • Прочная конструкция пакета TO247-3 для надежной работы в различных условиях.
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов.
    • Требует более сложного проектирования печатной платы из-за размеров пакета TO247-3.
  • Общее назначение:
    • Используется в различных электронных устройствах, где требуется высокое напряжение и ток.
    • Подходит для применения в системах управления двигателем, инверторах, преобразователях питания, электротранспорте и промышленном оборудовании.
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем.
    • Инверторы для преобразования переменного напряжения в постоянное.
    • Преобразователи питания для различных приборов.
    • Электротранспорт.
    • Промышленное оборудование.
Выбрано: Показать

Характеристики AIKW50N65DF5XKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Коллекторный ток (Icm)
    150 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 50A
  • Рассеивание мощности
    270 W
  • Энергия переключения
    490µJ (on), 140µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    1018 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    21ns/156ns
  • Условие испытаний
    400V, 25A, 12Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-3-41
  • Base Product Number
    AIKW50

Техническая документация

 AIKW50N65DF5XKSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    AUIRGP66524D0-IRТранзистор: IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVER
    894Кешбэк 134 балла
    AUIRGF66524D0-IRТранзистор: IGBT
    910Кешбэк 136 баллов
    AUIRGPS4070D0Транзистор: AUIRGPS4070D0 - AUTOMOTIVE IGBT
    2 427Кешбэк 364 балла
    AUIRGP4062D-EТранзистор: IGBT 600V 48A TO247AD
    1 842Кешбэк 276 баллов
    IRGBC30FТранзистор: IGBT FAST 600V 31A TO-220AB
    809Кешбэк 121 балл
    IRGBC30UТранзистор: IGBT UFAST 600V 23A TO-220AB
    7 668Кешбэк 1 150 баллов
    AUIRG4BC30U-SТранзистор: IGBT 600V 23A 100W D2PAK
    2 508Кешбэк 376 баллов
    IRGPF40FТранзистор: IGBT FAST 900V 31A TO-247AC
    5 024Кешбэк 753 балла
    HGTP10N50E1Транзистор: 10A, 500V, N-CHANNEL IGBT
    441Кешбэк 66 баллов
    HGTP15N50C1Транзистор: 15A, 500V, N-CHANNEL IGBT
    754Кешбэк 113 баллов
    HGTP3N60C3Транзистор: 6A, 600V, N-CHANNEL IGBT
    140Кешбэк 21 балл
    HGTP10N50E1DТранзистор: 17.5A, 500V, N-CHANNEL IGBT
    656Кешбэк 98 баллов
    HGT1S15N120C3Транзистор: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
    699Кешбэк 104 балла
    HGTP12N60C3RТранзистор: 24A, 600V N-CHANNEL IGBT
    340Кешбэк 51 балл
    HGT1S12N60C3DТранзистор: 24A, 600V, N-CHANNEL IGBT
    298Кешбэк 44 балла
    HGT1S12N60C3S9AR4501Транзистор: 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
    274Кешбэк 41 балл
    HGTP3N60B3Транзистор: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
    140Кешбэк 21 балл
    HGTP15N50E1Транзистор: 15A, 500V, N-CHANNEL IGBT
    348Кешбэк 52 балла
    HGTP10N40C1Транзистор: 10A, 400V, N-CHANNEL IGBT
    314Кешбэк 47 баллов
    HGT1S12N60C3RТранзистор: 24A, 600V N-CHANNEL IGBT
    292Кешбэк 43 балла
    IGTP10N40AТранзистор: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP
    234Кешбэк 35 баллов
    HGTP20N35F3VLТранзистор: 20A, 350V, N-CHANNEL IGBT
    403Кешбэк 60 баллов
    HGTP6N40E1DТранзистор: 7.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT
    191Кешбэк 28 баллов
    IGTP10N40Транзистор: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP
    228Кешбэк 34 балла
    HGT1S12N60B3Транзистор: 27A, 600V, N-CHANNEL IGBT
    305Кешбэк 45 баллов
    HGT1S12N60C3Транзистор: 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
    268Кешбэк 40 баллов
    HGTP10N40F1DТранзистор: 12A, 400V, N-CHANNEL IGBT
    257Кешбэк 38 баллов
    HGT1S20N35F3VLR4505Транзистор: 40A, 350V, UFS N-CHANNEL IGBT
    305Кешбэк 45 баллов
    HGTP20N35F3ULR3935Транзистор: 20A, 350V, N-CHANNEL IGBT
    403Кешбэк 60 баллов
    HGTP3N60B3R4724Транзистор: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
    140Кешбэк 21 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Принадлежности
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные диоды
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - выпрямители - массивы
    IGBT транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП