AIMW120R045M1XKSA1

• Высокая эффективность в высоковольтных приложениях благодаря использованию SiC (карбид кремния).
• Уменьшенная тепловая пропускная способность по сравнению с традиционными Si-FET.
• Более низкие потери энергии при работе.
• Высокая скорость включения и выключения.

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с Si-FET.
• Требуются специфические требования к проектированию и прошивке.
• Существует необходимость в особых мерах охлаждения.

Общее назначение:

• Применяется в системах управления двигателей.
• Используется в промышленных преобразователях мощности.
• Применяется в системах зарядки электромобилей.
• Подходит для применения в солнечных батареях и системах хранения энергии.