Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
ALD1101PAL
  • В избранное
  • В сравнение
ALD1101PAL

ALD1101PAL

ALD1101PAL
;
ALD1101PAL

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Advanced Linear Devices Inc.
  • Артикул:
    ALD1101PAL
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIPВсе характеристики

Минимальная цена ALD1101PAL при покупке от 1 шт 1821.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ALD1101PAL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ALD1101PAL

ALD1101PAL Advanced Linear Devices Inc. Транзистор: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
    • Номинальное напряжение включения: 10.6 В
    • Количество выводов: 8 (DIP)
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Низкий силаillage
    • Работа при высоких температурах
    • Малый размер и легкость монтажа благодаря DIP-пакету
  • Минусы:
    • Высокие требования к защите от перенапряжения
    • Уязвимость к электростатическим разрядам
  • Общее назначение:
    • Управление токами в различных электронных устройствах
    • Регулирование напряжений
    • Изоляция сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Игровые консоли
    • Системы питания
    • Производственные линии
    • Электронные устройства бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики ALD1101PAL

  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual) Matched Pair
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    10.6V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    75Ohm @ 5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 10µA
  • Рассеивание мощности
    500mW
  • Рабочая температура
    0°C ~ 70°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Исполнение корпуса
    8-PDIP
  • Base Product Number
    ALD1101

Техническая документация

 ALD1101PAL.pdf
pdf. 0 kb
  • 20 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 821 ₽
  • 50
    1 009 ₽
  • 100
    931 ₽
  • 500
    834 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Advanced Linear Devices Inc.
  • Артикул:
    ALD1101PAL
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIPВсе характеристики

Минимальная цена ALD1101PAL при покупке от 1 шт 1821.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ALD1101PAL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ALD1101PAL

ALD1101PAL Advanced Linear Devices Inc. Транзистор: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
    • Номинальное напряжение включения: 10.6 В
    • Количество выводов: 8 (DIP)
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Низкий силаillage
    • Работа при высоких температурах
    • Малый размер и легкость монтажа благодаря DIP-пакету
  • Минусы:
    • Высокие требования к защите от перенапряжения
    • Уязвимость к электростатическим разрядам
  • Общее назначение:
    • Управление токами в различных электронных устройствах
    • Регулирование напряжений
    • Изоляция сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Игровые консоли
    • Системы питания
    • Производственные линии
    • Электронные устройства бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики ALD1101PAL

  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual) Matched Pair
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    10.6V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    75Ohm @ 5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 10µA
  • Рассеивание мощности
    500mW
  • Рабочая температура
    0°C ~ 70°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Исполнение корпуса
    8-PDIP
  • Base Product Number
    ALD1101

Техническая документация

 ALD1101PAL.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TT8J21TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 2.5A TSST8
    250Кешбэк 37 баллов
    FDC6401NТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
    150Кешбэк 22 балла
    SI7997DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8
    543Кешбэк 81 балл
    FDMB3800NТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
    282Кешбэк 42 балла
    DMN3016LDN-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN
    156Кешбэк 23 балла
    HP8KA1TBТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 14A HSOP8
    326Кешбэк 48 баллов
    2N7002VAТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT563F
    139Кешбэк 20 баллов
    SI4943CDY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC
    450Кешбэк 67 баллов
    ECH8654-TL-HТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 5A 8ECH
    246Кешбэк 36 баллов
    FDML7610SТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A 8MLP
    313Кешбэк 46 баллов
    BUK7K35-60EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 20.7A LFPAK56D
    206Кешбэк 30 баллов
    ALD1116SALТранзистор: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
    1 021Кешбэк 153 балла
    AO6800Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 3.4A 6-TSOP
    53Кешбэк 7 баллов
    FW344A-TL-2WТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
    67Кешбэк 10 баллов
    BUK9M28-80EXMOSFET N-CH 80V 33A LFPAK33
    174Кешбэк 26 баллов
    CSD87333Q3DTТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 15A 8VSON
    250Кешбэк 37 баллов
    SI3585CDV-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
    146Кешбэк 21 балл
    DMC1016UPD-13Транзистор: MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8
    176Кешбэк 26 баллов
    TC8220K6-GТранзистор: MOSFET 2N/2P-CH 200V 12VDFN
    478Кешбэк 71 балл
    QH8MA2TCRТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
    176Кешбэк 26 баллов
    DMC4050SSD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO
    186Кешбэк 27 баллов
    FDG6304PТранзистор: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC70-6
    170Кешбэк 25 баллов
    DMP4050SSDQ-13Транзистор: MOSFET 2P-CH 40V 4A 8SO
    371Кешбэк 55 баллов
    SSM6P49NU,LFТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-1Y1A
    122Кешбэк 18 баллов
    BUK9M19-60EXMOSFET N-CH 60V 38A LFPAK33
    226Кешбэк 33 балла
    VEC2415-TL-WТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 3A VEC8
    83Кешбэк 12 баллов
    DMG6602SVTQ-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V TSOT26
    85Кешбэк 12 баллов
    NDS9952AТранзистор: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
    162Кешбэк 24 балла
    EFC8811R-TFТранзистор: MOSFET 2N-CH 6CSP
    199Кешбэк 29 баллов
    NDC7001CТранзистор: MOSFET N/P-CH 60V SSOT6
    98Кешбэк 14 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Симисторы
    Диодные мосты - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП