Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
ALD1106PBL
  • В избранное
  • В сравнение
ALD1106PBL

ALD1106PBL

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Advanced Linear Devices
  • Артикул:
    ALD1106PBL
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIPВсе характеристики

Минимальная цена ALD1106PBL при покупке от 1 шт 1424.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ALD1106PBL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики ALD1106PBL

  • Тип полевого транзистора
    4 N-Channel, Matched Pair
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    10.6V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    500Ohm @ 5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 1µA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3pF @ 5V
  • Рассеивание мощности
    500mW
  • Рабочая температура
    0°C ~ 70°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    14-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Исполнение корпуса
    14-PDIP
  • Base Product Number
    ALD1106

Техническая документация

 ALD1106PBL.pdf
pdf. 0 kb
  • 188 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 424 ₽
  • 10
    835 ₽
  • 100
    710 ₽
  • 500
    606 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Advanced Linear Devices
  • Артикул:
    ALD1106PBL
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIPВсе характеристики

Минимальная цена ALD1106PBL при покупке от 1 шт 1424.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ALD1106PBL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики ALD1106PBL

  • Тип полевого транзистора
    4 N-Channel, Matched Pair
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    10.6V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    500Ohm @ 5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 1µA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3pF @ 5V
  • Рассеивание мощности
    500mW
  • Рабочая температура
    0°C ~ 70°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    14-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Исполнение корпуса
    14-PDIP
  • Base Product Number
    ALD1106

Техническая документация

 ALD1106PBL.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDS3601Транзистор: N-CHANNEL POWER MOSFET
    91Кешбэк 13 баллов
    NTZD3158PT1GMOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
    22.4Кешбэк 3 балла
    SI7922DN-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
    466Кешбэк 69 баллов
    CSD85302LTТранзистор: MOSFET 2N-CH
    319Кешбэк 47 баллов
    CSD75207W15Транзистор: MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA
    181Кешбэк 27 баллов
    FDY4001CZТранзистор: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
    26Кешбэк 3 балла
    ALD1107SBLТранзистор: MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
    1 327Кешбэк 199 баллов
    CSD87355Q5DTТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 45A 8LSON
    744Кешбэк 111 баллов
    SI7252DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO
    540Кешбэк 81 балл
    DMP3098LSD-13Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 4.4A 8-SOIC
    142Кешбэк 21 балл
    NTMD6P02R2GТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
    293Кешбэк 43 балла
    FDMC7208SТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A PWR33
    311Кешбэк 46 баллов
    UPA602T-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    95Кешбэк 14 баллов
    BUK7K12-60EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK
    430Кешбэк 64 балла
    SLA5065 LF830Транзистор: MOSFET 4N-CH 60V 7A 15-SIP
    1 224Кешбэк 183 балла
    NX7002AKS,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.17A SC-88
    45Кешбэк 6 баллов
    DMC1018UPD-13Транзистор
    153Кешбэк 22 балла
    SI1902DL-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6
    145Кешбэк 21 балл
    FDC6320CТранзистор: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    65Кешбэк 9 баллов
    ECH8653-S-TL-HMOSFET 2N-CH 20V 7.5A ECH8
    84Кешбэк 12 баллов
    ECH8697R-TL-WТранзистор: MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT28
    143Кешбэк 21 балл
    NDS9947Транзистор: P-CHANNEL POWER MOSFET
    190Кешбэк 28 баллов
    FDMD86100Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8POWER 5X6
    809Кешбэк 121 балл
    ZXMC10A816N8TCТранзистор: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC
    289Кешбэк 43 балла
    IPG20N06S2L50AATMA1Транзистор
    326Кешбэк 48 баллов
    FDML7610SТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A 8MLP
    315Кешбэк 47 баллов
    ZXMN6A11DN8TAТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC
    228Кешбэк 34 балла
    CSD88537NDTТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
    369Кешбэк 55 баллов
    IRF7341TRPBFТранзистор: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
    239Кешбэк 35 баллов
    BUK7K6R2-40EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 40A 56LFPAK
    589Кешбэк 88 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Принадлежности
    IGBT транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды силовые
    Модули драйверов питания
    Симисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП