Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
ALD1106PBL
  • В избранное
  • В сравнение
ALD1106PBL

ALD1106PBL

ALD1106PBL
;
ALD1106PBL

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Advanced Linear Devices
  • Артикул:
    ALD1106PBL
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIPВсе характеристики

Минимальная цена ALD1106PBL при покупке от 1 шт 1415.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ALD1106PBL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ALD1106PBL

ALD1106PBL Advanced Linear Devices MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP

  • Основные параметры:
    • Напряжение ввода-вывода (VGS(th)): ≤3.5В
    • Максимальное напряжение ввода-вывода (VDS(max)): 10.6В
    • Максимальный ток (ID(max)): 2A
    • Количество выводов: 14DIP
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность
    • Низкое напряжение ввода-вывода обеспечивает эффективное управление
    • Устойчивость к электрическим помехам
    • Малый размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Максимальный ток может быть недостаточным для высокопроизводительных приложений
    • Требует дополнительного проектирования для обеспечения правильной работы
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения
    • Управление электрическими цепями
    • Переключение нагрузок
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах
    • Электронных приборах
    • Питательных блоках
    • Системах управления
Выбрано: Показать

Характеристики ALD1106PBL

  • Тип полевого транзистора
    4 N-Channel, Matched Pair
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    10.6V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    500Ohm @ 5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 1µA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3pF @ 5V
  • Рассеивание мощности
    500mW
  • Рабочая температура
    0°C ~ 70°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    14-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Исполнение корпуса
    14-PDIP
  • Base Product Number
    ALD1106

Техническая документация

 ALD1106PBL.pdf
pdf. 0 kb
  • 188 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 415 ₽
  • 10
    830 ₽
  • 100
    706 ₽
  • 500
    602 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Advanced Linear Devices
  • Артикул:
    ALD1106PBL
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIPВсе характеристики

Минимальная цена ALD1106PBL при покупке от 1 шт 1415.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ALD1106PBL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ALD1106PBL

ALD1106PBL Advanced Linear Devices MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP

  • Основные параметры:
    • Напряжение ввода-вывода (VGS(th)): ≤3.5В
    • Максимальное напряжение ввода-вывода (VDS(max)): 10.6В
    • Максимальный ток (ID(max)): 2A
    • Количество выводов: 14DIP
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность
    • Низкое напряжение ввода-вывода обеспечивает эффективное управление
    • Устойчивость к электрическим помехам
    • Малый размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Максимальный ток может быть недостаточным для высокопроизводительных приложений
    • Требует дополнительного проектирования для обеспечения правильной работы
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения
    • Управление электрическими цепями
    • Переключение нагрузок
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах
    • Электронных приборах
    • Питательных блоках
    • Системах управления
Выбрано: Показать

Характеристики ALD1106PBL

  • Тип полевого транзистора
    4 N-Channel, Matched Pair
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    10.6V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    500Ohm @ 5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 1µA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3pF @ 5V
  • Рассеивание мощности
    500mW
  • Рабочая температура
    0°C ~ 70°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    14-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Исполнение корпуса
    14-PDIP
  • Base Product Number
    ALD1106

Техническая документация

 ALD1106PBL.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BUK9K5R6-30EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 40A 56LFPAK
    435Кешбэк 65 баллов
    IRFH4253DTRPBFТранзистор: MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN
    595Кешбэк 89 баллов
    CSD85302LTТранзистор: MOSFET 2N-CH
    317Кешбэк 47 баллов
    FDMC8200SТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP
    245Кешбэк 36 баллов
    DMN3015LSD-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO
    135Кешбэк 20 баллов
    IPG16N10S461ATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
    343Кешбэк 51 балл
    IPG20N06S4L14ATMA2Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
    367Кешбэк 55 баллов
    IPG20N04S4L08AATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
    359Кешбэк 53 балла
    IPG20N04S4L11AATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
    315Кешбэк 47 баллов
    SI6913DQ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP
    432Кешбэк 64 балла
    NX3008PBKV,115Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 220MA SOT666
    80Кешбэк 12 баллов
    DMN33D8LDW-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A
    54Кешбэк 8 баллов
    FDW2504PТранзистор: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
    434Кешбэк 65 баллов
    BSD840NH6327XTSA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
    54Кешбэк 8 баллов
    QS8J4TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
    304Кешбэк 45 баллов
    QS6M4TRТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
    178Кешбэк 26 баллов
    AO4805Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8-SOIC
    147Кешбэк 22 балла
    NTJD4105CT2GТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
    72Кешбэк 10 баллов
    SIA533EDJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
    124Кешбэк 18 баллов
    CSD85302LТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 5A
    119Кешбэк 17 баллов
    DMG4822SSD-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
    195Кешбэк 29 баллов
    DMC25D0UVT-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26
    126Кешбэк 18 баллов
    NDS9945Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC
    445Кешбэк 66 баллов
    SH8J66TB1Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8
    578Кешбэк 86 баллов
    SI5936DU-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6A PWRPK CHPFET
    193Кешбэк 28 баллов
    FDS6898AZТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
    332Кешбэк 49 баллов
    IRF7313TRPBFТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
    193Кешбэк 28 баллов
    IRF7380TRPBFТранзистор: MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC
    198Кешбэк 29 баллов
    CSD87333Q3DТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON
    204Кешбэк 30 баллов
    FDS4935BZТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
    183Кешбэк 27 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Драйверы питания - Модули
    Диодные мосты
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные диоды
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Диодные мосты - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - JFET
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды силовые
    Высокочастотные полевые транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    IGBT транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП